mos管h桥驱动电路

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MOS管驱动电路

标签:文库时间:2024-12-15
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MOS管驱动电路

首先,这都是由于疏忽造成的,一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误,所以就贴出来了!不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的,电路方面基础较差,可能分析不太正确,请见谅!

两幅图中,PWM为幅值为2.8V的方波信号,两幅图中,不同之处就是:负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1,而我由于疏忽,再绘制电路原理图的时候就弄成了图2,那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢?

图1中,PWM信号为高时(即VGS=2.8V),MOS管导通,MOS管D端同电源地导通,4.2V电压全部加载在负载上,这就是我们想要的。图2中,PWM信号为高时(MOS管G极电压为2.8V),MOS管部分导通,MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右(不同MOS管,有所不同,也就是MOS管最小导通电压),也就是说VS=2.2V左右,那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了,这肯定不是我们想要的了。至于为什么,我觉得是:MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压(SI2302就是0.6V),而当VGS=0.6V左右时,只能部分导通,故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时,要多加小心,

MOS管驱动电路

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MOS管驱动电路

首先,这都是由于疏忽造成的,一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误,所以就贴出来了!不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的,电路方面基础较差,可能分析不太正确,请见谅!

两幅图中,PWM为幅值为2.8V的方波信号,两幅图中,不同之处就是:负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1,而我由于疏忽,再绘制电路原理图的时候就弄成了图2,那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢?

图1中,PWM信号为高时(即VGS=2.8V),MOS管导通,MOS管D端同电源地导通,4.2V电压全部加载在负载上,这就是我们想要的。图2中,PWM信号为高时(MOS管G极电压为2.8V),MOS管部分导通,MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右(不同MOS管,有所不同,也就是MOS管最小导通电压),也就是说VS=2.2V左右,那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了,这肯定不是我们想要的了。至于为什么,我觉得是:MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压(SI2302就是0.6V),而当VGS=0.6V左右时,只能部分导通,故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时,要多加小心,

MOS管驱动电路详解

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MOS管驱动电路综述连载(一)

时间:2009-07-06 8756次阅读 【网友评论2条 我要评论】 收藏 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

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IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

3.3 电机驱动模块设计 3.3.1 H桥工作原理及驱动分析

要控制电机的正反转,需要给电机提供正反向电压,这就需要四路开关去控制电机两个输入端的电压。H桥驱动原理等效原理图图如图3-5所示,当开关S1和S3闭合时,电流从电机左端流向电机的右端,设此时的旋转方向为正向;当开关S2和S4闭合时,电流从电机右端流向电机左端,电机沿反方向旋转。 S1S4MotorS2S3GNDM 图3-5 H桥驱动原理等效电路图 常用可以作为H桥的电子开关器件有继电器,三极管,MOS管,IGBT管等。普通继电器属机械器件,开关次数有限,开关频率上限一般在30HZ左右,而且继电器内部为感性负载,对电路的干扰比较大,但继电器可以把控制部分与被控制部分分开,实现由小信号控制大信号,所以高压控制中一般会用到继电器。三极管属于电流驱动型器件,设基极电流为IB,集电极电流为IC,三极管的放大系数为β,电源电压VCC,集电极偏置电阻RC ,如果IB*β>=IC, 则三极管处于饱和状态,可以当作开关使用,集电极饱和电流IC =VCC/RC ,由此可见集电极的输出电流受到RC的限制,不适合应用于电流要求较高的场合。MOS管

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

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IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

3.3 电机驱动模块设计 3.3.1 H桥工作原理及驱动分析

要控制电机的正反转,需要给电机提供正反向电压,这就需要四路开关去控制电机两个输入端的电压。H桥驱动原理等效原理图图如图3-5所示,当开关S1和S3闭合时,电流从电机左端流向电机的右端,设此时的旋转方向为正向;当开关S2和S4闭合时,电流从电机右端流向电机左端,电机沿反方向旋转。 S1S4MotorS2S3GNDM 图3-5 H桥驱动原理等效电路图 常用可以作为H桥的电子开关器件有继电器,三极管,MOS管,IGBT管等。普通继电器属机械器件,开关次数有限,开关频率上限一般在30HZ左右,而且继电器内部为感性负载,对电路的干扰比较大,但继电器可以把控制部分与被控制部分分开,实现由小信号控制大信号,所以高压控制中一般会用到继电器。三极管属于电流驱动型器件,设基极电流为IB,集电极电流为IC,三极管的放大系数为β,电源电压VCC,集电极偏置电阻RC ,如果IB*β>=IC, 则三极管处于饱和状态,可以当作开关使用,集电极饱和电流IC =VCC/RC ,由此可见集电极的输出电流受到RC的限制,不适合应用于电流要求较高的场合。MOS管

mos管门级驱动电阻计算

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关于MOSFET驱动电阻的选择 等效驱动电路: VCC12VLDRIVERgCgsQ L为PCB走线电感,根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素,取L=Length+10(nH),其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻,设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容,不同的管子及不同的驱动电压时会不一样,这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V ?? 令驱动电流Id := C????tVCgs(t)????得到关于Cgs上的驱动电压微分方程: ???2??R???VCgs(t)???Vdr???0 ????C?LC?VCgs(t)VCgs(t)????t???t2?????用拉普拉斯变换得到变换函数:G := Vdr 1RgS2?LCS???S???LC???L????这是个3阶系统,当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡,有两个相同实根时是临界阻尼震荡,当有虚根时是欠阻尼震荡,此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形,这是我们不希望看到的,因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态,考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。 LC???Rg,因此根据走线长度可以得到Rg最小取

