单阱CMOS工艺不能制造

CMOS反相器的制造工

艺流程

院系：交通科学与工程学院 学号: 11131066 姓名 ： 姬勃

2013年12月9

日

摘 要：虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了 CMOS反相器的主要工

艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。 关 键 词： CMOS反相器 、工作原理、工艺流程

1.1 CMOS反相器 介绍

CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管 中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻 相对较低 1.1工作原理

两个MOS管的开启电压VGS(th)P<0， VGS(th)N >0，通常为了保证正常工作，要求VDD>|VGS(th)P|+V GS(th)N。若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。

综上所述，当vI为低电平时vo为高电平；vI为高电平时vo

为低电平，

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

CMOS制作基本步骤

CMOS的制作步骤是需要经过一系列的复杂的化学和物理操作最终形成集成电路。而做为一名集成电路版图（ic layout）工程师，对于这个在半导体制造技术中具有代表性的CMOS工艺流程有个系统的了解是有很大帮助的。个人认为只有了解了工艺的版工才会在IC Layout的绘制中考虑到你所画的版图对流片产生的影响。

芯片制造厂（Fab）大概分为：扩散区，光刻区，刻蚀区，离子注入区，薄膜区和抛光区。扩散是针对高温工艺，光刻利用光刻胶在硅处表面刻印，刻蚀将光刻胶的图形复制在硅片上，离子注入对硅片掺杂，薄膜区淀积介质层和金属层，抛光主要是平坦化硅片的上表面。

简化的CMOS工艺由14个生产步骤组成：（1）双阱注入在硅片上生成N阱和P阱。（2）浅槽隔离用于隔离硅有源区。（3）通过生长栅氧化层、淀积多晶硅和刻印得到栅结构。（4）LDD注入形成源漏区的浅注入。（5）制作侧墙在随后的源、漏注入当中保护沟道。（6）中等能量的源、漏注入，形成的结深大于LDD的注入深度。（7）金属接触形成硅化物接触将金属钨和硅紧密结合在一起。

（8）局部互连形成晶体管和触点间的第一层

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。 这是为什么？

CMOS电路的输入阻抗非常高,很容易受到干扰,所以必须将不用的输入端接地.

集成电路按晶体管的性质分为ＴＴＬ和ＣＭＯＳ两大类，ＴＴＬ以速度见长，ＣＭＯＳ以功

耗低而著称，其中ＣＭＯＳ电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制

作中使用ＣＭＯＳ集成电路时，除了认真阅读产品说明或有关资料，了解其引脚分布及极限

参数外，还应注意以下几个问题：

１、电源问题

（１）ＣＭＯＳ集成电路的工作电压一般在３－１８Ｖ，但当应用电路中有门电路的模拟 应用（如脉冲振荡、线性放大）时，最低电压则不应低于４．５Ｖ。由于ＣＭＯＳ集成电路

工作电压宽，故使用不稳压的电源电路ＣＭＯＳ集成电路也可以正常工作，但是工作在不同

电源电压的器件，其输出阻抗、工作速度和功耗是不相同的，在使用中一定要注意。

（２）ＣＭＯＳ集成电路的电源电压必须在规定范围内，不能超压，也不能反接。因为在制

造过程中，自然形成许多寄生二极管，如图１所示为反相器电路，在正常电压下，这些二极

管皆处于反偏，对逻辑功能无影响，但是由于这些寄生二极管的存在，一旦电源电压过高或

电压极性接反，就会使电路产生损坏。

２、驱动能

毕 业 设 计（论 文）

题 目：学 院：系 部：专 业：班 级：学生姓名：导师姓名：起止时间：掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级的影响

职称：

毕业设计（论文）诚信声明书

本人声明：本人所提交的毕业论文《掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级

的影响》是本人在指导教师指导下独立研究、写作的成果，论文中所引用他

人的文献、数据、图件、资料均已明确标注；对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式注明并表示感谢。

本人完全清楚本声明的法律后果，申请学位论文和资料若有不实之处，本人愿承担相应的法律责任。

论文作者签名： 时间： 年 月 日

指导教师签名： 时间： 年 月 日

目录

摘要 ...........................

毕 业 设 计（论 文）

题 目：学 院：系 部：专 业：班 级：学生姓名：导师姓名：起止时间：掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级的影响

职称：

毕业设计（论文）诚信声明书

本人声明：本人所提交的毕业论文《掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级

的影响》是本人在指导教师指导下独立研究、写作的成果，论文中所引用他

人的文献、数据、图件、资料均已明确标注；对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式注明并表示感谢。

本人完全清楚本声明的法律后果，申请学位论文和资料若有不实之处，本人愿承担相应的法律责任。

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指导教师签名： 时间： 年 月 日

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浙江上峰压力容器制造有限公司投标文件 SFR005-05-17

锅炉制造标准及制造工艺概况

（1） 执行标准

锅炉按国家有关标准进行设计、制造、检验。强度计算按GB/T 16508-1996及GB9222-88进行计算，安装验收标按GB50273-1998《工业锅炉安装工程施工及验收规范》，蒸汽锅炉受技监局版发《蒸汽锅炉安全技术监察规程》的监察，热水锅炉受技监局版发《热水锅炉安全技术监察规程》的监察。 （2）质量保证

本厂锅炉质保体系，以厂长为最高负责人。设立质保工程师为质保体系组织领导人，下设设计、工艺、材料、焊接、探伤、检验、设备、理化、车间质量控制等负责人。各质控负责人按《蒸规》要求，全部由工程师职称以上人员分别担任。由质保工程师全面组织协调，充分发挥各线责任人的作用，及时解决质保体系运转过程中的问题。设计责任人提供正确的图纸，工艺责任人保障在生产过程中合理的制作工艺及必需的一些工装，设备、材料、焊接、探伤、检验责任人保障各工序的制造质量，我厂采用质量跟踪，对关键工序，特殊工序采取停止点管理进行自检、专检和最终检验相结合，确保产品原材料及实物质量，对用户负责，对企业的信誉负责。并由绍兴市技术监督局

