vdmos工作原理

VDMOS工艺流程

VDMOSFET 的结构– 基本结构 n+ 衬底，漏极 D n- 外延层，漂移区 p 阱(又叫 p 基区 或体区) n+ 源区，源极 S 多晶硅栅，栅氧层， 栅极 G

– 整个器件的构成 前述结构实际只是器件的一个元胞，整个器件实际是 由很多这样的元胞并联而成的 剖面图

立体图

VDMOS与MOSFET的比较： 小信号 MOSFET(横向器件) 对应的 VDMOSFET(纵向器件)

CHANNEL

小信号 MOSFET5

VDMOS工艺流程1、原始硅片磨抛：原始硅片磨去40µm,抛 光80µmN+ <100> 535µm

2、清洗 ，并且用显微镜检查表面 3、外延生长N-: =20~30Ω· cm, d=45µ mNN+6

4、清洗 5、氧化： dox=6500±250Å 800℃-1000℃- 800℃ 6、一次版N-

N+

7、腐蚀，去胶，清洗 腐蚀：温度25℃

8、P+扩散 预扩：R□=80~100Ω/□ 700℃-940℃-700℃ 主扩：R□=150~180Ω/□ 800 ℃ -1150 ℃ -800 ℃

1 GPS卫星信号的组成

GPS卫星信号采用典型的码分多址（CDMA）调制技术进行合成（如图2所示），其完整信号主要包括载波、伪随机码和数据码等三种分量。信号载波处于L波段，两载波的中心频率分别记作L1和L2。卫星信号参考时钟频率f0为10.23MHz，信号载波L1的中心频率为f0的154倍频，即：

fL1=154×f0=1575.42MHz (1)

其波长λ1=19.03cm；信号载波L2的中心频率为f0的120倍频，即： fL2=120×f0=1227.60MHz (2)

其波长λ2=24.42cm。两载波的频率差为347.82MHz，大约是L2的28.3%，这样选择载波频率便于测得或消除导航信号从GPS卫星传播至接收机时由于电离层效应而引起的传播延迟误差。伪随机噪声码（PRN）即测距码主要有精测距码（P码）和粗测距码（C/A码）两种。其中P码的码率为10.23MHz、C/A码的码率为1.023MHz。数据码是GPS卫星以二进制形式发送给用户接收机的导航定位数据，又叫导航电文或D码，它主要包括卫星历、卫星钟校正、电离层延迟校正、工作状态信息、C/A码转换到捕获P码的信息和全部卫星的概略星历；总电文由1500位组成，分为5

1105工作原理版本V1.0修订日期2014-10-9修订人江浩清审核一、总体方案概述...................................................31、产品概述:....................................................32、系统主要方案：...............................................33、各单元功能说明...............................................44、各单板联系说明...............................................55、内外接口说明.................................................66、系统总方框图.................................................6二、各电路工作原理分析............................................71、射频电路方框图......................

CCD工作原理

一个完整的CCD器件由光敏单元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。CCD工作时，在设定的积分时间内由光敏单元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏单元的电荷多少。取样结束后各光敏元电荷由转移栅转移到移位寄存器的相应单元中。移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。将输出信号接到示波器、图象显示器或其它信号存储、处理设备中，就可对信号再现或进行存储处理。由于CCD光敏元可做得很小（约10um），所以它的图象分辨率很高。

要了解CCD的原理，必须对半导体的基本知识有一些了解，可参见附录。

一．CCD的MOS结构及存贮电荷原理

CCD的基本单元是MOS电容器，这种电容器能存贮电荷，其结构如图1所示。以P型硅为例，在P型硅衬底上通过氧化在表面形成SiO2层，然后在SiO2 上淀积一层金属为栅极，P型硅里的多数载流子是带正电荷的空穴，少数载流子是带负电荷的电子，当金属电极上施加正电压时，其电场能够透过SiO2绝缘层对这些载流子进行排斥或吸引。于是带正电的空穴被排斥到远离电极处，剩下的带负电的少数载流子在紧靠SiO2层形成负电荷层（耗尽层），电子一旦进入由于电场作用就不能复出，故又称为电子势阱。

