vdmos工艺模拟

VDMOS工艺流程

VDMOSFET 的结构– 基本结构 n+ 衬底，漏极 D n- 外延层，漂移区 p 阱(又叫 p 基区 或体区) n+ 源区，源极 S 多晶硅栅，栅氧层， 栅极 G

– 整个器件的构成 前述结构实际只是器件的一个元胞，整个器件实际是 由很多这样的元胞并联而成的 剖面图

立体图

VDMOS与MOSFET的比较： 小信号 MOSFET(横向器件) 对应的 VDMOSFET(纵向器件)

CHANNEL

小信号 MOSFET5

VDMOS工艺流程1、原始硅片磨抛：原始硅片磨去40µm,抛 光80µmN+ <100> 535µm

2、清洗 ，并且用显微镜检查表面 3、外延生长N-: =20~30Ω· cm, d=45µ mNN+6

4、清洗 5、氧化： dox=6500±250Å 800℃-1000℃- 800℃ 6、一次版N-

N+

7、腐蚀，去胶，清洗 腐蚀：温度25℃

8、P+扩散 预扩：R□=80~100Ω/□ 700℃-940℃-700℃ 主扩：R□=150~180Ω/□ 800 ℃ -1150 ℃ -800 ℃

无菌原料药（BPCs）的工艺模拟 PDA第28份技术报告（2006年）

This document provides guidance relative to the validation of aseptic processing activities associated with the production of sterile bulk pharmaceutical chemicals. It draws upon the concepts and principles developed in PDA's and PhRMA's prior publications on aseptic processing technology (1, 2, 3). This effort expands upon those documents to provide assistance for individuals and firms producing sterile bulk pharmaceutical chemicals. Our goal in this revision was to update the document t

硫酸生产工艺流程的综述

前言

硫酸是一种重要的基本化工原料，广泛应用于各大工业领域。主要用于生产涂料、合成纤维、洗涤剂、制冷剂、化学肥料、饲料添加剂和石油的精炼、有色金属的冶炼，以及钢铁、医药和化学工业。随着社会的不断发展和人们生活水平的不断提高，硫酸在科学技术和人们日常生活中所发挥的作用也越来越大。硫酸跨领域、涉及性广等一系列特点对各个领域产生了重要的影响，而且各个领域对硫酸的重视也促进了硫酸自身的发展和硫酸工业的进步，因此，研究硫酸的生产工艺不仅可以提高硫酸的生产水平，还可以带动其他行业的发展。

1硫酸工业的现状及发展趋势

1.1国内硫酸发展现状及发展趋势

我国的硫酸工业起始于19世纪70年代，当时产量很少。早期的硫酸工业是与军工联系在一起的。最早建设的7个硫酸厂其中就有6个在军工厂内。抗日战争和解放战争时期，解放区的硫酸企业也是为军工服务的。

新中国建立后,硫酸工业获得了快速地发展。20世纪50年代以后逐步推广接触法，取代铅室法和塔式法,20世纪80年代以后全部采用接触法。根据1999年底的不完全统计,我国现有硫酸生产厂家632家,生产能力为32 500 kt/a。[1]1995年的产量为17.16Mt，仅次于美国，世界排名第二。

电子工艺考试题A2

（考试时间90分钟）

院（系） 专业 班 姓名： 座号： 考试日期： （请把一～三题你所选择的答案号码或符号填入答案表）

一．选择填空题：（在备选答案中选择正确的答案并填上该答案的号码。 共30分） 1．若要选用一个1.5KΩ，Ⅱ型的普通色环电阻，其色环表示为 。 a:：棕、绿、橙、银； b：棕、绿、红、银； c：棕、绿、红、金 2．用作滤波的电解电容器被击穿，其原因是 及 。 a：充电电流过大； b：负载太大； c：极性接反； d：正负极短路； e：虚焊; f：耐压不够

3．在桥式整流电路制作中若有一个二极管极性焊反，将会造成 。

a：变压器副边短路; b：整流输出为

微电子工艺学模拟试题

题号 题分 得分

一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”（本大题共10小题，每小题2分，共20分）

1. 在微电子器件制造过程中，通过在硅片的有源区引入一些缺陷，以此吸除表面附近的杂质和

缺陷的过程，称为吸杂，包括非本征吸杂和本征吸杂两种方式。（ ）

2. 双极型器件要求用（111）晶向单晶，MOS器件和GaAs器件则选用（100）晶向材料。（ ） 3. 在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，

处于线性氧化阶段。（ ）

4. 注入离子在非晶靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示，注入离子的剂量和能量越大，峰值

浓度越高。（ ）

5. 在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，

应该增大反应气体流量。（ ）

6. 溅射仅是离子对物体表面轰击时可能发生的四种物理过程之一，其中每种物理过程发生的几

率取决于入射离子的能量和剂量。（ ）

7. 外延生长过程中杂质的对流扩散效应，特别是高浓度一侧向异侧端的扩散，不仅使界面附近

浓度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变，且只有

铸造过程计算机辅助分析模拟综合实验题目：座体铸造工艺设计及其模拟优化

学院：机械工程学院

专业：材料成形及控制工程

班级：

姓名：

学号：

指导教师：

2014年3月10日

1 / 20

目录

第一章.零件简介 (2)

1.1 零件基本信息 (2)

1.2技术要求 (5)

第二章.基于UG零件的三维造型 (6)

2.1软件简介 (6)

2.2 零件的三维造型图 (6)

第三章.铸造工艺方案的拟定 (7)

