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《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习

填 空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。

6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分

电子技术模拟试题卷库 电子技术 试卷一

一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题共13小题，总计34分) 1、(本小题2分)

由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”， 断开为“0”， 电灯亮为“1”， 电灯暗为“0”， 则该电路为 ( )。

(a)“ 与” 门 (b)“ 或” 门 (c) “ 非” 门

AHL+B－

2、(本小题2分)

若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )(a) 正、反向电阻相等

(b) 正向电阻大 ，反向电阻小 (c) 反向电阻比正向电阻大很多倍 (d) 正、反向电阻都等于无穷大 3、(本小题2分)

运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。

(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈 (b) RF1和RF2引入的均为负反馈 (c) RF1和RF2引入的均为正反馈

(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈

RF1uIR1-∞u＋o＋RR2F2

4、(本小题2分)

振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在 （ ）。 (

《电子技术基础》考试模拟样卷

《电子技术基础》模拟试题一

一、选择题（每空2分 共30分）

1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电

压（ ）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电

阻为（ ），等效成断开；

4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用

（ ）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=

（ ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ）， （ ）称为反馈深度。

11、

第四章 集成运算放大电路

自 测 题

一、选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号

（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好

（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻

（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路

解：（1）C

模拟电路

复习预习方法：

1、 掌握基本理论：二极管、三极管的特点和用途，反馈的定义、分类、判断，功率放大的

原理与分类，滤波器的基本原理，波形发生器的原理与能否起震的判断，直流电源的基本原理及构成。

2、 掌握的计算：三极管放大电路的静态、动态分析，集成远放的相关计算，振荡电路频率

计算，直流电源的简单计算。

3、 除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。 习题一、半导体二极管及其应用

1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于 答案：C

2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______ a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度 答案：B

3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案：C

4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______ a 高 b 低 c不变 答案：B

5.N 型半导体______

a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案：C

6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ a 增大 b 减小 c 不变 答案：C

7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将______ a 不变 b 变宽小于 c 变窄

《模拟电子技术基础》模拟试题六

学号姓名 .

一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。（）（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。（）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。（）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。（）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。（）（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（）（7）半导体中的空穴带正电。（）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。（）（10）凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。（）二、选择填空（10分）

（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；

为了展宽频带，应在放大电路中引入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法

（4）两个β相

模拟电子技术基础试题汇总

一.选择题

1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零

2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏

3. 某放大电路图所示.设VCC>>VBE, LCEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定

4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性

5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真

6.电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

模拟电子技术基础试题汇总

一.选择题

1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( )。

A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零

2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏

3. 某放大电路图所示.设VCC>>VBE, LCEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定

4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性

5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真

6.电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( )。

练习一

一、填空(16分)

1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)

1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结

模拟电子技术基础试题汇总

一.选择题

1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( )。

A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零

2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏

3. 某放大电路图所示.设VCC>>VBE, LCEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定

4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性

5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真

6.电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( )。