贴片陶瓷电容器击穿是电流击穿还是电压击穿

贴片陶瓷电容器

单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来 讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应 用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他 公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一 NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变 化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计 的

典型的MLCC电容外应力导致失效的诱因.

MLCC电容应力失效跟踪报告

一、 现象 ......................................................................................................................................... 1 二、 问题定义 ................................................................................................................................. 1 三、 信息收集、跟踪与分析 ......................................................................................................... 1 四、 结论 .................................................................................

栅氧击穿机理研究

徐政 缪海滨 郑若成

(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)

摘要：栅氧击穿不仅和栅氧质量相关，而且受前工序的影响很大。本文介绍了影响栅氧击穿的因素，如PBL隔离和腐蚀、电容结构。 关键词：栅氧；击穿；多晶缓冲隔离；能带 中图分类号：TN386．4 文献标识码：A 1前言

人们通常只从栅氧生长、栅氧前的清洗来提高栅氧击穿，但是栅氧前工序的制造同样对栅氧击穿影响很大，而且往往是决定性的，却容易被忽视。 2栅氧击穿机理 2．1 SiO2击穿现象

2．1．1 Si02在施加高场时会发生致命击穿，根据击穿场强的大小可分成三种情形

(1)击穿场强在8-12MV／cm称为本征击穿。

发生本征击穿时SiO2的无缺陷，在低场加长时间应力，发生本征击穿Si02的的失效时间大致相同；

(2)击穿场强<1MV／cm，SiO2存在巨大缺陷，例如针孔。

(3)击穿场强在2~6MV／cm，正常工作条件下会发生击穿。 2．1．2 SiO2性能退化分为二阶段

(1)栅电流不断通过SiO2，SiO2的某些点形成电流通道，SiO2性能缓慢下降；

(2)MOS电容通过缺陷通道放电，SiO2被击穿，栅极被气化，但是整个MOS电容仍可能继续工作。 2．2 SiO2本征击穿的物理模

村田多层陶瓷电容器

村田多层陶瓷电容器

New Product新产品介绍

液晶显示器摸块用的电容排介绍

Capacitor -Array September 1st,2005.

AS Capacitor Div.

Component Business Unit Murata Manufacturing Co.,Ltd.

株式会社村田制作所

元件事业本部AS

电容器事业部

Note: 注:

The information of this material are as of the date mentioned above. They are subject to change without advance notice. If thereare any questions, please contact our sales representatives or product engineers.

村田多层陶瓷电容器

LCM 需求量,市场比例

2003

2004

2005

2006

Module on Mobile Phone : CSTN/TFT/OLED手机液晶显示器摸块: CSTN/TFT/OLED

村田多层陶瓷电容器

电容排产品路线图

村田多层陶瓷电容器

对于在LCD里

本文简单讨论现行耐压测试仪检定规程中击穿报警电流的设定误差与示值误差问题以及检定该参数时的读数问题。

《计量与铡试技术》 Do年第3 21 7豢第6期

耐压测试仪检定规程中击穿报警电流的疑问T eP o l f C t— f urn eV r c t nR g lt n h rbe o u—o C re t nt ei ai e ua o ms f i h f o io ts n ig V l g etr fWi t dn ot eT s s ha a e

王敬喜古建平(深圳市计量质量检测研究院，广东深圳 585 ) 105摘要：本文简单讨论现行耐压测试仪检定规程中击穿报警电流的设定误差与示值误差问胚以及检定该参数时的读数问题。 关键词：击穿报警电流；设定误差；示值误差；读数’

1引言

疑问二：检定击穿报警电流时的读数问题现在市面上的耐电压测试仪校准装置有很多种，有

耐压测试仪的应用很广泛，用者为了保证其产品使

的质量，也非常关注耐压测试仪的检定问题。其检定依据是 JG7 5 0 4耐压测试仪检定规程， J 9—2 0但是笔者对现行规程中击穿报警电流项目的检定存在一些疑问。 2疑问疑问一：击穿报警电流的设定误差与示值误差现行 JG 7

本文简单讨论现行耐压测试仪检定规程中击穿报警电流的设定误差与示值误差问题以及检定该参数时的读数问题。

《计量与铡试技术》 Do年第3 21 7豢第6期

耐压测试仪检定规程中击穿报警电流的疑问T eP o l f C t— f urn eV r c t nR g lt n h rbe o u—o C re t nt ei ai e ua o ms f i h f o io ts n ig V l g etr fWi t dn ot eT s s ha a e

王敬喜古建平(深圳市计量质量检测研究院，广东深圳 585 ) 105摘要：本文简单讨论现行耐压测试仪检定规程中击穿报警电流的设定误差与示值误差问胚以及检定该参数时的读数问题。 关键词：击穿报警电流；设定误差；示值误差；读数’

