模拟电子技术期末考试卷及答案

电力电子技术期末考试卷的答案详细,有具体步骤。

2009—2010学年第一学期期末考试卷

课程名称 电力电子技术 试卷编号 A 考试方式 闭卷 满分分值 100分 考试时间 120分钟

1. 将直流电变为交流电称为逆变。当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时， 称为 ；当交流侧直接和负载相连时，称为 。 2. PWM逆变电路根据直流侧电源性质的不同，也可分为 和 两种。目前实际应用的PWM逆变电路几乎都是 电路。

3. 三相桥式全控整流电路，若整流变压器副边电压u2 tV,带反电动

势阻感负载， 30，则整流输出平均电压Ud= 。

4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件

分为以下三类： 、 和 。

5．电力半导体器件由于承受过电压、过电流的能力太差，所以其控制电路必须

设有 和 保护电路。

6. 晶闸管导通的条

2009—2010学年第一学期期末考试卷

课程名称 电力电子技术 试卷编号 A 考试方式 闭卷 满分分值 100分 考试时间 120分钟

题 号 得 分 得 分 评卷人 一 二 三 四 五 总 分

一、 填空题（每空1分，共26分） 1. 将直流电变为交流电称为逆变。当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时， 称为 ；当交流侧直接和负载相连时，称为 。 2. PWM逆变电路根据直流侧电源性质的不同，也可分为 和 两种。目前实际应用的PWM逆变电路几乎都是 电路。

3. 三相桥式全控整流电路，若整流变压器副边电压u2?1002sin?tV,带反电动

0 势阻感负载，??30，则整流输出平均电压Ud= 。

4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件

分为以下三类： 、 和 。

5．电力半

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

.

. 数字电子技术基础试题（一）

一、填空题 : （每空1分，共10分）

1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。

2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。

3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。

4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。

5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。

6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。

二、选择题：

(选择一个正确的答案填入括号内，每题

3分，共30分 )

1.设图1中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。

图 1

2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。

A、或非门

B、与非门

.

C、异或门

D、OC门

3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。

A、通过大电阻接地（>1.5KΩ）

B、悬空

C、通过小电阻接地（<1KΩ）

D、通过电阻接V CC

4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。

A、施密特触发器

B、多谐振荡器

C、单稳态触发器

D、T触发器

5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。图2

A、计数器

B、寄存器

C、译码器

D、触发器

6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。图2

A、并行A

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭 卷)

题号 得分 评卷 一 40 二 10 三 10 四 10 五 15 六 15 七 八 总分 100 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的 ，分别用小写字母 表示。 装 订 线 2、数字电路中只有 和 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__ ___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___ __线。 4、(1011)2 = ( )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_ ____元件，电阻是__ ____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫 。 7、正弦交流电的三要素是 、 和 。 8、实际电压源总有内

( 密 封 线 内 不 答 题 ) …………………………………………………密………………………………………………封………………………………………线………………………………深圳大学期末考试试卷

开/闭卷 课程编号 命题人(签字) 审题人(签字) 年 月 日 题号 得分 评卷人 闭卷

2213990901~8

A/B卷

课程名称

模拟电路

A 3-1

学分

学院 专业 姓名 学号 座号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 基本题总分 附加题 一、 简答题（20分）

1、设晶体三极管在信号周期T内的导电时间为t，试写出甲类、乙类和甲乙类三种功放电路的t与T的关系。

2、直流电源通常由哪几部分组成，并说明各部分的作用。

3、放大电路的电压放大倍数增益的模值在高频段和低频段分别产生什么变化？各由何种电容影响？

4、为什么场效应管称为单极性

2007—2008学年度第1学期模拟考试试卷（C卷）

开课学院：理学院 课程名称：光电子技术 考试形式：闭卷 所需时间：120分钟

题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总 分 得分 评卷人 注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线；

2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线； 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。

一、填空题（50分，每小题5分）

1、光是一种以光速运动的光子流，光子和其它基本粒子一样，具有 、 和质量；其静止质量为 。 。 2、激光与普通光源相比具有如下明显的特点： 。 3、光波在大气中传播时，由于 会引起光束的能量衰减；由于

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题

一、填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止），所以PN结具有（ 单向 ）

导电性。

2、漂移电流是（ 温度 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温

度 ）有关，而与外加电压（无关 ）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为（ 无穷 ），等效成断开；

4、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏 ），集电结（ 反偏 ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ 变小 ），发射结压降（ 不变 ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 共基 ）、（ 共射 ）、（ 共集 ）

放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ 电压并联）负反馈，为了稳

定交流输出电流采用（ 串联 ）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F） ），对于深度负反馈放大电路

的放大倍数AF=（ 1/ F ）。

1

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、