当器件受到

提到“技术”这个词时，大多数人都会想到计算机。事实上，我们生活中的方方面面都离不开计算机部件。家里的电器设备有内置的微处理器，例如电视机。甚至汽车里也装有计算机。但是，提到计算机大家首先想到的主要是个人计算机或PC。

PC工作原理

PC是一种以微处理器为中心构造的通用工具。它有多个不同的部件协同工作，例如存储器、硬盘、调制解调器等。“通用”意味着您可以使用PC做许多不同的事情。您可以使用它输入文档、发送电子邮件、浏览网页以及玩游戏。

在本文中，我们将介绍一般意义上的PC以及它所包含的所有不同部件。您将了解它的不同部件以及它们是如何在一个基本操作会话中协同工作的。同时，您还将了解到计算机未来的发展前景。

让我们看一下一台典型台式计算机的主要部件。

? 中央处理器（CPU）——计算机系统的微处理器“大脑”被称为中央处理器。计算机执行的所有操作都由CPU监控。

? 存储器——这是用于保存数据的快速存储器。由于它直接与微处理器相连，因此它的速度必须很快。计算机中有几种特定类型的存储器：

? 随机存取存储器（RAM）——用于临时存储计算机当前正在处理的信息 ? 只读存储器（ROM）——用于存储计算机内不会更改的重要数据的永久型存储器

? 基本输入/

浪涌保护器

最原始的浪涌保护器羊角形间隙，出现于19世纪末期，用于架空输电线路，防止雷击损坏设备绝

缘而造成停电，故称“浪涌保护器”。20世纪20年代,出现了铝浪涌保护器,氧化膜浪涌保护器和丸式浪涌保护器。30年代出现了管式浪涌保护器。50年代出现了碳化硅防雷器。70年代又出现了金属氧化物浪涌保护器。现代高压浪涌保护器，不仅用于限制电力系统中因雷电引起的过电压，也用于限制因系统操作产生的过电压。

浪涌也叫突波，顾名思义就是超出正常工作电压的瞬间过电压。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲，。可能引起浪涌的原因有：重型设备、短路、电源切换或大型发动机。而含有浪涌阻绝装置的产品可以有效地吸收突发的巨大能量，以保护连接设备免于受损。

浪涌保护器，也叫防雷器，是一种为各种电子设备、仪器仪表、通讯线路提供安全防护的电子装置。当电气回路或者通信线路中因为外界的干扰突然产生尖峰电流或者电压时，浪涌保护器能在极短的时间内导通分流，从而避免浪涌对回路中其他设备的损害。

一、浪涌保护器（SPD）工作原理

浪涌、涌保护器（Surge protection Device）是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置，过去常称

越来越多的应用，例如过程控制、称重等，都需要高分辨率、高集成度和低价格的ADC、新型∑-△转换技术恰好可以满足这些要求。然而，很多设计者对于这种转换技术并不十分了解，因而更愿意选用传统的逐次比较ADC。∑-△转换器中的模拟部分非常简单(类似于一个1bit ADC)，而数字部分要复杂得多，按照功能可划分为数字滤波和抽取单元。由于更接近于一个数字器件，∑-△ADC的制造成本非常低廉。 一、∑-△ADC工作原理

要理解∑-△ADC的工作原理，首先应对以下概念有所了解：过采样、噪声成形、数字滤波和抽取。 1．过采样

首先，考虑一个传统ADC的频域传输特性。输入一个正弦信号，然后以频率fs采样－按照Nyquist定理，采样频率至少两倍于输入信号。从

FFT分析结果可以看到，一个单音和一系列频率分布于DC到fs／2间的随机噪声。这就是所谓的量化噪声，主要是由于有限的ADC分辨率而造成的。单音信号的幅度和所有频率噪声的RMS幅度之和的比值就是信号噪声比(SNR)。对于一个Nbit ADC，SNR可由公式：SNR=6.02N+1.76dB得到。为了改善SNR和更为精确地再现输入信号，对于传统ADC来讲，必须增加位数。 如果将采样频率提高一个过采样系数k，即采

