强一半导体

半导体物理习题

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习题一 2011年9月21日 1，指出下述各种结构是不是布拉伐格子，如是，请给出三个原基矢量；如不是，请找出相应的布拉伐格子和尽可能小的基元。 (1) 底心立方(在立方单胞水平表面的中心有附加点的简立方)； (2) 侧面心立方 (在立方单胞垂直表面的中心有附加点的简立方) 2, 画出面心立方、体心立方和金刚石三种晶体结构的原子排列在立方体底面上的投影图，并用数字标出原子位置高出该平面的距离。 3，由 A，B 两种化学元素的原子组成二维晶体，其原子排列如图所示： a b (1) 画出布拉伐格子； (2) 画出单胞和原胞，并指出在每个单胞和原胞中包含的格点数和原子数。 4，在图示二维布拉伐格子中，以格点O为原点，任意选取两组原基矢量，写出格点A和B的晶格矢量。 o RA RB 5，晶格中每个格点上有一个原子，一组原基矢量为 a1?aia2?aia3?12ai?j?k??其中 i、j、k 分别是直角坐标系 X，Y，Z 方向上的单位矢量。试回答： (1) 这种晶体是哪种布拉伐

篇一：100个灯谜

猜一字 1.不怕火（打一字）

镇

2.写下面（打一字）

与

3.陈玉成（打一字）

瑛

4.旱天雷（打一字）

田

5.热处理（打一字）

煺

6.不要走（打一字）

还

7.半导体（打一字）

付

8.关帝庙（打一字）

扇

9.好读书（打一字）

敞

10.雁双飞（打一字）

从

11.单人床（打一字）

庥

12.神农架（打一字）

枢

13.抽水泵（打一字）

石

14.画中人（打一字）

佃

15.绊脚石（打一字）

跖

16.高尔基（打一字）

尚

17.羚羊散（打一字）

令

18.未及格（打一字）

咩

19.黑狗（打一字）

默

20.狗脾气（打一字）

狄

21.守株待兔（打一字）

柳

22.西安相聚之日（打一字）

晒

23.一直真心相对（打一字）

非

24.对方进了一球（打一字）

哼

25.孤峦叠嶂层云散（打一字）

崛

26.江西如今变了样（打一字）

冷

27.后村闺中听风声（打一字）

封

28.送走观音使不得（打一字）

篇二：谜语及答案

1、拜年(打一作家名)。 贺敬之

2、除夕守岁数钟声(打一商业用语)。 年终盘点

3、年终岁尾，不缺鱼米(打一字)。 鳞

4、除夕夜守岁(打一歇后语)。 辞旧迎新

5、初一(打一成语)。 日新月异

6、一夜有喜(电影名)。 元宵乐

7、元旦元宵捷报频传(打一成语)。 节节胜利

8、清明前夜(节日纪念日)。 元宵

9、园外隐约闻猿

初试科目：半导体物理学

参考书：半导体物理学 顾祖毅 田立林 富力文 电子工业出版社 考试大纲：

第一章 半导体的晶格结构和缺陷 1 半导体的基本特性 2 常见半导体材料

3 主要半导体器件及其可选用的材料 4 常见半导体的结构类型 5 名词解释

化学键 共价键 离子键 分子键 金属键 晶格缺陷 间隙式杂质 代位式杂质 反晶格缺陷 层错 扩散系数 晶粒间界 第二章 半导体中的电子状态

1 在周期性势场中，电子薛定谔方程的解为布洛赫函数，即波函数：

?1(r)?uk(r)eik?r

uk(r)?uk(r?an)

布洛赫函数不是单色平面波。K为波矢，描述电子共有化运动。平面波因子e表明晶体中不再是局域化的，扩展到整个晶体之中，反映了电子的共有化运动。uk(r)反映了周期性势场对电子运动的影响，说明晶体中电子在原胞中不同位置上出现的几率不同。uk(r)的周期性说明晶体中不同原胞的各等价位置上出现的几率相同。

