电路原理考试重点

第十四章 二端口网络

本章讨论的问题

1、什么是二端口网络？四端元件一定是二端口网络吗？ 2、什么是二端口网络特性方程？

3、Z参数、Y参数、H参数、T参数方程的物理意义是什么？ 4、如何求出二端口网络的参数？ 教学重点

一、二端口的定义：

如图所示，是四端元件，并且在同一端口上，从端钮流人电流等于从另一个端钮流出电流。

二、二端口特性方程

????

?二端口的端口特性由关于端口四个变量（U1,I1,U2,I2）的两个方程来描述，在上述四个端口变量中任取两个为自变量，另外两个为因变量构成的两个方程，是二端口网络的一组端口特性方程。

????Z111Z参数方程：?U????Z??U2???21?Z12??I1???? ?Z22??I2???????Y11Y12????11?UY参数方程： ?I?????? ?YY22??U2???I2???21??

?????H??H?1112UI11??? H参数方程：??????HH22??U2?????I2???21????AB????U2? 1?T参数方程：?U??????CD????I1?????I2??三、参数的意义与求取方法

1、参数的物理意义是通过参数方程来求得，以Z参数为例，由Z参数方程

第十四章 二端口网络

本章讨论的问题

1、什么是二端口网络？四端元件一定是二端口网络吗？ 2、什么是二端口网络特性方程？

3、Z参数、Y参数、H参数、T参数方程的物理意义是什么？ 4、如何求出二端口网络的参数？ 教学重点

一、二端口的定义：

如图所示，是四端元件，并且在同一端口上，从端钮流人电流等于从另一个端钮流出电流。

二、二端口特性方程

????

?二端口的端口特性由关于端口四个变量（U1,I1,U2,I2）的两个方程来描述，在上述四个端口变量中任取两个为自变量，另外两个为因变量构成的两个方程，是二端口网络的一组端口特性方程。

????Z111Z参数方程：?U????Z??U2???21?Z12??I1???? ?Z22??I2???????Y11Y12????11?UY参数方程： ?I?????? ?YY22??U2???I2???21??

?????H??H?1112UI11??? H参数方程：??????HH22??U2?????I2???21????AB????U2? 1?T参数方程：?U??????CD????I1?????I2??三、参数的意义与求取方法

1、参数的物理意义是通过参数方程来求得，以Z参数为例，由Z参数方程

第六章 一阶电路和二阶电路的时域分析

本章讨论的问题

1、什么是动态电路？什么是换路定律？如何求出电压和电流的初始值？ 2、什么是电路的稳态?什么是电路的暂态? 电路出现暂态现象的原因是什么?如何区分一阶电路和二阶电路？

3、电路的暂态分析方法有几种?分析一阶暂态电路的三要素法是什么?如何求解三个要素？

4、暂态电路的零状态、零输入、全响应的含义是什么？ 5、如何分析一阶电路的阶跃响应和冲激响应？ 6、分析二阶电路的基本方法是什么？ 教学重点

一、基本概念

含有动态元件的电路称为动态电路。动态电路的特征是电路出现换路时，将出现过渡过程。一阶电路通常含有一个动态元件，可以列写电压或电流的一阶微分方程来描述。二阶电路通常含有二个动态元件，可以列写电压或电流的二阶微分方程来描述。

零状态响应：是指换路后电路无外加电源，其响应由储能元件的初始值引起，称暂态电路的零输入响应。

零状态响应：是指储能元件的初始值为零，换路后电路的响应是由外加电源引起的响应，称暂态电路的零状态响应。

全响应：换路后的响应由储能元件初始值和外加电源共同产生的响应，称为暂态电路的全响应。

二、换路定律与初始值的确定

设t?0时电路换路，若换路前后电容电流和电感电压为有限值的条件

分值分布

不定项选 10*2 判断 15*1 简答 25 论述 12+13 案例分析 15

第一章 德育与德育理论的发展

1、德育概念外延的界定要遵循“守一而望多”，所谓“守一”：意严格意义上的德育或德育的基本内涵只能指道德教育。 2、中国德育理论较长时间认为的一种“转化理论”是片面的。 3、定义：德育是教育工作者组织适合德育对象品德成长的价值环境，促进他们在道德认知、情感和实践能力等方面不断建构和提升的教育活动。简言之，德育是促进个体道德自主建构的价值引导活动。

