电池片CID衰减

电池片衰减分析

业内都说电池片存在衰减。国家标准中也有一条“电池片存放半年后要重新标定”，电池衰减好象一定存在。衰减原因还与工艺有关，如钝化工艺等。但有关专家说，从电池片发电原理上分析，电池片在不暴晒，并干燥的情况下是不存在衰减的。所谓衰减主要是由测量引起的误差，其次就是电池表面摩擦或积尘，导致绒面受损，影响受光而效率下降，再则是由于银浆氧化而改变接触电阻，导致填充因子下降。还有就是电池片在分选后存在隐裂而效率变低。不知各位还有什么高见

好像低电阻率的硅片，可以作出高功率的电池片，但衰减很快

主要跟少子寿命有关系，多次回收的材料，电阻率可能合格，但是少子寿命很低，做出来的片子转换效率会衰减的很快。

我听说衰减的解释是：因为我们都是用的P型材料，里面含有硼元素，硼和氧形成硼氧复合对导致的衰减。

光照衰减与扩散有何关系？

前一阵听一个硅片厂家的人说，光照衰减有三个影响因素，1，片源，2，扩散工艺，3，组件工艺。也不知是真是假的。扩散工艺会影响到光照衰减么？是什么样的原理呢？请高手解答一下。

排除组件影响，单论电池片，衰减和材料关系最大。排除暗光时的shunt，BO衰减是主要衰减机制，和扩散的关系。。理想条件下应该是没有的。当然实际生产中引

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1 电池片生产工艺流程

一、制绒

a.目的

在硅片的表面形成坑凹状表面，减少电池片的反射的太阳光，增加二次反射的面积。一般情况下，用碱处理是为了得到金字塔状绒面；用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面，都可以提高硅片的陷光作用。

b.流程

1.常规条件下，硅与单纯的HF、HNO3（硅表面会被钝化，二氧化硅与HNO3

不反应）认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中，硅则可以与溶液进行持续的反应。

硅的氧化

硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化）

Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢反应)

3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H2O (慢反应)

二氧化氮、一氧化氮与水反应，生成亚硝酸，亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅。

2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反应)

Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O (快反应)（第一步的主反应）

4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应)

只要有少量的二氧化氮生成，就会和水反应变成亚硝酸，只要少量的一氧化氮生成，就会和硝酸、水反应很快地生成亚硝酸，亚硝酸会很快的将硅氧化，生成一氧化氮，一氧化氮又与硝酸、水反应，这样一系列化学反应最终的结果

石灰改善土灰剂量衰减曲线探索与思考

李玉生

(江西交通工程监理公司 南昌 330008)

摘 要：通过对安徽省马芜高速公路路基石灰改善土在施工中存在的灰剂量实测值的争议而引发的对钙镁含量随时间变化进行室内试验测定与分析，提出石灰剂量随时间呈现线性关系衰减的新概念，以便做好石灰改善土的施工时间控制，并用以指导石灰土施工的灰剂量合格与否的判定。

关键词：道路工程；灰剂量测定与分析；灰剂量随时间线性衰减新概念；灰剂量判定

0 前 言

马芜高速公路是安徽省沿江城市通往江苏、上海等发达城市地区的主要通道，是沟通我国东南沿海与中西部的大通道。设计路面宽度28m双向4车道，设计行车速度为120km/h，地处平原微丘地带，下卧软土地基，周围土质多属高液限微膨胀土，含水量多在18%-25%，不适宜直接作路基填料，在路基95区必须经改善后才能使用，根据设计要求灰剂量分别为5%、5%、7%、、10%，按4层施工，每层层厚为20cm。

1 石灰改善土的施工要求

1.1原材料

土：灰土的施工一般对土的塑性指数有一定的要求，宜在（15-20）之间，因为土的塑性指数愈大，混合料的强度也愈高，混合料愈易压实，但粉碎土团困难，而砂性土无粉碎问题但难压实。本工程多为含水量较大的高液限

篇一：安桌手机一些专业用语解释

1、hboot(SPL) 这里指的是手机上的启动模块，通俗的说，就是负责手机启动引导的一段程序，类似于电脑主板上的BIOS，都是负责底层操作的。和在电脑上刷新BIOS一样，刷错了，电脑就会开不了机，对手机来说也一样，这部分的内容刷错了，手机就会变砖!

