半导体四大工艺流程

半导体制造工艺

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NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——

半导体制造工艺

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NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——

半导体制造工艺

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NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——

硅片生产工艺流程及注意要点

简介

硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。

工艺过程综述

硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。

表1.1 硅片加工过程步骤

1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查

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15. 金属清洗 16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运

切片（class 500k）

硅片加

第一章 概述

从20世纪后半叶开始电子技术的发展速度是令人膛目结舌的，许多传统由

机械技术支持的产品逐步改由电子技术来支持，例如数字CD播放机取代了磁带播放机，汽车发动机也由电子点火系统控制，电子计算机已深入到社会的各方面。所有这些电子产品都离不开半导体器件，目前微电子技术已进入甚大规模集成电路和系统集成时代，微电子技术已经成了整个信息时代的标志和基础。

1.1 半导体产业的发展

半导体制造技术很复杂,要求许多特殊工艺步骤、材料、设备以及供应产业。半导体产业发展的基础是真空管电子学、无线电通信、固体物理等理论。放大电子信号的三极真空管是由Lee De Forest于1906年发明的，三极管由三个部件构成，在一个抽空气体的玻璃容器中分别封入两个电极和一个栅极。为了使部件不被烧毁，同时还要保证电子能够在电极间传输，必须采用真空。 真空管被用于开发第一台电子计算机(ENIAC)，ENIAC重达50吨、占地3000平方英尺、需要19000只真空管，并且使用相当于160个灯塔的电量.ENIAC除了体积大之外，它的主要缺点是伴随着真空管出现的问题。真空管体积大、不可靠以及耗电量大。由于会烧毁，真空管寿命有限。为了迎合迅速发展的电子市场的需求来生

硅片生产工艺流程及注意要点

简介

硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。

工艺过程综述

硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。

表1.1 硅片加工过程步骤

1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查

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15. 金属清洗 16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运

切片（class 500k）

硅片加

统计“四大工程”以及它们的具体关系

“四大工程”实际上是指国家统计局从深化统计改革、推进统计事业的发展、提高统计数据质量、提高统计能力、提高政府统计公信力，推进统计工作的规范统一、改革创新和公开透明而采取的重要措施和重点推进的工作。

所谓“四大工程”包括：一是要建设一个真实完整、及时更新的统一的单位名录库；二是要建立统一规范、方便企业填报的企业统计报表制度；三是建设功能完善、统一兼容的统一数据采集处理软件系统；四是建立统一高效的统计联网直报系统。

这“四大工程”是国家统计局重点推进的几项重点工作。建设这四项工程是统计理念的重大革新，是统计流程的再造和升级，是统计数据生产方式的深刻变革，对于推进统计数据的采集、传输、汇总、加工等环节的科学化和规范化，提高统计数据的质量具有十分重要和现实的意义。

统计上的这“四大工程”是一个有机整体。分开来讲，基本单位名录库是基础，“企业一套表”改革是核心，统一的数据采集处理软件系统是平台，联网直报是手段。

这里讲到的“企业一套表”改革是“四大工程”的核心，是因为“企业一套表”改革的推行是一项覆盖国家、省、地（市）、县等各级统计机构和企业统计业务工作全流程的系统工程。从统计

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【海归就业】如何进四大实习？如何进四大工作？

题主目前大三，就读人大商学院会计专业。大学六级620分，托福107分。之前曾有半个月的某税务师事务所实习经历（暑假），另有半年海外学校交换经历和半年某咖啡厅打工经历，但gpa偏低，仅3.4（4.0为满）。9-11月间网申了四大会计师事务所的寒假实习项目，皆是通过各家的官网投递的。现在已是12月份，一直杳无音讯，没收到任何一家的笔试机会。但题主所在的学校的确有一些人已拿到四大实习offer，他们学分绩全在3.7（4.0为满）以上，这是否说明四大筛选实习生的时候以gpa为最重要的参考指标？但我在投递之前也了解过很多讯息，说四大对学校、英语成绩、实习经历什么的都很看重，为何连一次笔试机会都不给呢？诚心求教。

如今也即将跨入大四，未来规划上对于考内地的会计专硕、香港的授课型硕士还是直接参加工作一直犹豫不定，题主一直向往pwc，也想申请外企有关财务部门的工作岗位，但自申请四大失利以来，对拿到offer直接参加工作不敢再抱太大希望。现在感觉前景渺茫，必须快些下决定然后投入准备中去。能否恳请提供一些建议和意见？万分感谢。

半导体器件的检测和选用

(1)二极管的检测与选用 1)二极管的检测根据PN结的单向导电性原理，最简单的方法是用万用表测其正、反向电阻。用万用表红表笔接二极管负极、黑袁笔接二极管正极，测得的是正向电阻，将红、黑表笔对调，测得的是反向电阻。 正向电阻测量：小功率锗管的正向电阻一般为lOOfl～lkC/,之间，硅管的正向电阻一般为几百欧到几千欧之间。 反向电阻测量：锗管和硅管的反向电阻一般都在几百千欧以上，且硅管比锗管大。 根据二极管的单向导电性，即二极管的正向电阻小，反向电阻大的特性，可以通过测量的方法确定二极管的正、负极。 由于二极管的伏安特性的非线性，测量时用不同的欧姆挡或灵敏度不同的万用表，所得的数据不同。测量时，对于小功率二极管，通常可选用万用表R×100或R×lk挡；对于中、大功率二极管通常应选用万用表R×1。或R×10挡。 如果测得正向电阻为无穷大，说明二极管内部断线，如果反向电阻值近似为零，说明管子内部短路（击穿），如果测得正反向电阻相差不多，说明管子性能差或失效。以上三种情况的二极管皆不能使用。 实际使用中应注意，硅管和锗管不能替换。同类型管子可以代替，其原则是，对于检波管，只要工作频率高于原来的管子就可代换；对于整流管，只要反向

半导体制造工艺期中复习重点

第一章 绪论

1. 集成电路：通过一系列特定的平面制造工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电

容等无源元件，按照一定的的电路互连关系，“集成”在一块半导体单晶片上，并封装在一个保护壳内，能执行特定功能的复杂电子系统。（P1）

2. 半导体工艺实质：重复清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂和平坦

化。（P1）

3. 集成电路电阻的结构：金属膜电阻、掺杂的多晶硅电阻、杂质扩散到衬底的特定区域电

阻。（P3）

4. 集成电路的电容结构：（平面型电容）金属膜电容、掺杂的多晶硅电容、杂质扩散到衬

底的特定区域电容。（P4）

5. 半导体集成电路制造：硅片（晶圆）的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件的封

装。（P11）图1-20

6. 集成电路发展趋势：a提高芯片性能b提高芯片的可靠性c降低芯片的成本（P13） 7. 特征尺寸:l构成芯片的物理尺寸特征，也是电路的几何尺寸。硅片上的最小特征尺寸被

称为关键尺寸活CD。（CD代表了制造商制造水平的高低和制造能力的大小。P14） 8. 集成电路和各种半导体制造材料：硅、锗、砷化镓等单晶体（P14）

9. 一个给定的电阻率，N型掺杂的浓度地低于P型的浓度，是因为移动的一个电