2 电子在周期场中运动的量子力学处理有几种近似的方法？试简述之。

（1）近自由电子近似 （2）紧束缚近似

3 由于共有化运动，晶体中电子可以看成是整个晶体共有的，因此孤立原子的能

篇一：谜语及答案

猜字谜语大全及答案

走出深闺人结识——佳

一流水准 ——淮

拱猪入门——阂

皇帝新衣——袭

七十二小时——晶

需要一半,留下一半——雷

一口咬住多半截——名

一月一日非今天——明

要一半,扔一半——奶

半部春秋——秦

一来再来——冉

半青半紫——素

一勾弯月伴三星——心

千里挑一,百里挑一——伯

早不说晚不说（打一字）——许

半导体（打一字）——付

熙熙攘攘（打一字）——侈

祝福（打一字）——诘

池塘亮底（打一字）——汗

刃（打一字）——召

武（打一字）——斐

书签（打一字）——颊

半耕半读（打一字）——讲

弹丸之地（打一字）——尘

凤头虎尾（打一字）——几

抽水泵（打一字）——石

另有变动（打一字）——加

一人在内（打一字）谜底：:肉

一口吃掉牛尾巴（打一字）谜底：:告 一大二小（打一字）谜底：:奈

一字十三点,难在如何点（打一字）谜底：:汁一个礼拜（打一字）谜底：:旨

九十九（打一字）谜底：:白

二八佳人（打一字）谜底：:妙

二小姐（打一字）谜底：:姿

人不在其位（打一字）谜底：:立

人无寸铁（打一字）谜底：:控

字谜:床前明月光（打一字）——旷

一路平安（中国城市名）谜底：旅顺

风平浪静（中国城市名）谜底：宁波

日近黄昏（中国城市名）谜底：洛阳

八月飘香香满园（中国城市名）谜底：桂林

1

夸夸其谈（中

发光材料的发展及研究

庞雪

（贵州大学 大数据与信息工程学院）

摘要： 发光材料是光电信息功能材料领域的研究热点之一。本文着重是关于现有的纳米发光材料、小分子有机电致发光材料、树枝状有机电致发光材料、芴类电致发光材料的发展与研究情况。介绍了国内外在研究发光材料方面所取得的一些最新进展,并对一些有待进一步研究的问题做了展望。 关键词： 发光材料

Abstract： The development of luminescent materials is one of the forefronts and hot areas of the optoelectronic information materials. This paper is about the existing

luminescence

surface

modification,

organic

small

molecular

electroluminescent materials, dendrimers electroluminescent materials, fluorene-based electroluminescent materials develop

篇一：谜语及答案

1、拜年(打一作家名)。 贺敬之

2、除夕守岁数钟声(打一商业用语)。 年终盘点

3、年终岁尾，不缺鱼米(打一字)。 鳞

4、除夕夜守岁(打一歇后语)。 辞旧迎新

5、初一(打一成语)。 日新月异

6、一夜有喜(电影名)。 元宵乐

7、元旦元宵捷报频传(打一成语)。 节节胜利

8、清明前夜(节日纪念日)。 元宵

9、园外隐约闻猿啼，星月小桥听萧声(节日纪念日)。 元宵

10、十五花灯艳，万人期中彩(金融词语)。 元宵奖储蓄

11、家家迎元宵(学校用语)。 第二节

12、一夜鱼龙舞(民俗风俗词语)。 元宵灯会

13、好歹倒置令心怯(常言俗语)。 元宵佳节

14、元宵之夜遇徐娘。(《射雕英雄传》人物)。 胖妇人

15、白糖梅子真稀奇(打一食物)。 元宵

16、新春佳节话元宵(报刊名)。 半月谈

17、元宵节开社员大会(部门单位场所)。 方正集团

18、赶制元宵闲不住(常言俗语)。 忙得团团转

19、元宵出门赏灯(常言俗语)。 外行看热闹

20、婚期定在元宵后(成语)。 喜出望外

21、煤球和元宵一样(成语)。 混淆黑白

22、元宵(成语)。 一朝一夕

23、举杯邀明月(打一礼貌用语)。 赏光

24、元宵节后捷报多(成语)。 喜出望外

25、元宵同返家(成语)。 众望所归

26、元

1. （ D ）下面关于有效质量的叙述错误的是 。 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用

B. 有效质量直接把外力f和电子的加速度联系起来

C. 有效质量的引入使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用

D. 不是所有的有效质量都可以直接由实验测定

2. （ D ）对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而 。 A. 上升 B. 下降 C. 不变

