单晶铜键合引线设备

单晶铜键合引线生产项目可行性研究报告

单晶铜键合引线生产项目

可行性研究报告

单晶铜键合引线生产项目可行性研究报告

目 录

第一章 总论......................................................... 5

一、项目总论.................................................... 5 二、编制依据及研究范围.......................................... 5 二、项目区位基本情况............................................ 7 三．项目承办单位概况............................................ 8 四、项目建设背景................................................ 8 第二章 市场预测.................................................. 11

一、项目所属行业或区域经济发展的地位、发展现状................. 11

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN105598613A

（43）申请公布日 2016.05.25（21）申请号CN201510950549.1

（22）申请日2015.12.18

（71）申请人中国电子科技集团公司第二研究所

地址030024 山西省太原市和平南路115号

（72）发明人姬臻杰;赵喜清;王晓奎;王彩萍

（74）专利代理机构山西科贝律师事务所

代理人陈奇

（51）Int.CI

B23K37/02;

H01L21/60;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

全自动引线键合机焊头

（57）摘要

本发明公开了一种全自动引线键合机焊

头，解决了在引线楔焊中存在的微小力输出稳定

性差和控制调节难的问题。包括电机固定架

（19）、音圈电机、工业控制机和引线键合超声

换能器，在引线键合超声换能器的右端设置有压

电陶瓷（10），在引线键合超声换能器的左端连

接有劈刀（11），音圈电机定子（6）是倒置地固

集成电路封装中的引线键合技术 2007-03-29 13:17

集成电路封装中的引线键合技术

黄玉财1 程秀兰1 蔡俊荣2 上海交通大学微电子学院

（1. 上海交通大学微电子学院，上海200030 2. 星科金朋（上海）有限公司 201702）

摘要: 在回顾现行的引线键合技术之后,本文主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势，因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越难以满足目前封装的高密度要求，反向拱丝能满足非常低的弧高的要求。前向拱丝和反向拱丝工艺相结合，能适应复杂的多排引线键合和多芯片封装结构的要求。不断发展的引线键合技术使得引线键合工艺能继续满足封装日益发展的要求，为封装继续提供低成本解决方案。 关键词: 引线键合；球形焊接；楔形焊接；反向键合 分类号：TN305 文献标志码：B

Wire Bonding Technology in IC Packaging Huang Yucai1 Cheng Xiulan1 Cai Junrong2

(1. School of Microelectronics, Shanghai Jiao Tong University, S

引线键合技术发展及键合实效机理分析

摘要：引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式而在连接方式中占主导地位。对引线键合工艺、材料、设备和超声引线键合机理的研究进展进行了论述与分析，列出了主要的键合工艺参数和优化方法，球键合和楔键合是引线键合的两种基本形式，热压超声波键合工艺因其加热温度低，键合强度高、有利于器件可靠性等优势而取代热压键合和超声波键合成为键合方法的主流，提出了该技术的发展趋势，劈刀设计、键合材料和键合设备的有效集成是获得引线键合完整解决方案的关键。

关键词：引线键合；球键合；楔键合；超声波键合；集成电路 Progress on Technology of Wire Bonding

Abstract：Wire Bonding holds the leading position of connection ways because of its simple technique，low cost and variety for different packing forms. Discuss and analyz the research progress of wire bonding process,materials

一、 铜线键合工艺

A、铜线工艺对框架的特殊要求-------铜线对框架的的要求主要有以下几点： 1、 框架表面光滑，镀层良好；

2、 管脚共面性良好，不允许有扭曲、翘曲等不良现象

管脚粗糙和共面性差的框架拉力无法保证且容易出现翘丝和切线造成的烧球不良，压焊过程中容易断丝及出现tail too short ；

B、保护气体----安装的时候保证E-torch上表面和right nozzle 的下表面在同一个平面上．才能保证烧球的时候，氧化保护良好．同时气嘴在可能的情况下尽量靠近劈刀，以 保证气体最大范围的保护

. b* a# c! [3 b1 b; f E

2 b9 P\~7 pC、劈刀的选用——同金线相比较，铜线选用劈刀差别不是很大，但还是有一定的差异： 1、铜线劈刀T 太小2nd容易切断，造成拉力不够或不均匀

# c7 {- G! b* ^, 2、铜线劈刀CD不能太大，也不能太小，不然容易出现不粘等现象

- w0 d$ W; X; s7 A 3、铜线劈刀H与金线劈刀无太大区别（H比铜丝直径大8μm即可，太小容易从颈部拉断） 4、铜线劈刀CA太小线弧颈部容易拉断，太大易造成线弧不