1引言

疑问二：检定击穿报警电流时的读数问题现在市面上的耐电压测试仪校准装置有很多种，有

耐压测试仪的应用很广泛，用者为了保证其产品使

的质量，也非常关注耐压测试仪的检定问题。其检定依据是 JG7 5 0 4耐压测试仪检定规程， J 9—2 0但是笔者对现行规程中击穿报警电流项目的检定存在一些疑问。 2疑问疑问一：击穿报警电流的设定误差与示值误差现行 JG 7

激光诱导击穿光谱学手册

作者：DavidA．Cremers;刘克玲;

作者机构：;;

来源：国外科技新书评介

年：2014

卷：000

期：008

页码：P.11-11

页数：1

中图分类：O433

正文语种：CHI

关键词：激光诱导;光谱学;击穿;等离子体光谱;手册;LIBS;均匀物质;光谱测量摘要：上世纪60年代，激光的发现引发了许多新技术的出现，激光诱导击穿光谱测量术（LIBS）就是其中的一项，LIBS又称激光等离子体光谱（uPS），或激光火花光谱（LSS）。LIBS利用几十至几百毫焦的脉冲在样品表面产生的等离子体，进行近程或远程的定性或定量元素成份分析，分析对象包括固体、气体、液体、泥浆、气溶胶、岩石、土壤或有毒物质（例如炭疽病毒等），样品无需前处理，可以是均匀物质也可以是非均匀物质。

激光诱导击穿光谱仪

关于激光诱导击穿光谱仪 LIBS

激光诱导击穿光谱仪是光谱分析领域一种崭新的分析手段，其基本原理是使用高能量激光光源，在分析材料表面形成高强度激光光斑(等离子体)，使样品激发发光,这些光随后通过光谱系统和检测系统进行分析。这种技术对材料中的绝大部分无机元素非常敏感.。同时能分析低原子数元素例如：氢-钠的元素，这些元素用其他技术很难分析。. 很少的样品制备可以进行高通量的分析，从而极大地降低分析成本。对于所有可检出的元素同时测定的分析时间降至大约20秒，相对于其他分析技术有明显的优势。. Spectralaser的检出限：

注意：检出限根据基体和材料的不同会有较大差别。 1-30ppm 30-100ppm>100ppm Group Period 1 2 3 4 5 6 7

1 H 3 4 Li Be 11 12 Na Mg 19 20 37 38 Rb Sr 55 56 Cs Ba 87 88 Fr Ra

* **

5B13Al

21 22 23 242526272829303139 40 41 4243444546474849Y Zr Nb MoTcRuRhPdAgCdIn71 72 73 7475767778798081Lu

激光诱导击穿光谱学手册

作者：DavidA．Cremers;刘克玲;

作者机构：;;

来源：国外科技新书评介

年：2014

卷：000

期：008

页码：P.11-11

页数：1

中图分类：O433

正文语种：CHI

关键词：激光诱导;光谱学;击穿;等离子体光谱;手册;LIBS;均匀物质;光谱测量摘要：上世纪60年代，激光的发现引发了许多新技术的出现，激光诱导击穿光谱测量术（LIBS）就是其中的一项，LIBS又称激光等离子体光谱（uPS），或激光火花光谱（LSS）。LIBS利用几十至几百毫焦的脉冲在样品表面产生的等离子体，进行近程或远程的定性或定量元素成份分析，分析对象包括固体、气体、液体、泥浆、气溶胶、岩石、土壤或有毒物质（例如炭疽病毒等），样品无需前处理，可以是均匀物质也可以是非均匀物质。

二极管击穿的模式

雪崩击穿：随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，少数载流子漂移速度加快，动能增大。反向电压增大到一定值时，动能相当大，会与中性原子碰撞，可把中性原子的价电子碰撞出来，产生一个电子—空穴对，这个过程碰撞电离。碰撞产生的自由电子—空穴在强电场作用下漂移速度加快，再去碰撞其他中性原子，结果又产生新的自由电子—空穴对。如此连锁反应像雪崩一样使阻挡层中载流子数量急剧增多，使流过PN结反向电流急剧增大，形成击穿，这种击穿称为雪崩击穿（碰撞击穿）。常发生在掺杂浓度比较低，所加反向电压比较高的情况。 齐纳击穿：PN结掺杂浓度很高时，阻挡层非常薄。少数载流子在阻挡层内做漂移运动时，由于路径很短，与中性原子碰撞机会极少，不容易产生碰撞电离。但这种PN结在较低电压作用下仍会出现击穿现象。阻挡层特别薄的PN结，只要加上不大的反向电压，阻挡层内电场就会非常高。强电场可把阻挡层中的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发。强电场使阻挡层内许多中性原子发生场致激发，产生大量载流子，使PN结反向电流剧增，出现反向击穿现象，这种击穿常成为齐纳击穿。可见齐纳击穿发生在掺杂浓度很高的PN结上。

从理论计算及试验结果得