模拟电子技术基础期末总结

填空题

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。

3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。

9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半

模拟电子技术基础

一、基础题

1、在图中，RF反馈电路引入的是：

RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A

2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 答案×

3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素，就是P型半导体。

答案√

4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×

5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动，也要考虑少子的运动； 答案√

6、二极管的伏安特性上有一个死区电压，这个电压的大小与半导体的材料有关； 答案√

7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体，所以发射极和集电极可以调换使用； 答案×

8、晶体管是电流控制元件； 答案√

9、发光二极管（LED）发光时一定是正向导通的； 答案√

10、将PN结的N区接电源的正极，P区接电源的负极，则为PN结的_______偏置。 答案：反向。

11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体；用得最多的半导体材料就是_______和_______； 答案：晶体；硅；锗；

12、二极管具有_______导电性；稳压二极管是一种特殊的二极管，它一般工作在____

注意掌握基本概念、电子电路的基本原理、分析问题的方法

1. 电路——由若干电气设备和元件按一定方式组合在一起所构成的电流通路。 2. 电流——单位时间内通过导体截面的电荷，用i 表示，i?dq dt3. 电压——电场力将单位电荷从a点移动到b点所作的功，用u表示，u?4. 功率——能量对时间的微分，p?dwdwdq???u?i dtdqdtttdw dq5. 能量——功率对时间的积分，w(t)?w(t0)??p(t)dt??uidt

t0t06. 如果在任一时间段，元件吸收的能量始终大于等于0，这类元件称为无源元件。 7. 结点(节点) ——三个或三个以上的分支连接的点；

支路——两个结点之间通过同一个电流的分支； 回路——由若干支路构成的闭合路径； 网孔(网眼)——内部无其它支路跨接的回路

8. 基尔霍夫电流定律(KCL)：在任一时刻流入某节点的电流之和等于流出该节点的电流之和。

广义KCL：在任一时刻流入某闭合曲面(广义节点）的电流之和等于流出该闭合曲面的电流之和。

9. 基尔霍夫电压定律(KVL)：在任一时刻，沿任一闭合回路的绕行方向，回路中电压降之和等于电压升之和。 10. 无源元件的特性：

R?dudqdiUI1QN??d??CC

模拟电子技术基础

实验一 常用电子仪器的使用

一、实验目的

1．学习和掌握示波器、低频信号发生器、交流毫伏表、稳压源、万用表的正确使用方法。 2．用示波器测量交流信号的有效值和频率。 二、实验设备和器件 1．双踪示波器

2．低频信号发生器 3．直流稳压源

4．交流毫伏表、万用表 三、实验说明

1．实验前应仔细查阅实验所用仪器的使用说明书，了解仪器面板上各旋钮的功能。 2．示波器常用于观察波形，测量信号的频率、幅度等参数。

（1）示波器有单踪、双踪两类显示方式。单踪显示包括YA、YB、YA +YB，双踪显示包括交替和断续，共计五种显示方式。在做双踪显示时如果信号频率较低，易采用断续方式，以便在一次扫描中同时显示两个波形，通常情况下常采用交替方式显示。 （2）开机后可通过寻迹按钮快速找到扫描光点，然后通过水平和垂直调节旋钮将光点置中。 （3）调节波形显示时，以下几个控制开关和按钮有助于稳定波形。 扫描速率开关（旋钮）：根据被测信号频率大小选择合适的位置。 灵敏度开关（旋钮）：根据被测信号幅度大小选择合适的位置。 触发源选择开关：通常为内触发。

触发方式开关：为便于找到波形通常置于自动位置，当波形稳定情况较差时，可置于常态位置，通过调节触发电平旋钮，在示波器上调

《模拟电子技术基础》教案

1、本课程教学目的：

本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。

2、本课程教学要求：

1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。

2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。

3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。

4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材：

童诗白编，《模拟电子技术

《电子技术基础》考试模拟样卷

《电子技术基础》模拟试题一

一、选择题（每空2分 共30分）

1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电

压（ ）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电

阻为（ ），等效成断开；

4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用

（ ）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=

（ ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ）， （ ）称为反馈深度。

11、

成都理工大学

《模拟电子技术基础》重考试卷

大题 得分 一 二 三 四 五 总 分

一、 选择填空（本大题共13小题，每小题2分，共26分） 1、处于反向偏置时，PN结的耗尽层（ ）。

（a）变宽 （b）变窄 （c）不变

2、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。

(a)正、反向电阻相等 (b)正向电阻大，反向电阻小 (c)反向电阻比正向电阻大很多倍 (d)正、反向电阻都等于无穷大

3、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、0.7V和4.7V，则该管为（ ）。

(a)NPN型锗管 (b)PNP型锗管 (c)NPN型硅管 (d)PNP型硅管

4、电路如图所示，静态时晶体管处于（ ）。

RC

(a)饱和状态 (b)放大状态 (c)截止状态

?T

RB5、整流滤波电路中，电容C不变，负载电阻RL愈小，则

输出电压平均值UO应（ ）。

(a)不变 (b)愈

实验一 常用电子仪器的使用

一、实验目的

1．学习和掌握示波器、低频信号发生器、交流毫伏表、稳压源、万用表的正确使用方法。 2．用示波器测量交流信号的有效值和频率。 二、实验设备和器件 1．双踪示波器 2．低频信号发生器 3．直流稳压源

4．交流毫伏表、万用表 三、实验说明

1．实验前应仔细查阅实验所用仪器的使用说明书，了解仪器面板上各旋钮的功能。 2．示波器常用于观察波形，测量信号的频率、幅度等参数。

（1）示波器有单踪、双踪两类显示方式。单踪显示包括YA、YB、YA +YB，双踪显示包括交替和断续，共计五种显示方式。在做双踪显示时如果信号频率较低，易采用断续方式，以便在一次扫描中同时显示两个波形，通常情况下常采用交替方式显示。 （2）开机后可通过寻迹按钮快速找到扫描光点，然后通过水平和垂直调节旋钮将光点置中。 （3）调节波形显示时，以下几个控制开关和按钮有助于稳定波形。 扫描速率开关（旋钮）：根据被测信号频率大小选择合适的位置。 灵敏度开关（旋钮）：根据被测信号幅度大小选择合适的位置。 触发源选择开关：通常为内触发。

触发方式开关：为便于找到波形通常置于自动位置，当波形稳定情况较差时，可置于常态位置，通过调节触发电平旋钮，在示波器上调出

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

第四章 集成运算放大电路

自 测 题

一、选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号

（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好

（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻

（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路

解：（1）C