D. 经过一极值后趋近Ei

3. （ C ）一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的 。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2 4. （ A ）不是深杂质能级特点的是 。 A. 杂质能级离带边较近 B. 多次电离（多重能级） C. 有可能成为两性杂质 D. ED，EA 可与Eg相比拟

5.（ B ）对于补偿的半导体材料，下列叙述正确的是 。 A.载流子浓度取决于杂质浓度较大者，载流子迁移率取决于电离杂质总浓度 B.载流子浓

太阳能电池培训手册(上)

第一章 太阳电池的工作原理和基本特性

1.1 半导体物理基础

1.1.1 半导体的性质

世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金、银、铜、铝、铅、锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃、橡胶、塑料、石英等等；导电性能介于这两者之间的物体称为半导体，主要有锗、硅、砷化镓、硫化镉等等。众所周知，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱离原子核的束缚，能够自由运动时，称为自由电子。金属之所以容易导电，是因为在金属体内有大量能够自由运动的电子，在电场的作用下，这些电子有规则地沿着电场的相反方向流动，形成了电流。自由电子的数量越多，或者它们在电场的作用下有规则流动的平均速度越高，电流就越大。电子流动运载的是电量，我们把这种运载电量的粒子，称为载流子。在常温下，绝缘体内仅有极少量的自由电子，因此对外不呈现导电性。半导体内有少量的自由电子，在一些特定条件下才能导电。

半导体可以是元素，如硅（Si）和锗（Ge），也可以是化合物，如硫化镉（OCLS）和砷化镓（GaAs），还可以是合金，如GaxAL1-xAs，其中x为0-1之间的任意数。许多有机化合物，如

半导体器件的检测和选用

(1)二极管的检测与选用 1)二极管的检测根据PN结的单向导电性原理，最简单的方法是用万用表测其正、反向电阻。用万用表红表笔接二极管负极、黑袁笔接二极管正极，测得的是正向电阻，将红、黑表笔对调，测得的是反向电阻。 正向电阻测量：小功率锗管的正向电阻一般为lOOfl～lkC/,之间，硅管的正向电阻一般为几百欧到几千欧之间。 反向电阻测量：锗管和硅管的反向电阻一般都在几百千欧以上，且硅管比锗管大。 根据二极管的单向导电性，即二极管的正向电阻小，反向电阻大的特性，可以通过测量的方法确定二极管的正、负极。 由于二极管的伏安特性的非线性，测量时用不同的欧姆挡或灵敏度不同的万用表，所得的数据不同。测量时，对于小功率二极管，通常可选用万用表R×100或R×lk挡；对于中、大功率二极管通常应选用万用表R×1。或R×10挡。 如果测得正向电阻为无穷大，说明二极管内部断线，如果反向电阻值近似为零，说明管子内部短路（击穿），如果测得正反向电阻相差不多，说明管子性能差或失效。以上三种情况的二极管皆不能使用。 实际使用中应注意，硅管和锗管不能替换。同类型管子可以代替，其原则是，对于检波管，只要工作频率高于原来的管子就可代换；对于整流管，只要反向

第八章 金属/半导体接触和MESFET

自从Lilienfeld和Heil在1930年提出场效应晶体管（FET）的概念起，直到20世纪50年代半导体材料工艺发展到一定水平后才做出了可以实际工作的器件。所谓场效应就是利用电场来调制材料的电导能力，从而实现器件功能。除了前面讨论过的MOS、MNOS、MAOS、MFS等都属于场效应器件外,还发展了结型场效应管(J-FET), 肖特基势垒栅场效应管（MES FET）等。本章从金属与半导体接触出发，讨论MES FET的结构和工作原理。

8.1. 肖特基势垒和欧姆接触 8.1.1. 肖特基势垒

当金属和半导体接触时，由于金属的功函数与半导体的功函数不同，在接触的界面处存在接触电势差，就会形成势垒，通常称为肖特基势垒。下面以金属与n型半导体接触为例来讨论肖特基势垒的特性。

(1) 理想情况：假定接触处的半导体表面不存在表面态，图8.1(a)是金属与半导体接触前的能带图(非平衡条件下，其中qφm和qφ

S

分别为金属和半导体的功

1

图8.1

函数，qχ为半导体的电子亲和（势）能。功函数定义为将一个电子从Fermi能级移到材料外面（真空能级）所需要的能量，电子亲和能是将一个电子从导带底移到真空能