04730电子技术基础(三)真题

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2011年7月高等教育自学考试全国统一命题考试

电子技术基础（三） 试题

课程代码：04730

一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)

在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（ ）

A．电压的大小和方向均不随时间变化

B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化

C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化

D．电压的大小和方向均随时间变化

2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（ ）

A．理想电流源的信号源内阻接近于零

B．理想电流源任何时候都可以串联在一起

C．理想电流源的输出电流与负载无关

D．理想电流源两端的电压与负载无关

3．电路如题3图所示，已知相量电流 则向量电流I为（ ）

A．10∠90° (A)

B．10∠-90° (A)

C．

45° (A)

D．

-45° (A)

4．N型半导体中的多数载流子是（ ）

A．自由电子

C．五价杂质原子 B

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2009年4月高等教育自学考试全国统一命题考试

电子技术基础(三)试题

课程代码：04730

一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)

在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.两个串联元件A、B上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知U1=2V，I=5A，U2=-4V，则( )

A.元件A吸收功率10W，元件B吸收功率20W B.元件A产生功率10W，元件B产生功率20W C.元件A产生功率10W，元件B吸收功率20W D.元件A吸收功率l0W，元件B产生功率20W

2.实际电压源和电流源模型中，其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是

( )

A.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻串联 B.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻串联 C.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻并联 D.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻并联 3.若正弦电压u1(t)?U1msin(2?t??)（V），u2(t)?U2mn(is6A.超前

中国地质大学（武汉）远程与继续教育学院

中国地质大学(武汉)远程与继续教育学院

电子技术基础 课程作业1（共 4 次作业）

学习层次：专升本 涉及章节：第 1 章 ——第 2 章

一．填空题

1．叠加原理只适用于 线性电路 的_电压 _、电流 的计算，而不能用于__功率___的叠加计算，因为__功率__和电流的平方成正比，不是线性关系。

2．正弦量u =102sin314t V的相量表示是U?10?0?V，正弦量i＝－5sin(314t－60o) A的相量表示是I??2.5??2??60?A _。

3．电压源与电流源模型等效变换的条件是__对外电路等效___。

4．表示正弦量的复数称为相量 ，相量只是表示正弦量，并不等于正弦量。只有正弦量 才能用相量表示，相量不能表示非正弦周期量。

5．理想电压源的输出电压与理想电流源的输出电流是由__自身___确定的定值，不随外接电路的改变而改变。

6．一交流电路的端电压U?50?30?V，电流I?5?60?A，则该电路电阻R＝_5_3?__，电抗X 5? ，有功功率 p=125 功率 S=250VA 。

7.戴维南定理适用于 .线性 _电路。

8.一阶线

2014—2015学年第一学期期末考试卷

科目：《电子技术基础》

班级 13-3 姓名 学号

题目 一 二 三 四 五 总分 成绩

一 、选择题（每小题2分，共40分）

1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管 。 A.立即导通 B.到0.3V才开始导通 C.超过死区电压时才开始导通 2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到 硅二极管的负极，则该管 。

A.基本正常 B.将被击穿 C.将被烧坏

3. 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于 。 A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.断路

4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压 。 A.约等于150V B.略大于150V C.等于75V 5. 当环境温度升高时，二极管的反向电流将 。 A.增大 B.减小

2016—2017学年度

电子技术基础实验

（教 案）

电子技术实验

内容提要

本章介绍了电子电路基础实验。通过基础实验教学，可使学生掌握器件的基

本性能、电子电路基本原理及基本的实验方法，从而验证理论，并发现理论知识在实际中的运用条件，培养学生从大量的实验数据中总结规律、发现问题的能力。在实验课的安排上，分成必做和选做题，同时配备了大量的思考题，使学习优秀的学生有发挥的余地。本章内容是进行电子技术设计的基础。

