光电子技术安毓英第五版课后答案
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光电子技术安毓英版答案
光电子技术解答
(收集整理版)
配套 光电子技术(第三版)
安毓英 编著
电子工业出版社
习 题1
1. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。
S l0 Rc
第1题图
1
d?eπRc2解:Ie?, d??2
d?l0
πRc2d?e?Ied??Ie2
l0
2. 如图所示,设小面源的面积为?As,辐射亮度为Le,面源法线与l0的夹角为?s;被照面的面积为?Ac,到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角,试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。
?s ?Ac
Le l0 ?As ?c
第2题图
解:用定义Le?d?edIe和Ee?求解。
dA?Arcos?r3.假设有一个按郎伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度Le均相同。试计算该扩展源在面积为Ad的探测器表面上产生的辐照度。 解:辐射亮度定义为面辐射源在某一给定方向上的辐射通量,因为余弦辐射体的辐射亮
度为
Le?dIeo?L
光电子技术(安毓英)习题答案
课后题答案
1.1设半径为Rc的圆盘中心发现上,距圆盘中心为l0处有一辐射强度为Ie的点源S,如下图所示。试计算该点光源发射到圆盘的辐射功率。
思路分析:要求?e由公式Ee?题过程如下: 法一
d?ed?e,Ie?都和?e有关,根据条件,都可求出。解dAd?Ee?故:?e?d?e dA2?Rc?0EedA
Ie l02又:Ee?代入上式可得:
?e?法二:
Ie2 ?Rc2l0Ie?d?e d??e??2?Rc2l00Ied?
Ie?Rc2?e?2
l01.2如下图所示,设小面源的面积为?As,辐射亮度为Le,面源法线与l0的夹角为被照面的面积为?Ac,到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角,?s;
试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。
思路分析:若求辐射照度Ee,则应考虑公式Ee?虑如何求Ie。通过课本上的知识可以想到公式Le?题过程如下:
解:
Ie。又题目可知缺少Ie,则该考2l0dIe,通过积分则可出Ie。解
dScos?Ee?由Le?Ie 2l0dIe可得
dScos?Ie???As0Lecos?dS
= Lecos??As,故:
Ee?IeLecos??As ?22l0l01.3假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射
光电子技术安毓英习题答案
第一章
1. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解:因为
d??dSr2Ie??d?ed?Rc,
S ?0sin?d?d??2??1?cos??l0l0?Rc22l0 Rc 且
??2??1???????l0l0?Rc22第1.1题图
?? ??所以?e
??Ied??2?Ie?1???2. 如图所示,设小面源的面积为?As,辐射亮度为Le,面源法线与l0的夹角为?s;被照面的面积为?Ac,到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角,试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。 解:亮度定义:
Le?dIe?Arcos?r
?s Le 强度定义:Ie?d?ed?
?Le?Ascos?sd? ?As ?Ac l0 第1.2题图
?c 可得辐射通量:d?e
20在给定方向上立体角为:d???Accos?cl
d?edA?Le?Ascos?scos?cl20则在小面源在?Ac上辐射照度为:Ee?
3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度Le均相同,试计算该扩展源在面积为Ad的探测器表面上产生的辐
光电子技术(安毓英)习题课后答案
第一章
1. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。
d?ed?, 解:因为
RcdSd??2??sin?d?d??2??1?cos??0r 且 ??l0??2??1??l02?Rc2?????l0?? 所以?e?Ied??2?Ie1?2?l0?Rc2???Ie?S l0 Rc 第1.1题图
2. 如图所示,设小面源的面积为?As,辐射亮度为Le,面源法线
与l0的夹角为?s;被照面的面积为?Ac,到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角,试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。
dIe?s ?Arcos?r Le l0 解:亮度定义:
?As ?c d?e强度定义:Ie?
d?第1.2题图
可得辐射通量:d?e?Le?Ascos?sd?
?Acos?在给定方向上立体角为:d??c2c
l0d?L?Acos?cos?c则在小面源在?Ac上辐射照度为:Ee?e?es2s
dAl0Le??Ac
3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度Le均相同,试计算该扩展源在面积为Ad的探测器表面上产生的辐
光电子技术(安毓英)习题答案
课后题答案
1.1设半径为Rc的圆盘中心发现上,距圆盘中心为l0处有一辐射强度为Ie的点源S,如下图所示。试计算该点光源发射到圆盘的辐射功率。
思路分析:要求?e由公式Ee?题过程如下: 法一
d?ed?e,Ie?都和?e有关,根据条件,都可求出。解
d?dAEe?故:?e?d?e dA2?Rc?0EedA
Ie l02又:Ee?代入上式可得:
?e?法二:
Ie2?R c2l0Ie?d?e d?Ied?
