晶体二极管及整流电路试题和答案

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晶体二极管及应用电路测试题

标签:文库时间:2025-03-16
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晶体二极管及应用电路测试题

一.选择题(60分)

1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V,则电流的大小将是___。

A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA

2.图1.1.1中,设电路中V1=5保持不变,当温度为20°C时,测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时, 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V

3.如图1.1.2所示的电路中,已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA

4.上题中,若电源电压保持5V不变,温度由20°C下降到10°C时,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;

5.如图1.1.3所示电路中,D1-D3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡功率相同,其中最暗的灯是___。

A、B B、C C、A

6.如图1.1.4所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于

晶体二极管及应用电路测试题

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晶体二极管及应用电路测试题

一.选择题(60分)

1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V,则电流的大小将是___。

A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA

2.图1.1.1中,设电路中V1=5保持不变,当温度为20°C时,测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时, 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V

3.如图1.1.2所示的电路中,已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA

4.上题中,若电源电压保持5V不变,温度由20°C下降到10°C时,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;

5.如图1.1.3所示电路中,D1-D3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡功率相同,其中最暗的灯是___。

A、B B、C C、A

6.如图1.1.4所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于

第一章 二极管及整流电路

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二极管及整流电路

2010级电子⑤班单元测试考试卷

(满分100分 时间60分钟)

一、判断题(9分、每题1分)

1.用万用表测量二极管正反向电阻相同,说明二极管正常。 ( )

2.温度对半导体材料有重要影响,温度越高,则半导体中载流子越少。 ( )

3.电容滤波电路中,电容容量越大,负载阻值越大,则滤波效果越好。 ( )

4.杂质半导体中,多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少子的浓度主要取决于温度。( )

5.整体来看,不管是N型半导体,还是P型半导体都是电中性的。 ( )

6.Is是指室温条件下的反向漏电流,温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。( )

7.通常锗二极管PN结温度达到150℃,硅管达到90℃以上时,会因反向电流过大造成热击穿。( )

8.桥式整流电路中,若有一只整流二极管接反,则电路可当成半波整流电路处理。 ( )

二、填空题(21分、每空1分)

1.二极管的重要特性是二极管和

2.PN结加一定的正向电压时,反偏时。

3.若变压器次级输出电压为15V,经桥式整流后,电压为500欧姆,则流过负载电阻的电流为 A,负载消耗的功率是

第一章 二极管及整流电路

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二极管及整流电路

2010级电子⑤班单元测试考试卷

(满分100分 时间60分钟)

一、判断题(9分、每题1分)

1.用万用表测量二极管正反向电阻相同,说明二极管正常。 ( )

2.温度对半导体材料有重要影响,温度越高,则半导体中载流子越少。 ( )

3.电容滤波电路中,电容容量越大,负载阻值越大,则滤波效果越好。 ( )

4.杂质半导体中,多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少子的浓度主要取决于温度。( )

5.整体来看,不管是N型半导体,还是P型半导体都是电中性的。 ( )

6.Is是指室温条件下的反向漏电流,温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。( )

7.通常锗二极管PN结温度达到150℃,硅管达到90℃以上时,会因反向电流过大造成热击穿。( )

8.桥式整流电路中,若有一只整流二极管接反,则电路可当成半波整流电路处理。 ( )

二、填空题(21分、每空1分)

1.二极管的重要特性是二极管和

2.PN结加一定的正向电压时,反偏时。

3.若变压器次级输出电压为15V,经桥式整流后,电压为500欧姆,则流过负载电阻的电流为 A,负载消耗的功率是

1半导体二极管及单相半波整流、滤波电路

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课内试验项目操作分析单

班级__08电工07电子 ______姓名___ ____学号_______

一、仪器设备:

模电实验箱、双踪示波器、函数信号发生器、万用表、串联稳压集成稳压实验板、各种类型二极管若干

二、注意事项:

1、万用表档位的正确选择和使用。 2、双踪示波器外接触头在电路中正确连接。 3、接线正确后才能通电测试。

三、试验原理和电路图

项目一、半导体二极管特性的试验 (1)电路图

(2)操作步骤

①让每组学生按照图3-2进行接线

②观察电路中灯亮与灯灭时二极管所加的电压的情况,将结果填入表3-1 中。 (3)试验结果

项目二:二极管极性的识别和性能的判断

(1)试验内容 ①普通二极管

借助万用表的欧姆档作简单判别。

指针式万用表正端(+)红笔接表内电池的负极,而负端(—)黑笔接表内电池的正极。根据PN结正向导通电阻值小、反向截止电阻值大的原理来简单确定二极管好坏和极性。 具体做法是:万用表欧姆档置“R×100”或“R×1K”处,将红、黑两表笔接触二极管两端,表头有一指示:将红、黑两表笔反过来再次接触二极管两端,表头又将有一指示。若两次指示的阻值相差很大,说明该二极管单向导电性好,并且阻值大(几百千欧以上)的那次红笔所接为二极

