2极管和3极管的区别

低频电子电路

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模拟万用表和数字万用表在测二极管、三极管和电容时的应用并比较。

模拟万用表（电流黑出红入）

1) 测二极管正负极：用黑、红表笔分别接触二极管的两极，观察表头指针，若指针有较大偏转，则黑表笔接触极为正极，红表笔接触极为负极；若指针无偏转则相反。

2) 判断三极管的材料，e、b、c极并估计β值：

首先判断基极并判断三极管类型是NPN型还是PNP型：试着将黑表笔接触三极管的一级，再分别用红表笔接触其他两级，当两次指针都有较大偏转时，可以判断黑表笔接触端为b极，该三极管为NPN型；将红表笔接触三极管的一级，分别用黑表笔接触其他两级，若两次指针都有较大偏转，则红表笔接触端为b极，该三极管为PNP型。

以NPN为例，判断e、c两级：用红、黑表笔分别接触其余两级，用手分别接触黑表笔接触端和b极，当表头指针有偏转时黑表笔接触端为c极。

估计β值：可由测得的电阻值估测电流值，即可估测出相应的Ib和Ic值，β≈Ic/Ib

3) 测电容的好坏：将两表笔分别接触电容的两级，若观察到指针偏转到一定角度又返回，则电容是好的，并可以由其偏转大小估测电容大小。

数字万用表：（红正黑负）

1) 二极管：打到二极管的档上，用黑、红表笔接触两极，当发出声音时红表笔接触处为二极管的正极；

2) 三极管

半导体器件测试题

一、填空(40分)

1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成P型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。

2、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， 即称为 电压。其中 稳压管一般工作在 区。

3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、二极管的主要参数有 ________、_________和 。

5、晶体三极管是___________控制器件。三极管按材料分为_ 和 两种类型，而每一种又有 和 两种结构形式。

6、三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。工作在饱和区时发射结 偏；集电

三极管和场效应管 练习题2

一、单选题(每题1分)

1. 场效应管本质上是一个（ ）。

A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件

2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的??50，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定

3. 放大电路如图所示，已知三极管的??50，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定

4. 某三极管的PCM?100mW,ICM?20mA,U(BR)CEO?15V，则下列状态下三极管能

正常工作的是（ ）。

A. UCE?3V,IC?10mA B. UCE?2V,IC?40mA C. UCE?6V,IC?20mA D. UCE?20V,IC?2mA

5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。

A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS

第15章 半导体二极管和三极管15.1 半导体的导电特性

15.2 PN结15.3 半导体二极管 15.4 稳压二极管 15.5 半导体三极管

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第15章 半导体二极管和三极管本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。

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对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标， 就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误 差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。总目录 章目录 返回 上一页 下一页

15.1 半导体的导电特性半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成

三极管接成二极管的特点与用途

在电子电路中，常见到晶体三极管接成二极管的形式使用，特别是在集成电路中，这种情况更为普遍。

在图1的分立元件组成的差动式放大电路中，T4三极管的基极和集电极是短接在一起的，构成了一个二极管，在电路中起温度补偿作用。T4三极管的材料和类型与T3完全相同，这是因为同类型三极管的温度系数更为接近和一致，所以温度补偿的效果更好。其补偿原理是：未加入T4、R2之前，T3、R1、R3构成一个恒流源。I3=(Ec-Ube3)／[R3+(R1／B)]，其特点是动态电阻大，静态电阻小，作为T1、T2的射极有源负载，抑制共模放大。由于T3的Ube3易受温度影响，使I3也易受温度影响而发生变化。加入了T4、B2之后，I3=Ec-Ube3-R1I4／[R3+(R1／β)]，当温度变化引起Ube3↓时，由于T3与T4完全相同，Ubet也↓，I4=Ec-Ube4／(R1+R2)，使得I4↑从而使I3=Ec-Ube3↓-R1I4↑／[R3+(R1／β)]基本保持恒定，补偿了温度变化引起的电流变化，从而起到了温度补偿的作用。就是说，在分立元件电路中，若三极管接成二极管使用，大都是作为温度补偿使用的。转载请注明转自“维修吧-ht