?e??2?Rc2l00Ie?Rc2?e?2
l01.2如下图所示,设小面源的面积为?As,辐射亮度为Le,面源法线与l0的夹角为
?s;被照面的面积为?Ac,到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角,
试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。
思路分析:若求辐射照度Ee,则应考虑公式Ee?虑如何求Ie。通过课本上的知识可以想到公式Le?题过程如下:
解:
Ie。又题目可知缺少Ie,则该考2l0dIe,通过积分则可出Ie。解
dScos?Ee?由Le?Ie 2l0dIe可得
dScos?Ie???As0Lecos?dS
= Lecos??As,故:
Ee?IeLecos??As ?l02l021.3假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射
电子技术基础数字部分第五版课后答案
电子技术基础数字部分第五版课后答案
【篇一:《电子技术基础》第五版(数字部分)高教版课
后答案】
t>1.1 数字电路与数字信号 1.1.2 图形代表的二进制数 010110100 msb 012 1112
lsb (ms)
解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,t=10ms 频率为周期的倒数,f=1/t=1/0.01s=100hz
占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10% 1.2 数制 ??4
1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于 2 (2)127 (4)2.718
解:(2)(127)d=2-1=(10000000)b-1=(1111111)b=(177)o=(7f)h (4)(2.718)d=(10.1011)b=(2.54)o=(2.b)h 1.4 二进制代码
1.4.1 将下列十进制数转换为 8421bcd 码: (1)43(3)254.25 解:(43)d=
(01000011)bcd
1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ascⅡ码的表示:p28 (1)+ (2)@ (
电力电子技术第五版课后习题答案4
第四章直流直流变换器习题解答
4-1降压型斩波电路,直流电压为 80V ,负载电阻为10Q ,斩波频率为50kHz ,导通比为0.5
(1)画出各电流波形。
⑵ 求输出电压和电流的平均值。
说"
5 U 0 =0.5U d =0.5 80 =40V
U 0 10
4-2在降压变换器中,认为所有的元件都是理想的。通过控制占空比 D 保持输出电压不变,U °=5V ,输入电压为10~40V ,P 。〉 5W ,f s =50kHz ,为保证变换器工作在电流连续模式,计算要求的最小电感量。
1
解:f s =50kHz,T s
20 f s
.在该变换器中,u 0 =U 0 =5V 不变,
P 0 = U Q I o - 5 即 I o — =1A U o 20七 50kHz
要求在电流连续模式下的最小电感,电感电流在电流临界情况下。
当输入电压为10~40V时,D=0.5?0.125 在输出电压不变时,由|LB二竺(1-D)得,
2L
T s U o20 10" 5
=25 ~ 43.75」H
s o(1—D)=―—(1 — D)
21 LB
当D=0.125~0.5变化时,保持连续的电感的取值如上式,所以保持在整个工作范围内连续的最小电感是43.75
电力电子技术第五版课后习题答案4
第四章直流直流变换器习题解答
4-1降压型斩波电路,直流电压为 80V ,负载电阻为10Q ,斩波频率为50kHz ,导通比为0.5
(1)画出各电流波形。
⑵ 求输出电压和电流的平均值。
说"
5 U 0 =0.5U d =0.5 80 =40V
U 0 10
4-2在降压变换器中,认为所有的元件都是理想的。通过控制占空比 D 保持输出电压不变,U °=5V ,输入电压为10~40V ,P 。〉 5W ,f s =50kHz ,为保证变换器工作在电流连续模式,计算要求的最小电感量。
1
解:f s =50kHz,T s
20 f s
.在该变换器中,u 0 =U 0 =5V 不变,
P 0 = U Q I o - 5 即 I o — =1A U o 20七 50kHz
要求在电流连续模式下的最小电感,电感电流在电流临界情况下。
当输入电压为10~40V时,D=0.5?0.125 在输出电压不变时,由|LB二竺(1-D)得,
2L
T s U o20 10" 5
=25 ~ 43.75」H
s o(1—D)=―—(1 — D)
21 LB
当D=0.125~0.5变化时,保持连续的电感的取值如上式,所以保持在整个工作范围内连续的最小电感是43.75
电力电子技术答案归纳 第五版
第二章电力电子器件 ..................................................................................... 1 第三章整流电路 ............................................................................................ 5 第四章 逆变电路 ......................................................................................... 19 第七章 PWM控制技术 ............................................................................... 21 第九章电力电子器件应用的共性问题 ........................................................... 25
第二章电力电子器件
2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受高
光电子技术基础 课后答案
《光电子技术》参考答案
第三章
1.一纵向运用的 KD*P电光调制器,长为 2cm,折射率 n=2.5,工作频率为 1000kHz。试求此 时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。
解:渡越时间为:
2
2 10??L nL ??2.5??????m ?1.67?10?10s
????????d 3?10 8 m / s c / n c
在本题中光在晶体中的渡越引起的相位延迟量为:
对相位的影响在千分之一级别。
????????2???10 m d
6Hz?1.67?10?10 ?1.05?10?3 ??1
3.为了降低电光调制器的半波电压,采用 4块 z切割的 KD*
P晶体连接(光路串联,电路并联)成
纵向串联式结构。试问:(1)为了使 4块晶体的电光效应逐块叠加,各晶体 x和 y轴取向应如何?(2)若
????0.628?m,n0 ?1.51,????????23.6 ?? 10? 12 m/V,计算其半波电压,并与单块晶体调制器比较之.。
63
答:
⑴用与 x轴或 y轴成 45夹角(为 45°-z切割)晶体,横向电光调制,沿 z轴方向加电场,通 光方向垂直于 z轴,形成(光路串联,电