常用的反相器芯片

CMOS反相器的传播延时分析

摘要

CMOS反相器的传播延时取决于它分别通过PMOS和NMOS管充电和放电负载电容CL所需要的时间。负载电容由三个主要部分构成：漏扩散电容，连线电容以及扇出门的输入电容。本文主要通过改变漏扩散电容及扇出门的电容来提高反相器的性能。

关键词：反相器 传播延时 负载电容

一、传播延时分析 1、负载电容CL

CMOS反相器的负载电容主要来源于NMOS和PMOS晶体管的漏扩散电容，连线电容以及扇出门的输入电容，由于这三类电容值都是非线性的并且随所加电压而变化，故简化如图1.1一对串联反相器电路的分析，它包括了影响节点Vout瞬态响应的所有电容。先假设输入Vin由一个上升和下降时间均为零的理想电压源所驱动。只考虑连至输出节点上的电容时，CL可以分解为以下几个部分。

图 1.1

(1) 栅漏电容Cgd2

(2) 扩散电容Cdb1和Cdb2 (3) 连线电容Cw

(4) 扇出的栅电容Cg3和Cg4

其中：扩散电容通过调节W/L比来控制。 连线电容通过线的长度和宽度来控制。 扇出电容通过增加或减少扇出部件。

2、传播延时：一阶线性分析

一个门的传播延时tp定义了它对输入信号变化的响应有多快。它表示一

C M O S反相器的版图设

计

-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

实验一：CMOS反相器的版图设计

一、实验目的

1、创建CMOS反相器的电路原理图(Schematic)、电气符号(symbol)以及版图(layout);

2、利用’gpdk090’工艺库实例化MOS管；

3、运行设计规则验证(Design Rule Check,DRC)确保版图没有设计规则错误。

二、实验要求

1、打印出完整的CMOS反相器的电路原理图以及版图；

2、打印CMOS反相器的DRC报告。

三、实验工具

Virtuoso

四、实验内容

1、创建CMOS反相器的电路原理图；

2、创建CMOS反相器的电气符号；

3、创建CMOS反相器的版图；

4、对版图进行DRC验证。

2

1、创建CMOS反相器的电路原理图及电气符号图

首先创建自己的工作目录并将/home/iccad/cds.lib复制到自己的工作目录下（我的工作目录为/home/iccad/iclab），在工作目录内打开终端并打开

virtuoso(命令为icfb &).

在打开的icfb –log中选择tools->Library Manager,再创建自己的库，在当前的对话框上选择File->New->Li

实验二 MOS反相器电压传输特性 集成电路CAD 深圳大学电子科学与技术学院微电子学专业

实验二 MOS反相器电压传输特性

姓名 学号

? 电阻型MOS反相器

1. 参照讲义，请将电阻型MOS反相器的电路连接图（schematic）截屏并

粘贴到以下空白处（包含I/O Pin以及电压源）：

2. 将其中NMOS管参数设为L=0.18um，W=1um，电阻R为5kΩ，试运行

仿真得到其对应的电压传输特性曲线Vout-Vin，观察并记录VM以及VOH，并截屏粘贴到以下空白处（包含Vout=Vin的参考线）

1

实验二 MOS反相器电压传输特性 集成电路CAD 深圳大学电子科学与技术学院微电子学专业

3. 在模拟环境（Analog Environment）中设置“plotting mode”为“Append”，

然后将电阻值改为10 kΩ和20 kΩ，将三组电压传输特性曲线plot在同一个窗口中，观察并记录VM以及VOL随电阻R的变换，并将窗口截屏粘贴到以下空白处：

4. 通过修改电阻R的值

目录

前端电路设计与仿真 ....................................................................................................................... 2

第一节双反相器的前端设计流程 ........................................................................................... 2

1、画双反相器的visio原理图 ....................................................................................... 2 2、编写.sp文件 ............................................................................................................... 2 第二节后端电路设计 ............................................

XXXXXXXX大学（MEMS）实验报告

实验名称 使用L-Edit 画反相器布局图 实验时间 年 月 日

专 业 姓 名 学 号 预 习 操 作 座 位 号 教师签名 总 评

一、实验目的：

1、进一步熟悉L-Edit的使用，并且能正确、快速的使用这些工具； 2、进一步掌握版图设计的设计规则；

3、能运用L-Edit 实现器件的布局图，掌握软件的基本设定、理解版图图层间的关系；

4、绘制反相器布局图； 二、基本原理：

运用实验三中的nmos组件与pmos组件完成反相器布局图的设计。版图设计操作的基本流程为：进入L-Edi

叠加器常用芯片有哪些？

常见的字符叠加器芯片主要有：

1、MTV018,MTV030

台湾世纪民生（MYSON）是最早专注于结合视频及通信领域开发的集成电路设计公司，在显示器MCU和屏幕显示(OSD)领域具有很高的全球市场占有率。MYSON推出的专用字符叠加（OSD）芯片MTV018、MTV021、MTV030等，可以在屏幕上显示15行30列的字符，每个字符为12X18点阵，最高1524点/行的可编程水平分辨率，拥有强大的中文，数字，英文字库，可以根据需要调整并显示一些特效功能，比如字体颜色，闪烁，阴影，渐变等，产品成熟，应用简单，成本低廉。