常用仪器仪表的使用及二极管和三极管测试

1． 实验目的

（1）学会双踪示波器、信号发生器、稳压电源、万用表等常用仪器的使用方法,掌握用示波器测量交流信号的电压幅值、周期、频率等参数。

（2）学习使用万用表判断二极管、三极管管脚极性的方法。 2． 知识要点

（1）各种实验仪器与实验电路之间的连接关系见图2-1

图2-1 实验仪器与实验电路之间的连接关系

（2）用示波器测量交流信号波形的幅值、周期、频率

1）交流信号波形的幅值测量：在图2-2中，如果“VOLTS/div”为1V/div，峰-峰之间高度为6div，计算方法为：UP-P=1V/div×6div=6V，如果探头为10：1，实际值为UP-P=60V。此时“VOLTS/div”的“微调”旋钮应置于“校准”位置。

2）交流信号波形的周期、频率测量：在图2-3中，在屏幕上一个周期为4div。如果“扫描时间”为1ms/div，周期T=1ms/div×4div=4ms。由此可得频率f=1/4ms=250Hz。此时扫描时间的“微调”旋钮应置于“校准”位置。

图2-2 电压测量 图2-3 周期和频率测量

（3）信号发生器输出信号的调节：调

光敏三极管的结构及工作原理

说光敏三极管与二极管不同的是有两个背对相接的PN结。与普通三极管相似的是，它也有电流增所以一般没有基极引出线，只有集电极C和发射极e两个引脚，而且外形和光敏二极管极为相似，很难区别开，需认真看清管壳外缘标注的型号，以免混淆。

明： 益。图21-7示出了NPN型光敏兰极管的结构。需要指出的是，因光敏三极管无须电参量控制，

有时为了提高电压放大倍数，生产商将光敏三极管与另一普通二极管制作在一个管芯内，连结成复合管形式，称为达林顿型光敏三极管。它的电压放大倍数很高(β=βlβ2)，且允许输出较大电流，即电流放大倍数也很高(α=α1α2)。但达林顿型光敏三极管的暗电流较大，非线性严重，温

漂大以及抗干扰能力差，需在电路中增加抑制回路方能正常工作。

网名： sels

光敏三极管基础知识

光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等

作用。

当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材

二極管、三極管、IC常用封裝ListDIP:(Double In-line Package) 雙列直插式組裝NO. 封 裝 圖 形 實 例

1

DO-34

1SS133

2

DO-35

1N5232

3

DO-41

1N5819

4

DO-27

1N5400

5

DO-15

RL205

6

TO-92

2SC2001

7

SC-72(SPT)

2SA933

8

TO-126

2SB772

9

TO-220

CEP703AL

10

SIP(單列直插)

VFD

11

KBP +

橋堆(橋式整流器)

12

DIP(雙列直插)

IC1563

二極管、三極管、IC常用封裝List

DIP：(Double In-line Package) 雙列直插式組裝

SMT:(Sarface Mount Technologic) 表面裝貼技朮NO. 封 裝 圖 形 實 例

1

SC-59(SMT3)

2SC2411

2

SOT-23

2N3904

3

SMA

1N5819

4

TO-252

CEU6030L

5

SOP

CS4340

29

21

6

PLCC

1

14 21

Flash Rom 4M 90NS PLCC 32P WINBOND

1

48

7

TSOP24 25

Flash Rom SDRAM

156 157

105

104

8

TQFP208 1 52 53

ST5508

SMT：(Sarfa

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

第二章 半 导 体 三极管2.1 双极型半导体三极管 2.2单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

2.1 双极型半导体三极管

3A X8 1

3A X1

3D

G4

3AD10

(a)

(b)

(c)

(d)

图 2 - 1 几种半导体三极管的外形

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

2.1.1 晶体三极管的工作原理一、结构及符号

图 2 – 2 晶体三极管的结构示意图和符号

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个 区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极： 发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两 交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。常 用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种三极管类型。 它 们 对 应 的 型号 分 别 为 ：3A( 锗PNP) 、 3B( 锗 NPN) 、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。

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第二章 半导体三极管

二、 三极管的三种连接方式e IC e IE b IB IC c