MOS管参数详解及驱动电阻选择 - 图文

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MOS管参数解释

MOS管介绍

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。

MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。

在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的MOS管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的

直流电机H桥驱动原理和驱动电路选择L9110 - 图文

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直流电机H桥驱动原理和驱动电路选择L9110 L298N LMD18200

直流电机H桥驱动原理和 L9110 L298N LMD18200 电路

在直流电机驱动电路的设计中,主要考虑一下几点:

1. 功能:电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动,只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机

即可,当电机需要双向转动时,可以使用由4 个功率元件组成的H 桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器。如果不需要调速,只要使

用继电器即可;但如果需要调速,可以使用三极管,场效应管等开关元件实现PWM(脉冲宽度调制)调速。

2. 性能:对于PWM 调速的电机驱动电路,主要有以下性能指标。 1)输出电流和电压范围,它决定着电路能驱动多大功率的电机。

2)效率,高的效率不仅意味着节省电源,也会减少驱动电路的发热。要提高电路的效率,可以从保证功率器件的开关工作状态和防

止共态导通(H 桥或推挽电路可能出现的一个问题,即两个功率器件同时导通使电源短路)入手。 3)对控制输入端的影响。功率电路对其输入端应有良好的信号隔

长城哈弗h6驱动桥毕业设计

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黑龙江工程学院本科生毕业设计

第1章 绪 论

1.1 概述

1.1.1驱动桥总成概述

随着汽车工业的发展及汽车技术的提高,驱动桥的设计,制造工艺都在日益完善。驱动桥也和其他汽车总成一样,除了广泛采用新技术外,在机构设计中日益朝着“零件标准化、部件通用化、产品系列化”的方向发展及生产组织的专业化目标前进。

汽车驱动桥位于传动系的末端, 一般由主减速器,差速器,车轮传动装置和桥壳组成。其基本功用是增扭、降速和改变转矩的传递方向,即增大由传动轴或直接从变速器传来的转矩,并将转矩合理的分配给左右驱动车轮;其次,驱动桥还要承受作用于路面或车身之间的垂直力,纵向力和横向力,以及制动力矩和反作用力矩等。

根据车桥上车轮的作用,车桥又可分为转向桥、驱动桥、转向驱动桥和支持桥四种类型。其中,转向桥和支持桥都属于从动桥,一般越野车多以前桥为转向桥,而后桥为驱动桥。

驱动桥的结构型式与驱动车轮的悬挂型式密切相关。当驱动车轮采用非独立悬挂时,例如在绝大多数的载货汽车和部分小轿车上,都是采用非断开式驱动桥;当驱动车轮采用独立悬挂时,则配以断开式驱动桥。 1.1.2 驱动桥设计的要求

设计驱动桥时应当满足如下基本要求:

1)选择适当的主减速比,以保证汽车在给定的条

长城哈弗h6驱动桥毕业设计

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黑龙江工程学院本科生毕业设计

第1章 绪 论

1.1 概述

1.1.1驱动桥总成概述

随着汽车工业的发展及汽车技术的提高,驱动桥的设计,制造工艺都在日益完善。驱动桥也和其他汽车总成一样,除了广泛采用新技术外,在机构设计中日益朝着“零件标准化、部件通用化、产品系列化”的方向发展及生产组织的专业化目标前进。

汽车驱动桥位于传动系的末端, 一般由主减速器,差速器,车轮传动装置和桥壳组成。其基本功用是增扭、降速和改变转矩的传递方向,即增大由传动轴或直接从变速器传来的转矩,并将转矩合理的分配给左右驱动车轮;其次,驱动桥还要承受作用于路面或车身之间的垂直力,纵向力和横向力,以及制动力矩和反作用力矩等。

根据车桥上车轮的作用,车桥又可分为转向桥、驱动桥、转向驱动桥和支持桥四种类型。其中,转向桥和支持桥都属于从动桥,一般越野车多以前桥为转向桥,而后桥为驱动桥。

驱动桥的结构型式与驱动车轮的悬挂型式密切相关。当驱动车轮采用非独立悬挂时,例如在绝大多数的载货汽车和部分小轿车上,都是采用非断开式驱动桥;当驱动车轮采用独立悬挂时,则配以断开式驱动桥。 1.1.2 驱动桥设计的要求

设计驱动桥时应当满足如下基本要求:

1)选择适当的主减速比,以保证汽车在给定的条