模电课后答案

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模电课后习题答案

标签:文库时间:2024-07-16
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习题:

一.填空题

1. 半导体的导电能力与 温度 、 光照强度 、 掺杂浓度 和材料性质有关。 2. 利用PN结击穿时的特性可制成 稳压 二极管,利用发光材料可制成 发光 二级管,利用PN结的光敏性可制成 光敏(光电) 二级管。

3. 在本征半导体中加入__5价__元素可形成N型半导体,加入_3价_元素可形成P型半导 体。N型半导体中的多子是_自由电子_______;P型半导体中的多子是___空穴____。 4. PN结外加正向电压时 导通 外加反向电压时 截止 这种特性称为PN结的 单向导电性 。

5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ,锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为__0______,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个___开关____。 7..晶体管的三个工作区分别为 放大区 、 截止区 和 饱和区 。 8.. 稳压二极管是利用PN结的 反向击穿特性 特性制作的。 9.. 三极管从结构上看可以

模电课后习题答案

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XX大学信息工程专业模拟电子技术习题

第二章

题2.1 如图所示电路,已知集成运放开环差模电压增益为∞,其电源电压?VCC=?14V,Ui=1V;R1=10k,Rw=100k。请问:当Rw滑动端分别在最下端、最上端和中点时时,输出Uo=?V; 解:

14V,1V,6V

题2.2 在题图所示的放大电路中,已知R1?R2?R5?R7?R8?10k?,R6?R9?R10?20k?∶

① 列出uO1、uO2和uO的表达式;

② 设uI1?0.3V,uI2?0.1V,则输出电压uO??

注:此图A1的同相端、反相端标反。

分析:本题中,运放A1构成反相比例运用电路,A2构成同相比例运用。而A3则构成了一个减法电路,由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用,所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。

uO1??R210uI1???uI1??uI1R110?R5?3?10?uO2??1??uI2??1???uI2?uI12 ?20??R6? (1)

R10202u3???uO2?uO2?uO2?uI2R8?R1010?203 对A3, u3??u3??uI2u01?u3-u3??u0?RR9

模电课后题答案详解

标签:文库时间:2024-07-16
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习题解答

第1章

1.1简述半导体的导电特性。

答:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体一般呈晶体结构,其原子核对价电子的束缚较弱,当半导体受到外界光和热的刺激时,它便释放价电子,从而使导电能力发生变化。例如纯净的锗从20℃升高到30℃时,它的电阻率几乎减小为原来的1/2。又如一种硫化镉薄膜,在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的百分之一。利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。若在纯净的半导体中加入微量的杂质,则半导体的导电能力会有更显著的增加,例如在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之一,这是半导体最显著的导电特征。利用这个特性,可制造出各种半导体器件。

1.2 简述PN结是如何形成的。

答:当P型和N型半导体结合在一起时,由于交界面两侧多数载流子浓度的差别,N区的多数载流子电子向P区扩散,P区的多数载流子空穴也要向N区扩散,于是电子与空穴复合,在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区,N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区,称为PN结。

PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散,

模电课后(康华光版)习题答案4

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第四章部分习题解答

4.1.3 某BJT的极限参数ICM=100mA,PCM=150mW,V(BR)CEO=30V,若它的工作电压VCE=10V,则工作电流IC不得超过多大?若工作电流IC=1mA,则工作电压的极限值应为多少?

解: BJT工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否则将损坏。当工作电压VCE确定时,应根据PCM及ICM确定工作电流IC,即应满足ICVCE≤PCM及IC≤ICM。当VCE=10V时,

IC?PCM?15mAVCE

此值小于ICM=100mA,故此时工作电流不超过15mA即可。同理,当工作电流Ic确定时,应根据ICVCE≤PCM及VCE≤V(BR)CEO确定工作电压VCE的大小。当IC=1mA时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V。

4.3.3 若将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示电路,并设VCC=12V,RC=1kΩ,在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=50kΩ串联以代替电流源iB。求该电路中的IB、IC和VCE的值,设VBE=0.7V。

图题3.3.1

图题 3.3.3

解: 由题3.3.1已求得β=200,故

IB?