封装键合铜线参数讨论版指摘

我从事半导体封装已经十一年了，主要从事封装前道BG, SAW, DB 和WB的制成维护与开发，现在，由于国际金价持续走高，铜线的封装比重增加，现在，就将我这些年对铜线的研究与大家分享。

1. 镀钯铜线与裸铜线的区别。

镀钯铜线是在裸铜线的表面镀了一层钯，钯是一种很稳定的金属，优点是不被氧化。所以与裸铜线相比，优点为，

1）. 镀钯铜线的存储时间更长，对存储的环境要求没有裸铜线高；

2). 钯线的焊接过程中，只需要N2保护就可以，裸铜线的焊接必须是N2，H2混合气（forming gas）;

3). 在焊接工艺控制中，钯线与裸铜线没有差异，都需要采用合理的参数来控制高硬度的铜球焊接（在下面将详细叙述铜线焊接的工艺参数）。

镀钯铜线的缺点是价格高，一般是裸铜线价格2-3倍。

2. 铜线的焊接，

2.1 第一点的焊接（ball bonding)

由于铜球的硬度远远高于金球，所以铜线ball bond焊接易出下列废品， NSOP,

Lift Metal,

Crater,

Golf Bond

为了控制这些废品，需要用特殊的参数加以控制，以下是控制要点，

1）. 焊接过程分阶段，一般分两个阶段就能焊接，对一些易产生lift metal或cratering的

目 录

Ⅰ 固定设备

1. 通用部分………………………………………1 2. 主要提升机……………………………………4 3. 一般绞车………………………………………6 4. 主要扇风机……………………………………6 5. 水泵……………………………………………7 6. 空气压缩机……………………………………8 7. 锅炉……………………………………………9 Ⅱ 运输设备 ……………………………………12 1．通用部分………………………………………12 2．刮板输送机……………………………………14 3．转载机…………………………………………15 4．绳带输送机……………………………………15 5．胶带输送机……………………………………16 6．窄轨电机车……………………………………17

7．人车………………………………………19 8．矿车………………………………………20 9．调度绞车、内齿轮绞车…………………20 Ⅲ 采掘设备…………………………………22 1. 通用部分…………………………………22 2. 滚筒式采煤机……………………………24 3. 液压泵站…………………………………25 4. 液压支架…………………………………2

Semiconductor Technology

1999年 第5期

No.5 1999

直接键合硅片的亲水处理及其表征

何　进　陈星弼　杨传仁　王　新

　　摘要　硅片直接键合(SDB)技术的关键在于硅片表面的亲水处理，本文分析了亲水处理之微观机理。从界(表)面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，并测量了常用清洗液的接触角大小。

　　关键词　硅片直接键合　亲水处理　接触角

　　中图分类号：TN305.2　

　　文献标识码：A　

　　文章编号：1003-353X(1999)5-23-03

Characterization of Silicon Surface

Hydrophilicity Treatment

He Jin,Chen Xingbi,Yang Chuanren,Wang Xin

(Institute of Microelectronics,University of Science and Technology,Chengdu 610054)　　Abstract　Successful Silicon-to-silicon direct bonding(SDB)mainly depend on the hydrophilicity

引线框架铜合金材料

1）介绍引线框架：

作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。

2）优势所在：

科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求，引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路，因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作，据不完全统计，引线框架合金约77种，最为显著的是C194铜合金材料：抗拉强度≥410 MPa,硬度120～145HV,电导率≥3.48×10-2S/m。

3）C194热轧工艺：

本试验所用C194铜合金取自国内某铜厂热轧后的板坯，用水冷铁模浇铸合金扁锭，铸锭尺寸为40 mmxl00 mmx600mm。加热温度、保温时间和终轧温度是热轧工艺的几个关键因素。

1、开轧温度，是轧机开始对金属轧制的温度。开轧温度在金属的塑性变化温度以上，这多半是使金属坯按照要求轧制成某种形状，每种金属均有自己的开轧温度。生产现场总是希望开轧温度高一点，以便提高轧件的

铜 合 公 路 立 交 双 线 大 桥 施 工 组 织 设 计

目 录

1 编制依据 ...................................................................................................................................... 4 2 编制范围 ...................................................................................................................................... 4 3 工程概况及主要工程数量 .......................................................................................................... 4

3.1工程概况 ........................................................................