2、radio：这里指的是手机上的通讯模块，又叫做基带。负责手机的无线信号，蓝牙，WIFI等设备的管理，也就是说，相当于电脑系统里面的硬件驱动部分。这样说或许也不是特别的准确，大家明白大概的意思就可以了。通常我们所说的刷radio，刷基带，就是指的刷写

这一部分，以便解决通话质量、网络连接质量、蓝牙连接等等问题。

3、recovery：字面意思是恢复，手机上的一个功能分区，有点类似于笔记本电脑上的恢复分区。一般大厂出的笔记本，都会自带一个特殊分区，里面保存着系统的镜像文件，当系统出问题的时候，我们可以通过它来一键恢复系统。这里的recovery功能有些类似。其实，他更像是电脑上的小型winPE系统，可以允许我们通过启动到winPE系统上，去做一些备份、恢复的工作。当然，系统自带的recovery基本没用，所以我们通常会刷入一个第三方的recovery，以便实现更多的功能，

声波的衰减函数

声波在介质中传播时会被吸收而减弱，气体吸收最强而衰减最大，液体其次，固体吸收最小而衰减最小，因此对于一给定强度的声波，在气体中传播的距离会明显比在液体和固体传播的距离短。

一个声音在传播过程中将越来越微弱，这就是声波的衰减。造成声波衰减的原因有以下三个: 1.扩散衰减

物体振动发出的声波向四周传播，声波能量逐渐扩散开来。能量的扩散使得单位面积上所存在的能量减小，听到的声音就变得微弱。单位面积上的声波能量随着声源距离的平方而递减。 2.吸收衰减

声波在固体介质中传播时，由于介质的粘滞性而造成质点之间的内摩擦，从而使一部分声能转变为热能；同时，由于介质的热传导，介质的稠密和稀疏部分之间进行热交换，从而导致声能的损耗，这就是介质的吸收现象。介质的这种衰减称为吸收衰减。通常认为，吸收衰减与声波频率的平方成正比。

频率越高超声波越容易被吸收，随着传播距离增加超声波被吸收的越多，由于距离增加会使超声波吸收太多反射回来成像的强度减低。 3.散射衰减

当介质中存在颗粒状结构(液体中的悬浮粒子、气泡，固体中的颗粒状结构、缺陷、搀杂物等)而导致声波的衰减称散射衰减。通常认为当颗粒的尺寸远小于波长时，散射衰减与频率的四次方成正比；当颗粒尺寸与波长相

电池片各参数异常的原因

Isc偏低的原因：?1、绒面较差?光反射率较大；??2、扩散方块电阻偏低?磷掺杂过多；??3、丝网印刷第三道出现虚印、断线或者副栅线宽度过宽 ? 等现象?电流不能被有效地收集；???4、烧结炉温度出现较大波动；1. 容易理解。

2. 重掺杂会加大表面复合 3. 容易理解

4. 烧结不好引起欧姆接触不好，致使串联电阻增大

Voc偏低的原因：?1、绒面较差?扩散pn结不均匀；??2、扩散方块电阻偏高?无法形成有效的电势差；? ?铝浆型号用错；???3、丝网印刷第二道?铝浆搅拌不均匀；??印刷重量偏低；?????4、烧结温度出现波动；1. 方块电阻不均匀，结深高低不一致，烧结Ag电极渗透中，有的地方接触不好，有的地方可能过烧

2. 即掺杂太少 3.

Rs偏高的原因：?1、绒面较差?电极接触不均匀；??2、扩散方块电阻偏高?接触电阻增大； ??3、丝网印刷第三道出现虚印、断线?接触电阻增大；?4、烧结炉温度出现较大波动；?Rsh偏低的原因：???1、绒面较差?扩散pn结不均匀；?2、扩散方块电阻偏高?pn结过浅；???未完全刻蚀?边缘漏电；??3、刻蚀?

