晶体二极管及整流电路试题和答案

晶体二极管及应用电路测试题

一.选择题(60分)

1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V，则电流的大小将是___。

A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA

2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时， 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V

3.如图1.1.2所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA

4.上题中，若电源电压保持5V不变，温度由20°C下降到10°C时，则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;

5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。

A、B B、C C、A

6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于

晶体二极管及应用电路测试题

一.选择题(60分)

1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V，则电流的大小将是___。

A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA

2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时， 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V

3.如图1.1.2所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA

4.上题中，若电源电压保持5V不变，温度由20°C下降到10°C时，则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;

5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。

A、B B、C C、A

6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于

二极管及整流电路

2010级电子⑤班单元测试考试卷

（满分100分 时间60分钟）

一、判断题（9分、每题1分）

1.用万用表测量二极管正反向电阻相同，说明二极管正常。 （ ）

2.温度对半导体材料有重要影响，温度越高，则半导体中载流子越少。 （ ）

3.电容滤波电路中，电容容量越大，负载阻值越大，则滤波效果越好。 （ ）

4.杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少子的浓度主要取决于温度。（ ）

5.整体来看，不管是N型半导体，还是P型半导体都是电中性的。 （ ）

6.Is是指室温条件下的反向漏电流，温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。（ ）

7.通常锗二极管PN结温度达到150℃，硅管达到90℃以上时，会因反向电流过大造成热击穿。（ ）

8.桥式整流电路中，若有一只整流二极管接反，则电路可当成半波整流电路处理。 （ ）

二、填空题（21分、每空1分）

1.二极管的重要特性是二极管和

2.PN结加一定的正向电压时，反偏时。

3.若变压器次级输出电压为15V，经桥式整流后，电压为500欧姆，则流过负载电阻的电流为 A，负载消耗的功率是

二极管及整流电路

2010级电子⑤班单元测试考试卷

（满分100分 时间60分钟）

一、判断题（9分、每题1分）

1.用万用表测量二极管正反向电阻相同，说明二极管正常。 （ ）

2.温度对半导体材料有重要影响，温度越高，则半导体中载流子越少。 （ ）

3.电容滤波电路中，电容容量越大，负载阻值越大，则滤波效果越好。 （ ）

4.杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少子的浓度主要取决于温度。（ ）

5.整体来看，不管是N型半导体，还是P型半导体都是电中性的。 （ ）

6.Is是指室温条件下的反向漏电流，温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。（ ）

7.通常锗二极管PN结温度达到150℃，硅管达到90℃以上时，会因反向电流过大造成热击穿。（ ）

8.桥式整流电路中，若有一只整流二极管接反，则电路可当成半波整流电路处理。 （ ）

二、填空题（21分、每空1分）

1.二极管的重要特性是二极管和

2.PN结加一定的正向电压时，反偏时。

3.若变压器次级输出电压为15V，经桥式整流后，电压为500欧姆，则流过负载电阻的电流为 A，负载消耗的功率是

无

课内试验项目操作分析单

班级__08电工07电子 ______姓名___ ____学号_______

一、仪器设备：

模电实验箱、双踪示波器、函数信号发生器、万用表、串联稳压集成稳压实验板、各种类型二极管若干

二、注意事项：

1、万用表档位的正确选择和使用。 2、双踪示波器外接触头在电路中正确连接。 3、接线正确后才能通电测试。

三、试验原理和电路图

项目一、半导体二极管特性的试验 (1)电路图

(2)操作步骤

①让每组学生按照图3－2进行接线

②观察电路中灯亮与灯灭时二极管所加的电压的情况，将结果填入表3－1 中。 (3)试验结果

无

项目二：二极管极性的识别和性能的判断

（1）试验内容 ①普通二极管

借助万用表的欧姆档作简单判别。

指针式万用表正端（+）红笔接表内电池的负极，而负端（—）黑笔接表内电池的正极。根据PN结正向导通电阻值小、反向截止电阻值大的原理来简单确定二极管好坏和极性。 具体做法是：万用表欧姆档置“R×100”或“R×1K”处，将红、黑两表笔接触二极管两端，表头有一指示：将红、黑两表笔反过来再次接触二极管两端，表头又将有一指示。若两次指示的阻值相差很大，说明该二极管单向导电性好，并且阻值大（几百千欧以上）的那次红笔所接为二极