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SMT制造工艺

顾霭云

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内容

一. SMT概述 二.施加焊膏工艺 三.施加贴片胶工艺 四.贴片(贴装元器件)工艺 五.再流焊工艺 六.波峰焊工艺 七.手工焊接、修板及返修工艺 八.清洗工艺 九.检验工艺 十. SMT生产中的静电防护技术

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一 SMT概述

1表面组装技术的组装类型 2选择表面组装工艺流程应考虑的因素 3 SMT生产线及SMT生产线主要设备

表面组装技术的组装类型

) 电子发烧友 电子技术论坛按焊接方式可分为再流焊和波峰焊两种类型

a再流焊工艺——先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片

器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件的印制板放在再流焊→→

的传送带上，从炉子入口到出口大约需要5—6分钟就完成了干燥、预热、熔化、印刷焊膏贴装元器件再流焊

部焊接过程。

b波峰焊工艺——先将微量的贴片胶(绝缘粘接胶)印刷或滴涂到印制板的元器

件底部或边缘位置上(贴片胶不能污染印制板焊盘和元器件端头),再将片式元

件贴放在印制板表面规定的位置上，然后将贴装好元器件的印制板放在再流焊设

的传送带上，进行胶固化。固化后的元器件被牢固地粘接在印制板上。然后进行

装分立元器件，

CMOS设置，有时又称BIOS设置，也许大家觉得这里的设置比较神秘,那蓝色的禁区对于菜鸟来说一直都是个难以逾越的障碍.其实，在平时的操作过程中，我们也不是用得很多，只须掌握一些最常用的设置方法便可以，更多的功能会在你熟悉这些基本的操作之后一步一步地学会。今天我就带着大家一起来跨过这座大山,让你对它的设置不再一无所知。 第一步：

在开机时，屏幕上学有这样的提示——\SETUP\

方框中这行英文的意思是说“按Delete键进入CMOS设置”，我们在这时候按键盘上的\或数字小键盘上的“DEL”键，便可以进入CMOS设置界面。 第二步：

不同的电脑因主板不同可能有不同的CMOS界面，但总的也就是AWARD、AMI、Phoenix等几种。界面形式虽然不同，但是功能基本一样，所要设置的项目也差不多。这是AWARD的CMOS设置画面，是最常见的一种。其实你只要明白一种CMOS的设置方法，其它是就可以触类旁通了。它们的下面有很多个参数可以设置，大部分项本来就已经设置了正确的参数值，或者说很多先期对电脑的运行影响不太在，所以一般我们只要注意几个关键项就可以了。 设置CMOS时，只简单地做以下几步：

1、

CMOS门电路

以MOS（Metal-Oxide Semiconductor）管作为开关元件的门电路称为MOS门电路。由于MOS型集成门电路具有制造工艺简单、集成度高、功耗小以及抗干扰能力强等优点，因此它在数字集成电路产品中占据相当大的比例。与TTL门电路相比，MOS门电路的速度较低。

MOS门电路有三种类型：使用P沟道管的PMOS电路、使用N沟道管的NMOS电路和同时使用PMOS和NMOS管的CMOS电路。其中CMOS性能更优，因此CMOS门电路是应用较为普遍的逻辑电路之一。 1. CMOS非门

图3-16所示是一个N沟道增强型MOS管TN和一个P沟道增强型MOS管TP组成的CMOS非门。

图3-16 CMOS非门电路 图3-17 CMOS与非门电路

两管的栅极相连作为输入端，两管的漏极相连作为输出端。TN的源极接地，TP的源极接电源。为了保证电路正常工作，VDD需要大于TN管开启电压VTN和TP管开启电压VTP的绝对值的和，即UDD> UTN+ |UTP|。当Ui=0V时，TN截止，TP导通，Uo≈UDD为高电平；当Ui=UDD时，TN导通，TP截止，Uo≈0V为低电平。因此实现了非逻辑功能。

CMOS非门除了有较好的动态特性外，由于C

第二章：MOS器件物理

1．概念：

熟悉增强型NMOS管的工作原理，画出NMOS输出特性曲线并指出线性区和饱和区，NMOS漏电流随VGS的变化曲线，画出NMOS截止区，线性区和饱和区的实际物理结构图，NMOS工作在线性区，深线性区和饱和区的直流导通电阻。NMOS管的衬底效应，NMOS管的衬底效应阈值电压的计算公式；NMOS管的沟道调制效应；NMOS管考虑沟道调制效应时的输出电阻表达式。NMOS管的亚阈值效应，NMOS管在亚阈值区域的电流Id和Vgs的关系表达式。

当Vgs小于Vth时，NMOS管截止；当Vgs大于Vth时，在NMOS管漏极和源极间形成反型层，即导电沟道。这时在Vds的正向电压的作用下，NMOS管漏极和源极间有电流产生。当Vds

2．直流导通电阻：

⑴ 线性区的直流导通电阻（Vgs>Vth, Vds

Ron?Vds1? IdsKn2(Vgs?Vth)?Vds⑵ 深线性区的直流导通电阻（Vgs>Vth, Vds<<2(Vgs-Vth）:

Ron?Vds1? IdsKn2(Vgs?Vth)⑶ 饱和区的直流导通电阻 （Vgs>Vth, Vds≧Vgs-Vth）:

Ron?Vds1? IdsKn(Vgs?Vth)23．衬底效应：

1

由于