过度刻蚀?pn结被破坏；???硅片表面被浆料污染（尤其是铝浆污染

晶体硅太阳电池片弯曲度研究进展

杨江海，蒋忠伟，叶雄新，祁嘉铭 （东莞南玻光伏科技有限公司，东莞，523141）

摘要:在介绍铝硅相图、铝背场形成过程以及铝背场结构的基础上，阐述了丝网印刷晶体硅太阳电池弯曲度产生的原因，介绍了目前国内外解决晶体硅太阳电池弯曲度的几种方法，最后提出改变浆料成分是解决弯曲度的最佳方法。

关键词：铝硅相图 铝背场 弯曲度

引言

目前，晶体硅仍然是最主要的太阳电池材料，市场份额约为90％。太阳电池生产成本的50％以上来自于硅材料，减薄硅片是电池生产厂商降低生产成本的主要手段之一。硅片的厚度从最初的300μm微米到现在的200μm，并且向150μm或更薄化发展，且工艺基本上都采用丝网印刷和烧结来制备。由于硅片减薄，烧结过程中，电池片容易发生弯曲，而弯曲的电池片在后续工艺中容易破碎，降低成品率，增加电池生产成本。因此，减小薄片晶体硅太阳电池弯曲度已经成为太阳电池发展急需解决的问题。目前，国内外关于薄片晶体硅弯曲度已经有一系列报告。 1铝背场的形成过程 1.1 铝背场的形成过程

为了更好的了解弯曲度产生的原因，本文将结合电池片传统烧结

曲线、铝硅合金相图以及烧结时背场成分变化，介绍铝背场形成的微观机制。

图1为传统晶体硅

目录

第一章电池极片轧制技术简介 ................................................................................................................................. 3 §1-1 电池极片的轧制 ................................................................................................................................................ 3 一、电池极片轧制的要求 ......................................................................................................................................... 3 二、影响电池极片轧机辊压精度的主要因素 ................................................

目录

第一章电池极片轧制技术简介 ................................................................................................................................. 3 §1-1 电池极片的轧制 ................................................................................................................................................ 3 一、电池极片轧制的要求 ......................................................................................................................................... 3 二、影响电池极片轧机辊压精度的主要因素 ................................................

晶体硅太阳电池片弯曲度研究进展

杨江海，蒋忠伟，叶雄新，祁嘉铭 （东莞南玻光伏科技有限公司，东莞，523141）

摘要:在介绍铝硅相图、铝背场形成过程以及铝背场结构的基础上，阐述了丝网印刷晶体硅太阳电池弯曲度产生的原因，介绍了目前国内外解决晶体硅太阳电池弯曲度的几种方法，最后提出改变浆料成分是解决弯曲度的最佳方法。

关键词：铝硅相图 铝背场 弯曲度

引言

目前，晶体硅仍然是最主要的太阳电池材料，市场份额约为90％。太阳电池生产成本的50％以上来自于硅材料，减薄硅片是电池生产厂商降低生产成本的主要手段之一。硅片的厚度从最初的300μm微米到现在的200μm，并且向150μm或更薄化发展，且工艺基本上都采用丝网印刷和烧结来制备。由于硅片减薄，烧结过程中，电池片容易发生弯曲，而弯曲的电池片在后续工艺中容易破碎，降低成品率，增加电池生产成本。因此，减小薄片晶体硅太阳电池弯曲度已经成为太阳电池发展急需解决的问题。目前，国内外关于薄片晶体硅弯曲度已经有一系列报告。 1铝背场的形成过程 1.1 铝背场的形成过程

为了更好的了解弯曲度产生的原因，本文将结合电池片传统烧结

曲线、铝硅合金相图以及烧结时背场成分变化，介绍铝背场形成的微观机制。

图1为传统晶体硅