晶体二极管-电容十倍升压电路图

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晶体二极管-电容十倍升压电路图

C1

L C2 C3 C4 C5

图 1 晶体二极管-电容十倍升压电路

该电路可作为臭氧产生器、助燃器等直流电压电路。

在一些需用高电压、小电流的地方,常常使用倍压整流电路。倍压整流,可以把较低的交流电压,用耐压较低的整流二极管和电容器,“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍,分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。

图2是二倍压整流电路。电路由变压器B、两个

整流 二极管D1、D2及两个电容器C1、C2组成。其

工作原理如下:

e2正半周(上正下负)时,二极管D1导通,D2

截止,电流经过D1对C1充电,将电容Cl上的电压

充到接近e2的峰值,并基本保持不变。e2为图

2 L C1 负半周(上负下正)时,二极管D2导通,Dl截止。

此时,Cl上的电压Uc1=与电源电压e2串联相加,电流经D2对电容C2充电,

。如此反复充电,C2上的电压就基本上充电电压Uc2=e2峰值+1.2E2≈

是了。它的值是变压器电级电压的二倍,所以叫做二倍压整流电路。

在实际电路中,负载上的电压Usc=2X1.2E2 。整流二极管D1和D2所承受的最高反向电压均为。电容器上的直流电压Uc1=,Uc2=。可以据此设计电路和选择元件。

在二

半导体二极管及其基本电路

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半导体二极管及其基本电路

基本要求

正确理解:PN结的形成及单向导电性

? 熟练掌握:普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数 ? 能够查阅电子器件相关手册

?

难点重点 1.PN结的形成

(1)当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷,它们集中在P区和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,这就是我们所说的PN结。

图(1)浓度差使载流子发生扩散运动

(2)在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗殆尽了,因此,空间电荷区又称为耗尽层。

(3)P区一侧呈现负电荷,N区一侧呈现正电荷,因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的电场,由于这个电场是载流子扩散运动形成的,而不是外加电压形成的,故称为内电场。

图(2)内电场形成

1

(4)内电场是由多子的扩散运动引起的,伴随着它的建立将带来两种影响:

半导体二极管及其基本电路

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半导体二极管及其基本电路

基本要求

正确理解:PN结的形成及单向导电性

? 熟练掌握:普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数 ? 能够查阅电子器件相关手册

?

难点重点 1.PN结的形成

(1)当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷,它们集中在P区和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,这就是我们所说的PN结。

图(1)浓度差使载流子发生扩散运动

(2)在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗殆尽了,因此,空间电荷区又称为耗尽层。

(3)P区一侧呈现负电荷,N区一侧呈现正电荷,因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的电场,由于这个电场是载流子扩散运动形成的,而不是外加电压形成的,故称为内电场。

图(2)内电场形成

1

(4)内电场是由多子的扩散运动引起的,伴随着它的建立将带来两种影响:

电工学讲义7-二极管稳压管及整流滤波稳压电路

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下篇

电子技术二极管及整流电路 三极管及放大电路 晶闸管及其应用 集成运算放大器

半导体二极管及整流电路

半 导 体导电能力介于导体和绝缘体之间。 导电能力介于导体和绝缘体之间。

硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。 硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。 纯净半导体导电能力不强,加入杂质后, 纯净半导体导电能力不强,加入杂质后,导电能力 增强。利用该特性,制成半导体二极管、三极管、 增强。利用该特性,制成半导体二极管、三极管、 晶闸管等。 晶闸管等。

PN结 结N型半导体 型半导体

半导体P型半导体 型半导体 通过一定的工艺,使半导体一部分是 型 通过一定的工艺,使半导体一部分是P型, 一部分N型 则中间交接面形成PN结 一部分 型,则中间交接面形成 结。PN结 结 P N

实验

PN结的单向导电性 结的单向导电性

PI

N

P RI≈ 0

N

+

+

R

PN结正向偏置时,导通电流大,电阻小,称导通 结正向偏置时,导通电流大,电阻小, 结正向偏置时 PN结反向偏置时,导通电流小,电阻大,称截止 结反向偏置时,导通电流小,电阻大, 结反向偏置时

二极管由PN结加上引出线和壳体构成, 二极管由 结加上引出线和壳体构成, 结加上引出线和壳体构成 P极引出线称正极,

二极管试题

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晶体二极管和二极管整流电路

姓名: 一、填空

1、如图,这是 材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V后,二极 管开始导通,这个电压称为 电压。正常 导通后,此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时,即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系,当正向电压超过 ___后,

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ,具体指:给二极管加 电压,二极管导通;给二极管加 电压,二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ,二极管的主要特性是 。

6、用