2、UPD6453

NEC公司推出的专用字符叠加（OSD）芯片，可以在屏幕上显示12行24列的字符，每个字符为12×18点阵，字符的大小、闪烁频率可以根据需要进行调整。可以实现常规的英文、数字、及部分自定义字符的叠加显示。但遗憾的是此芯片只支持外同步，就是自身不能直接输出字符信号，而只能在视频信号上进行叠加显示。利用上位机提取12 x 12的点阵信息，然后发送给 UPD6453进行任意自定义字符的显示，成本低廉，还是有一定的应用意义的。

3、M35055

三菱公司推出的专用

叠加器常用芯片有哪些？

常见的字符叠加器芯片主要有：

1、MTV018,MTV030

台湾世纪民生（MYSON）是最早专注于结合视频及通信领域开发的集成电路设计公司，在显示器MCU和屏幕显示(OSD)领域具有很高的全球市场占有率。MYSON推出的专用字符叠加（OSD）芯片MTV018、MTV021、MTV030等，可以在屏幕上显示15行30列的字符，每个字符为12X18点阵，最高1524点/行的可编程水平分辨率，拥有强大的中文，数字，英文字库，可以根据需要调整并显示一些特效功能，比如字体颜色，闪烁，阴影，渐变等，产品成熟，应用简单，成本低廉。

2、UPD6453

NEC公司推出的专用字符叠加（OSD）芯片，可以在屏幕上显示12行24列的字符，每个字符为12×18点阵，字符的大小、闪烁频率可以根据需要进行调整。可以实现常规的英文、数字、及部分自定义字符的叠加显示。但遗憾的是此芯片只支持外同步，就是自身不能直接输出字符信号，而只能在视频信号上进行叠加显示。利用上位机提取12 x 12的点阵信息，然后发送给 UPD6453进行任意自定义字符的显示，成本低廉，还是有一定的应用意义的。

3、M35055

三菱公司推出的专用

DDS常用芯片，生产线，芯片手册~

常用频率合成器(DDS)芯片型号及特点介绍

随着微电子技术的飞速发展，目前高超 性能优良的DDS产品不断推出，主要有Qualcomm、AD、Sciteg和Stanford等公司单片电路（monolithic）。Qualcomm公司推出了DDS系列Q2220、Q2230、Q2334、Q2240、Q2368，其中Q2368的时钟频率为130MHz，分辨率为0.03Hz，杂散控制为-76dBc，变频时间为0.1μs;美国AD公司也相继推出了他们的DDS系列：AD9850、AD9851、可以实现线性调频的AD9852、两路正交输出的AD9854以及以DDS为核心的QPSK调制器AD9853、数字上变频器AD9856和AD9857.AD公司的DDS系列产品以其较高的性能价格比，目前取得了极为广泛的应用。AD公司的常用DDS芯片选用列表见表1.下面仅对比较常用的AD9850芯片作一简单介绍。

表1 AD公司的常用DDS芯片选用列表 型 号 最大工作最大功耗工作电压（V） 备 注 (MHz) （mw) 3.3/5 3.3/5 2.5～5.5 2.5～5.5 5 5 3.3/5 3.3/5 3/3.3/5

几款功放芯片与效果器芯片简介

2010-11-27 14:46

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TDA1521/TDA1514A

TDA1521/TDA1514A是荷兰飞利浦公司专门为数字音响在播放时的低掉真度及高稳度而设计推出的两款芯片。所以用来接驳CD机直接输出的音质出格好。此中的参数为：TDA1521在电压为±16V、阻抗为8Ω时，输出功率为2×15W，此时的掉真仅为0.5％。 TDA1514A的工作电压为±9V~±30V,在电压为±25V、RL=8Ω时，输出功率达到50 W，总谐波掉真为0.08％ 。输入阻抗20KΩ, 输入灵敏度600mV,信嘈比达到85dB。其电路设有等待、静嘈状态，具有过热庇护，低掉调电压高纹波按捺，而且热阻极低，具有极佳的高频解析力和低频力度。其音色通透纯正，低音力度丰满厚实，高音清亮明快，很有电子管的韵味。以上两款功放的外围零件都比力少，是\傻瓜\型的功放芯片，非常适合初级发烧友组装，只要按照电路图，不需调试就可获得很好的效果。由于该芯片的输入电平比力低，我们在制作是不需前置放大器，只要直接接到我们的电脑声卡、光驱、随身听上即可。著名的电脑多媒体音箱安步者也是采用这两种芯片

LED芯片常用衬底材料选用比较

对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 1. 蓝宝石（Al2O3） 2. 硅 (Si) 3. 碳化硅（SiC） 蓝宝石衬底

通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。

图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片

使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型