4、古代德育的特征：等级性、神秘性、经验性。

5、现代德育的特征：学习德育的民主化、世俗化、科学化。 6、涂尔干的《道德教育论》被视为德育学产生的标志。 7、德育原理的特征体现在：理论性、基础性、综合性。

第三章 德育本质和德育功能

1、道德教育的本质或本质功能也就是对个体在社会生活中追求其属人的精神性和精神性生活的一种有意识的帮助。

2、德育功能则须反映这样一个问题——“德育（本来）能够干些什么？”

3、树立正确的德育功能观的实践意义：①正确的德育功能观有助于德育目标的确定。②正确的德育功能观有助于适度、适当的德育评价的形成。③正确的德育功能观有

华中科技大学硕士研究生入学考试《电路理论》考试大纲

（代码 814）

第一部分 考试说明

一、考试性质

《电路理论》是我校电气学院各专业硕士研究生（科学学位）入学必考的专业基础课之一。它的评价标准是电类专业优秀本科毕业生所能达到的水平，以保证被录取者具有较扎实的电路理论基础。

二、考试形式试卷结构

（一）答卷方式：闭卷，笔试 （二）答题时间：180分钟 （三）题型：全部为分析计算题 （四）参考书目

《电路原理》（上，下册）. 汪建编著. 清华大学出版社 《电路理论》. 颜秋容、谭丹主编. 电子工业出版社

第二部分 考查要点

一、电路的基本概念和基本分析方法

KCL和KVL；电功率和电能量及吸收功率和发出功率的概念及其判定；线性非时变电阻、电压源、电流源、受控电源及运算放大器的特性；奇异函数及波形的表示；线性非时变电容、电感元件的特性；树、割集、基本回路和基本割集的概念；有向图的矩阵表示；KCL和KVL的矩阵形式；独立和完备的网络变量的概念；等效电路和等效变换的概念；线性二端电阻'性网络入端电阻的概念及入端电阻的计算；戴维宁-诺顿等效电路变换；无伴电源的转移；平衡电桥；含理想运算放大器电路的分析；电感、电容元件的串并联；节点分析法和回路（

1. 名词解释

1. 标准染色亲和力：指在标准状态下染料在染浴中的化学位与在纤维上的化

学位之差。 2. 染色热：无限小量的染料，从标准状态的染液中转移到标准状态的纤维上，

每摩尔染料转移所引起的热量变化。 3. 染色熵：指在标准状态下，染料由染液转移到纤维上所引起体系混乱度的

变化

4. 纤维表面的扩散边界层：在动力学边界层中，，靠近表面的染液流速几乎

为零，染料主要靠自身的扩散来到达纤维表面的区域。 5. zeta电位：即动电层电位，指动电层与溶液内部的电位差。

6. 无限染浴：指浴比很大，足以维持染液中染料浓度基本不变的染浴。 7. 非稳态扩散：指溶质在扩散介质中，各点浓度随时间的变化而不断变化的

过程。

8. 移染;指吸附在纤维上的染料从纤维上解吸下来，再重新上染纤维的性能。 9. 孔道扩散模型：亲水性纤维在水溶液中能吸湿膨化，所有空隙贯通形成曲

曲折折的孔道，染料就沿这条孔道进入扩散。

10. 自由体积模型：疏水性纤维在水溶液中几乎不吸湿膨化，空隙很小，分散

于无定形区中，温度升高，当T>Tg时，大分子链段运动，原来分散的小空隙合并成大体积，即自由体积，染料沿这些不断变化的体积跳跃式地扩散前进。

2. 染料的吸附等温线有哪些主要类型?各类型吸附等

集成电路设计考点

1. 填空题 1. NML和 NMH的概念，热电势，D触发器，D锁存器，施密特触发器。

低电平噪声容限：VIL-VOL

高电平噪声容限：VOH-VIH 这一容限值应该大于零

热电势：两种不同的金属相互接触时，其接触端与非接触端的温度若不相等，则在两种金属之间产生电位差称为热电势。 2.