VBB?VBE?0.03mARb

模电答案

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【2-1】 填空:

1.本征半导体是 ,其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。

2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。

3.漂移电流是 在 作用下形成的。

4.二极管的最主要特征是 ,与此有关的两个主要参数是 和 。

5.稳压管是利用了二极管的 特征,而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是 、 、 、和 。 6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。

1. 完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。 2. 杂质浓度,温度。

3. 少数载流子,(内)电

模电习题答案

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3-11放大电路如题3-73图所示,已知UCC?12V,Rb?360 k?, RL?Rc?2 k?,三极

管的Ube?0.7 V,β=60。试求: (1)计算静态工作点 (2)计算Au、Ri和Ro

(3)ui的有效值为多大时输出电压将出现失真?首先出现什么失真? 解:

(1)计算静态工作点,

?IBQ?UCC?0.712?0.7??0.03 mA,ICQ??IBQ?60?0.03 mA?1.8 mA

Rb360 k?IEQ?(??1)IBQ?61?0.03 mA?1.83 mA UCEQ?UCC?ICQRC?12?1.8 mA?2 k??8.4 V

(2)计算Au、Ri和Ro

共射放大电路Ri?rbe?200?(1??)?26mV26?200?(1?60)?1.067 k? IEQ1.83Ro?RC?2 k?

???(RL//Rc)?60?(2k//2k)Au????56.2

rbe1.067k (3)ui的有效值为多大时输出电压将出现失真?首先出现什么失真? 由于静态工作点UCEQ比较靠近截止区,uo幅度增大时,首先出现截止失真 另外因为交流负载线的斜率为

?iC111,而静态Q点?????

模电习题答案

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1.2电路如图P1.2 所示,已知ui?10sin?t(V),试画出ui与uo的波形。设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2

解:ui与uo的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT?26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?

解:二极管的直流电流 ID?(V?UD)/R?2.6mA 其动态电阻:

rD?UT/ID?10? 图P1.4

故动态电流的有效值:Id?Ui/rD?1mA

1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压UZ?6V,最小稳定电流 IZmin?5mA,最大稳定电流IZmax?25mA。

(1)分别计算UI为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI?35V时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?

解:(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时,输出电压才为6V。 ∴UI?10V时,UO?RLR?RLUI?3.3V;

图Pl.6

数电课后答案

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第一章 课后习题详解

1. 把下例二进制数转换成十进制 (1) 1100 0101

解 19721212121 0 2 6 7

2 11000101 = = ) ( ×+×+×+× (2) 101101 解 0 2 6 7 2

21212121 11000101 ×+×+×+× = ) ( (3)0.01101

解 4375.0212121 5 3 2 2 01101.0 = = )( ? ? ? ×+×+×

(4)1010101.0011

1875.85212121212121 4 3 0 2 4 6 2 0011.1010101 = = ) ( ? ? ×+×+×+×+×+× (5)101001.10010

5625.412121212121 4 1 0 3 5

2 10010.101001 = = ) ( ? ? ×+×+×+×+×

2.把下列十进制数转换成二进制数 (1)51 51 2 1 1 0 0 1 1 0 1 3 6 12 25 2 2 2 2 2

(2)136

4 2 2 2 2 2 68 34 176 8 1

模电试卷及答案

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一、VD1,VD2为理想二极管,其导通电压为0V,电路如图所示,画出uO的波形。(15分)

二、判别题:(21分)

1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值,试确定它们的电极和三极管的类型。

(a)①5V ②1.2V ③0.5V (b)①6V ②5.8V ③1V (c)①-8V ②-0.2V ③0V

2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈,这些反馈是否能够 (1)稳定输出电压( ) (2)稳定输出电流( ) (3)增加输出电阻( ) (4)增加输入电阻( ) (5)增大静态电流( )

(6)稳定静态电流( )

三、某两级阻容耦合放大电路如图所示,已知β1= β2=40,试求:(24分) (1)各级电路的静态工作点;

(2)各级电压放大倍数Au1,Au2和总电压放大倍数Au; (3)放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro;

(4)后级采用什么电路?有什么优点?

四、OTL电路如图所示,电容C足够大,三极管的饱和压降UCES=1V,求:(15

模电试卷及答案

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一、VD1,VD2为理想二极管,其导通电压为0V,电路如图所示,画出uO的波形。(15分)

二、判别题:(21分)

1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值,试确定它们的电极和三极管的类型。

(a)①5V ②1.2V ③0.5V (b)①6V ②5.8V ③1V (c)①-8V ②-0.2V ③0V

2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈,这些反馈是否能够 (1)稳定输出电压( ) (2)稳定输出电流( ) (3)增加输出电阻( ) (4)增加输入电阻( ) (5)增大静态电流( )

(6)稳定静态电流( )

三、某两级阻容耦合放大电路如图所示,已知β1= β2=40,试求:(24分) (1)各级电路的静态工作点;

(2)各级电压放大倍数Au1,Au2和总电压放大倍数Au; (3)放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro;

(4)后级采用什么电路?有什么优点?

四、OTL电路如图所示,电容C足够大,三极管的饱和压降UCES=1V,求:(15