晶体二极管-电容十倍升压电路图

C1

L C2 C3 C4 C5

图 1 晶体二极管-电容十倍升压电路

该电路可作为臭氧产生器、助燃器等直流电压电路。

在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，可以把较低的交流电压，用耐压较低的整流二极管和电容器，“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍，分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。

图2是二倍压整流电路。电路由变压器B、两个

整流 二极管D1、D2及两个电容器C1、C2组成。其

工作原理如下：

e2正半周（上正下负）时，二极管D1导通，D2

截止，电流经过D1对C1充电，将电容Cl上的电压

充到接近e2的峰值，并基本保持不变。e2为图

2 L C1 负半周（上负下正）时，二极管D2导通，Dl截止。

此时，Cl上的电压Uc1＝与电源电压e2串联相加，电流经D2对电容C2充电，

。如此反复充电，C2上的电压就基本上充电电压Uc2＝e2峰值＋1．2E2≈

是了。它的值是变压器电级电压的二倍，所以叫做二倍压整流电路。

在实际电路中，负载上的电压Usc=2X1.2E2 。整流二极管D1和D2所承受的最高反向电压均为。电容器上的直流电压Uc1=，Uc2=。可以据此设计电路和选择元件。

在二

半导体二极管及其基本电路

基本要求

正确理解：PN结的形成及单向导电性

? 熟练掌握：普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数 ? 能够查阅电子器件相关手册

?

难点重点 1．ＰＮ结的形成

（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的ＰＮ结。

图（1）浓度差使载流子发生扩散运动

（2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。

（3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。

图（2）内电场形成

1

（4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：

半导体二极管及其基本电路

基本要求

正确理解：PN结的形成及单向导电性

? 熟练掌握：普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数 ? 能够查阅电子器件相关手册

?

难点重点 1．ＰＮ结的形成

（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的ＰＮ结。

图（1）浓度差使载流子发生扩散运动

（2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。

（3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。

图（2）内电场形成

1

（4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：

下篇

电子技术二极管及整流电路 三极管及放大电路 晶闸管及其应用 集成运算放大器

半导体二极管及整流电路

半 导 体导电能力介于导体和绝缘体之间。 导电能力介于导体和绝缘体之间。

硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。 硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。 纯净半导体导电能力不强，加入杂质后， 纯净半导体导电能力不强，加入杂质后，导电能力 增强。利用该特性，制成半导体二极管、三极管、 增强。利用该特性，制成半导体二极管、三极管、 晶闸管等。 晶闸管等。

PN结 结N型半导体 型半导体

半导体P型半导体 型半导体 通过一定的工艺，使半导体一部分是 型 通过一定的工艺，使半导体一部分是P型， 一部分N型 则中间交接面形成PN结 一部分 型，则中间交接面形成 结。PN结 结 P N

实验

PN结的单向导电性 结的单向导电性

PI

N

P RI≈ 0

N

+

+

R

PN结正向偏置时，导通电流大，电阻小，称导通 结正向偏置时，导通电流大，电阻小， 结正向偏置时 PN结反向偏置时，导通电流小，电阻大，称截止 结反向偏置时，导通电流小，电阻大， 结反向偏置时

二极管由PN结加上引出线和壳体构成， 二极管由 结加上引出线和壳体构成， 结加上引出线和壳体构成 P极引出线称正极，

晶体二极管和二极管整流电路

姓名： 一、填空

1、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V后，二极 管开始导通，这个电压称为 电压。正常 导通后，此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时，即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。

6、用