MOS晶体管动态响应与什么有关？（本征电容P77）

MOS晶体管的动态响应值取决于它充放电这个期间的本征寄生电容和由互连线及负载引起的额外电容所需要的时间。

本征电容的来源：基本的MOS结构、沟道电荷以及漏和源反向偏置PN结的耗尽区。 3. 设计技术（其他考点与这种知识点类似）P147

怎样减小一个门的传播延时：

减小CL：负载电容主要由以下三个主要部分组成：门本身的内部扩散电容、互连线电容和扇出电容。 增加晶体管的宽长比 提高VDD 4.

有比逻辑和无比逻辑。

有比逻辑：有比逻辑试图减少实现有一个给定逻辑功能所需要的晶体管数目，但它经常以降低稳定性和付出额外功耗为代价。

这样的门不是采用有源的下拉和上拉网络的组合，而是由一个实现逻辑功能的NMOS下拉网络和一个简单的负载器件组成。

无比逻辑：逻辑电平与器件的相对尺寸无关的门叫

第一章“电路模型和电路定律”练习题

1-1说明题1-1图（a）、（b）中：（1）u、i的参考方向是否关联？（2）ui乘积表示什么功率？（3）如果在图（a）中u>0、i<0；图（b）中u>0、i>0，元件实际发出还是吸收功率？

元件i+ui元件u? +?

（a） （b）

题1-1图

解：（1）图（a）u、i的参考方向关联，图（b）u、i的参考方向不关联； （2）图（a）中ui乘积表示吸收功率，图（b）ui乘积表示发出功率； （3）图（a）中元件实际发出功率，图（b）元件实际发出功率；

1-4 在指定的电压u和电流i的参考方向下，写出题1-4图所示各元件的u和i的约束方程（即VCR）。

i+10k?ui10?ui+10Vu??

? +? +（a） （b） （c）

i?+5Vu+i10mAui10mAu?

+?

+?

（d） （e） （f）

题1-4图

解：（a）u=1x104i （b）u=-10i （c）

集成电路设计考点

1. 填空题 1. NML和 NMH的概念，热电势，D触发器，D锁存器，施密特触发器。

低电平噪声容限：VIL-VOL

高电平噪声容限：VOH-VIH 这一容限值应该大于零

热电势：两种不同的金属相互接触时，其接触端与非接触端的温度若不相等，则在两种金属之间产生电位差称为热电势。 2.

MOS晶体管动态响应与什么有关？（本征电容P77）

MOS晶体管的动态响应值取决于它充放电这个期间的本征寄生电容和由互连线及负载引起的额外电容所需要的时间。

本征电容的来源：基本的MOS结构、沟道电荷以及漏和源反向偏置PN结的耗尽区。 3. 设计技术（其他考点与这种知识点类似）P147

怎样减小一个门的传播延时：

减小CL：负载电容主要由以下三个主要部分组成：门本身的内部扩散电容、互连线电容和扇出电容。 增加晶体管的宽长比 提高VDD 4.

有比逻辑和无比逻辑。

有比逻辑：有比逻辑试图减少实现有一个给定逻辑功能所需要的晶体管数目，但它经常以降低稳定性和付出额外功耗为代价。

这样的门不是采用有源的下拉和上拉网络的组合，而是由一个实现逻辑功能的NMOS下拉网络和一个简单的负载器件组成。

无比逻辑：逻辑电平与器件的相对尺寸无关的门叫

第一章“电路模型和电路定律”练习题

1-1说明题1-1图（a）、（b）中：（1）u、i的参考方向是否关联？（2）ui乘积表示什么功率？（3）如果在图（a）中u>0、i<0；图（b）中u>0、i>0，元件实际发出还是吸收功率？

元件i+ui元件u? +?

（a） （b）

题1-1图

1-4 在指定的电压u和电流i的参考方向下，写出题1-4图所示各元件的u和i的约束方程（即VCR）。

i+10k?ui10?ui+10Vu??

? +? +（a） （b） （c）

i?+5Vu+i10mAui10mAu?

+?

+?

（d） （e） （f）

题1-4图

1-5 试求题1-5图中各电路中电压源、电流源及电阻的功率（须说明是吸收还是发出）。

5?15V2A+2A5?15V++5?2A15V???

（a） （b）