3.1工艺方案的确定 (7)

3.2型（芯）砂配比 (7)

3.3混砂工艺 (8)

3.4 铸造用涂料、分型剂及胶补剂 (8)

3.5熔炼设备及熔炼工艺 (9)

3.6分型面的选择 (6)

3.7 砂箱大小及砂箱中铸件数目的确定 (7)

3.8铸造工艺参数的确定 (7)

第四章.砂芯设计及排气 (8)

4.1芯头的基本尺寸 (8)

4.2砂芯设计尺寸见下工艺图 (9)

第五章.浇注系统设计.................... 错误!未定义书签。

5.1浇注系统的类型及选择 ............... 错误!未定义书签。

5.2浇注位置的选择..................... 错误!未定义书签。

5.3浇注系统各部分尺寸的计算 ........... 错误!未定义书签。

5.4合金铸造性能分

模拟试题二

一、填空（每空0．5分 共20分）

1、按砂箱的特征可把造型方法分为_______、_______、_______等几种。 2、砂型铸造生产过程中最主要的三个步骤是_______、_______、_______。 3、影响充型能力的因素主要是合金的_________和铸型的________。 4、如果合金的流动性不足，会造成____________和____________铸造缺陷。

5、液态收缩阶段会产生________________和__________________两个主要铸造缺陷。 6、刀具磨损的三个阶段是____________、______________、________________。 7、自由锻镦粗工序对毛坯的尺寸的要求是__________________。 8、水压机锻造是锻制_________________的唯一锻造方法。

9、常用的自由锻基本工序有________________、_______________、______________等。 10、锤上模锻的模块上可设计若干个模膛，这些模膛按其作用，可分为_______________模膛和_______

铸造过程计算机辅助分析模拟综合实验题目：座体铸造工艺设计及其模拟优化

学院：机械工程学院

专业：材料成形及控制工程

班级：

姓名：

学号：

指导教师：

2014年3月10日

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目录

第一章.零件简介 (2)

1.1 零件基本信息 (2)

1.2技术要求 (5)

第二章.基于UG零件的三维造型 (6)

2.1软件简介 (6)

2.2 零件的三维造型图 (6)

第三章.铸造工艺方案的拟定 (7)

3.1工艺方案的确定 (7)

3.2型（芯）砂配比 (7)

3.3混砂工艺 (8)

3.4 铸造用涂料、分型剂及胶补剂 (8)

3.5熔炼设备及熔炼工艺 (9)

3.6分型面的选择 (6)

3.7 砂箱大小及砂箱中铸件数目的确定 (7)

3.8铸造工艺参数的确定 (7)

第四章.砂芯设计及排气 (8)

4.1芯头的基本尺寸 (8)

4.2砂芯设计尺寸见下工艺图 (9)

第五章.浇注系统设计.................... 错误!未定义书签。

5.1浇注系统的类型及选择 ............... 错误!未定义书签。

5.2浇注位置的选择..................... 错误!未定义书签。

5.3浇注系统各部分尺寸的计算 ........... 错误!未定义书签。

5.4合金铸造性能分

文件名称 文件编码 颁发部门 培养基模拟灌装（小容量注射剂）无菌生产工艺验证方案 品质管理部 页码数 执行日期 第1页/共20页

审 批 起草人 起草人 起草人 审核人 审核人 审核人 审核人 批准人

部门 品质管理部 生产技术部 针剂车间 针剂车间 生产技术部 质检中心 品质管理部 质量负责人 姓名 签名 日期 分发部门：

培养基模拟灌装（小容量注射剂）无菌生产工艺验证小组

文件名称 文件编码 颁发部门 培养基模拟灌装（小容量注射剂）无菌生产工艺验证方案 品质管理部 页码数 执行日期 第2页/共20页 一、概述

厂区无菌操作生产线，按2010版GMP及其附录要求进行设计，是专用于小容量注射剂非最终灭菌产品生产使用。

某某产品因无法进行F0≥8分钟湿热灭菌，以达到SAL≤10，但处方可以通过微生物滞留过滤

1.

2.

3.

4. 高聚物合成工艺学复习模拟题 一． 填空题 自由基聚合实施方法主要有（本体聚合），（乳液聚合），（悬浮聚合），（溶液聚合）。 根据聚合反应的操作方式，可分为（间歇聚合）与（连续聚合）两种方式。 工业三废处理是：（废气），（废水），（废渣）。 单体分子中所含有的反应性官能团数目（大于等于2）时，方可能经缩聚反应生成聚合

物；发生缩聚反应的单体所含反应性官能团的数目（全部为2）时，经缩聚反应生成的最终产物为（体型缩聚物）。

嵌段共聚物有：（二嵌段），（三嵌段），（多嵌段）。

将两种或两种以上聚合物进行共混的目地在于（取长补短）；决定共混聚合物性能的主要因素是两种聚合物之间的（混溶性），如果混溶性好，则形成（均相体系），混溶性不好则形成（非均相体系）。

（互穿网络聚合物）是两种交联结构的聚合物相互紧密结合，但两者之间不存在（化学键）的聚合物体系。

由聚乙烯醇合成聚乙烯醇缩醛，（缩甲醛纤维）为（维尼纶纤维）。 5. 6. 7. 8.

二． 简答题

1. 大型化的高分子合成生产，主要包括哪些生产过程？

答：（1）原料准备与精制过程（2）催化剂配制过程（3）聚合反应过程（4）分离过程（5）聚合物后处理过程（6）回收过程

2. 生产单体的原料路线有哪些？