青岛理工大学电力电子技术期末考试试题

浙江理工大学模拟电子技术基础期末考试试题（A）

姓名 班级 学号 计分 一． 填空（2x19=38分）

1．在如图所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的?＝100，Rb＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。

'?＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μ （1）当UiA， 则Rb 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。

（2）若测得输入电压有效值Ui=5mV时，输出电压有效值Uo＝0.6V， 则电压放大倍数

''?＝ ≈ 。A若负载电阻RL值与RC相等 ，u则带上负载后输出电压有效值Uo＝ ＝ V。

2．电路如图所示，T1、T2和T3的特性完全相同，β>60填空：

（1）I1≈ mA，I2≈ mA；

（2）若I3≈0.2mA，则R3≈ kΩ。

3.电路如图所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V。填空：

浙江理工大学模拟电子技术基础期末考试试题（A）

姓名 班级 学号 计分 一． 填空（2x19=38分）

1．在如图所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的?＝100，Rb＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。

'?＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μ （1）当UiA， 则Rb 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。

（2）若测得输入电压有效值Ui=5mV时，输出电压有效值Uo＝0.6V， 则电压放大倍数

''?＝ ≈ 。A若负载电阻RL值与RC相等 ，u则带上负载后输出电压有效值Uo＝ ＝ V。

2．电路如图所示，T1、T2和T3的特性完全相同，β>60填空：

（1）I1≈ mA，I2≈ mA；

（2）若I3≈0.2mA，则R3≈ kΩ。

3.电路如图所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V。填空：

浙江理工大学模拟电子技术基础期末考试试题（B）

一．

填空（2X19=38分）

'

1．在如图所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的 ＝100，Rb＝100kΩ。

＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA， （1）当U i

则Rb 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。

（2）若测得输入电压有效值Ui=5mV时，输出电压有效值Uo＝0.6V， 则电压放大倍数

'

'

＝ ≈ 。若负载电阻RL值与RC相等 ，则Au

带上负载后输出电压有效值Uo＝。 2．电路如图所示，T1、T2和T3的特性完全相

同，β>60填空：

（1）I1≈mA，I2≈ mA；

（2）若I3≈0.2mA，则R3≈kΩ。

3.电路如图所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V。填空：电路引入了 （填

入反馈组态）交流负反馈，电路的输入电阻趋近于 ，电压放大倍数Auf＝△uO/△uI≈设 uI＝1V，则uO≈ V；

若R1开路，则uO变为 V；若R1

哈工大2004年春季学期

班号 姓名 题号 分数

一、填空或选择（20分）

1、N型半导体是在半导体中掺入 五 价杂质，其中多数载流子是 电子 。 2、在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中它一般工作在 饱和 区或 截止 区，此时也称它工作在 开关 状态。

3、电路如下图所示，TG为CMOS传输门，G为TTL与非门，则C=0, P= 0 ；C=1时，P= /A 。 基 础 电 子 技 术 试 题

一 二 三 四 五 六 七 八 总分 BCATG1C4、乙类功放电路如下图所示。已知

10k?&PVCC?12V，RL?8?，UCES?0，ui为正弦电压，

则负载上可能得到的最大输出功率为 9W ；每个管子的管耗至少应为 1.8W 。

?VCCT1viT2?VCCRL

5、当温度升高时，双极性三极管的β将 增加 ，反向饱和电流ICEO 增加 ，正向结压降UBE 减小 ，晶体管的共射输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲

天津理工大学考试试卷 2009～2010学年度第二学期 《编译原理》 期末考试试卷

课程代码： 0660116 试卷编号： 1-A 命题日期： 2010 年 6 月 15 日 答题时限： 120 分钟 考试形式：闭卷笔试

得分统计表： 大题号 总分

一 二 三 四 一、单项选择题（请从4个备选答案中选择最适合的一项，每小题2分，共20分） 得分 注意：须将本题答案写在下面的表格中，写在其它地方无效

1 D 2 C 3 B 4 D 5 D 6 B 7 C 8 B 9 D 1C 0

1. 编译程序是对（ ）

A. 汇编程序的翻译 B. 高级语言程序的解释执行 C. 机器语言的执行 D. 高级语言的翻译

2. 词法分析器的输出结果是（ ）

A．单词的种别编码 B．单词在符号表中的位置 C．单词的种别编码和自身值 D．单词自身值

3. 在规范规约中，用（ ）来刻画可规约串。

A．直接短语 B．句柄 C．最左素短语 D．素短语

4. 与正规式(a| b) (c | d)等价的正规式是（ ）

A．a (c |

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

第二章：

1. 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸

管出现_ 误导通_，若di/dt过大，会导致晶闸管_损坏__。

2. 目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 电力晶体管 、 可关断晶闸管 、 功率

场效应晶体管 、绝缘栅双极型晶体管 几种。简述晶闸管的正向伏安特性？

答: 晶闸管的伏安特性

正向特性 当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。

如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。

随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。

如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，

IH称为维持电流。

3. 使晶闸管导通的条件是什么?

答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 4. 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断

实验一

一、 明确的概念：

（1）理解类和对象的概念；（具体见附一）

类是抽象的 对象是具体的 例如：你、我、他 都是人 那么 你、我、他就是对象 人就是类

（2）掌握类与对象的定义方法；

类的定义：

class 类名{ … /*定义这个类*/}; //(别忘了最后的分号) 对象的定义： 类名 对象名(参数);

（3）理解类的成员的访问控制的含义，公有和私有成员的区别；

public://访问属性为公有 通过外部直接访问 即：对象名.成员名或成员函数 private://访问属性为私有 不能通过外部直接访问（不声明访问属性时 系统默认为私有） 当出现对象名.成员(私有)时 编译器报错

protected://访问属性为保护 与private类似 但protected属性的成员可以继承 private不能继承

（4）掌握构造函数和析构函数的含义与作用、定义方式和实现；

构造函数：为数据成员开辟存储空间 函数名必须与类名相同 之前绝对不许说明返回值类型 void也不行 构造函数不能由用户调用 即：对象名.构造函数名(参数)是错误的 构造函数是随着对象的声明而调用的 例如： c