3．1模拟电子技术基础实验

实验一 常用电子仪器的使用

一、实验目的

（1）掌握电子电路实验中常用的电子仪器—示波器、函数信号发生器、交流毫伏表、数字万用表等的主要技术指标、性能及正确使用方法。

（2）熟悉模拟实验装置的结构。 二、实验类型 验证型实验。 三、预习要求

（1）阅读有关示波器、函数信号发生器、交流毫伏表、数字万用表部分内容。 （2）了解所用仪器仪表的主要用途并回答下列问题：

① 测量交流信号电压时，应当使用万用表的交流档还是使用交流毫伏表？为什么？ ② 当示波器显示屏上的波形高度超出显示屏时应该调整哪个旋钮？ ③ 如何得到频率f=1KHz，幅值为100mv（有效值）的正弦信号？ 回答上述问题

2014—2015学年第一学期期末考试卷

科目：《电子技术基础》

班级 13-3 姓名 学号

题目 一 二 三 四 五 总分 成绩

一 、选择题（每小题2分，共40分）

1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管 。 A.立即导通 B.到0.3V才开始导通 C.超过死区电压时才开始导通 2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到 硅二极管的负极，则该管 。

A.基本正常 B.将被击穿 C.将被烧坏

3. 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于 。 A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.断路

4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压 。 A.约等于150V B.略大于150V C.等于75V 5. 当环境温度升高时，二极管的反向电流将 。 A.增大 B.减小

模拟电子技术基础

一、基础题

1、在图中，RF反馈电路引入的是：

RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A

2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 答案×

3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素，就是P型半导体。

答案√

4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×

5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动，也要考虑少子的运动； 答案√

6、二极管的伏安特性上有一个死区电压，这个电压的大小与半导体的材料有关； 答案√

7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体，所以发射极和集电极可以调换使用； 答案×

8、晶体管是电流控制元件； 答案√

9、发光二极管（LED）发光时一定是正向导通的； 答案√

10、将PN结的N区接电源的正极，P区接电源的负极，则为PN结的_______偏置。 答案：反向。

11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体；用得最多的半导体材料就是_______和_______； 答案：晶体；硅；锗；

12、二极管具有_______导电性；稳压二极管是一种特殊的二极管，它一般工作在____

《电子技术基础》第一、二、三章检测题

一填空题1、晶体三极管具有电流放大作用的实质是利用 电流实现对 电流的控制。

2、结型场效应管是利用 电压来影响导电沟道，从而控制电流的大小；绝缘栅型场效应管的栅极电流Ic≈ ，输入电阻很 。

3、单相整流电路只能输出单相脉动电流，为了得到稳恒直流，需在整流电路后面加上__________电路。

4、50Hz单相半波整流电路的输出电压中的纹波电压频率为___________ 。 5、温度升高后，二极管的反向电流_____________ 。

6、能正常使用的普通三极管β和β接近________________ 。

7、在共射、共集、共基三种放大电路组态中，希望既能放大电压、又能放大电流，应选用___________组态；希望放大电压，工作又稳定，应选用___________组态。 8、用稳压二极管组成的简单稳压电路，稳压二极管一定要串联一个适当大小的________________。

9、共射放大器的集电极负载电阻增大时，其电压放大倍数_____________，但通频带______________。

10、为了保证功率

第1部分 检测题

一、填空题：（每空0.5分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子

教案

2009 ~ 2010 学年第一学期

学院、系室机电教研室

课程名称《电子技术基础》

专业、年级、班级09级机电一体化

主讲教师李春菊

中国矿业大学银川学院

课程表

《电子技术基础》教案

编号：01

可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等称为掺杂性。

N型半导体简化图N型半导体简化图

教师姓名：李春菊职称：无日期：2009年8月28日

编号：02

硅高频检波管稳压管整流管发光二极管

电子工程实际中，二极管应用得非常广泛，上图所示即为各类二极管的部分产品实物图。

学习本节，大家要识记二极管符号、二极管方程；领会并掌握二极管的结构、种类、伏安特性曲线和

教师姓名：李春菊职称：无日期：2009年9月5日

编号：03

稳压二极管是利用二极管反向击穿的特性制成的。其外形和内部结构与普通二极管相似，对外也有两