1.1 DMFC 的工作原理

直接甲醇燃料电池（DMFC）是以质子交换膜为电解质、液态甲醇为燃料的一种新型燃料电池。如图 1.1 所示，它主要由阳极、阴极和电解质膜三部分组成。DMFC 工作时，甲醇和水的混合物经扩散层扩散进入催化层，在阳极催化剂的作用下直接发生电化学氧化反应生成 CO2、6 个电子和 6 个质子。

质子经质子交换膜由阳极迁移到阴极区，而电子经外电路做功后到达阴极区。氧气（或空气）经扩散层扩散进入催化层并在阴极催化剂的作用下与流入阴极区的电子和质子发生电化学反应生成水。电池的总反应方程式如式 1-1 所示，电子在迁移过程中经外电路做功形成回路产生了电流，实现了化学能到电能的转化。

(1)、酸性条件下电极反应与电池总反应方程式为：

阳极： CH3OH + H2O → CO2+ 6H+ + 6e- E10 = 0.046 V 阴极： 3/2 O2 + 6H+ + 6e- →3H2O E20 = 1.23 V

总反应：CH3OH + 3/2 O2 →CO2 + 2H2O E = E20 - E10 =1.18 V (1.1)

从总反应方

大容量SD卡在海洋数据存储中的应用

本设计使用8 GB的SDHC(High Capacity SD Memory Card，大容量SD存储卡)，为了方便卡上数

据在操作系统上的读取，以及数据的进一步分析和处理，在SDHC卡上建立了FAT32文件系统。

海洋要素测量系统要求数据存储量大、安全性高，采用可插拔式存储卡是一种不错的选择。目前，可插拔式存储卡有CF卡、U盘及SD卡。CF卡不能与计算机直接通信；U盘需要外扩接口芯片才能与单片机通信，增加了外形尺寸及功耗；而SD卡具有耐用、可靠、安全、容量大、体积小、便于携带和兼容性好等优点，非常适合于测量系统长期的数据存储。 1 SD卡接口的硬件设计

STM32F103xx增强型系列是意法半导体公司生产的基于Cortex-M3的高性能的32位RISC内核，工作频率为72 MHz，内置高速存储器(128 KB的闪存和20 KB的SRAM)，以及丰富的增强I／O端口和连接到2条APB总线的外设。STM32F103xx系列工作于-40～+105℃的温度范围，供电电压为2.0～3.6 V，与SD卡工作电压兼容，一系列的省电模式可满足低功耗应用的要求。

SD卡支持SD模式和SPI模式两种通信方式。采用SPI模式时，

VLAN工作原理(VLAN通信原理)详解

1、vlan基本通信原理为了提高处理效率，交换机内部的数据帧一律都带有VLAN Tag，以统一方式处理。当一个数据帧进入交换机接口时，如果没有带VLAN Tag，且该接口上配置了PVID （Port Default VLAN ID），那么，该数据帧就会被标记上接口的PVID。如果数据帧已经带有VLAN Tag，那么，即使接口已经配置了PVID，交换机不会再给数据帧标记VLAN Tag。由于接口类型不同，交换机对数据帧的处理过程也不同。下面根据不同的接口类型分别介

绍。

各类型接口对数据帧的处理方式接口类型对接收不带Tag 的报文处理对接收带Tag的报文处理发送帧处理过程Access接口接收该报文，并打上缺省的VLAN ID。当VLAN ID与缺省VLAN ID 相同时，接收该报文；当VLAN ID与缺省VLAN ID不同时，丢弃该报文。先剥离帧的PVID Tag，然后再发送。Trunk接口打上缺省的VLAN ID，当缺省VLAN ID在允许通过的VLAN ID列表里时，接收该报文；当缺省VLAN ID不在允许通过的VLAN ID列表里时，丢弃该报文。当VLAN ID在接口允许通过的VLAN ID列表里时，接