igbt中文全称

0 2014选型手册Product Catalog

POWER-SEM ELECTRONIC TECHNIQUE CO.,LTD. 2014.03.

IGBT驱动●中国 IGBT driver& Thyristor driverHigh-Performance Gate Drivers Based on ASICs Chipset基于专用芯片组 (ASICs)设计的高性能 IGBT驱动器及晶闸管驱动器

基于专用芯片组(ASICs)设计的高性能门极驱动解决方案,

服务

定制服务：具有20多年应用经验的工程师们可为您的新产品开发提供设计帮助，以开发独特的，个性化定制的解决方案。样品试用：我们的大部分标准型号均备有试用样品及验证适配板以供您测试和验证设计。环境测试：我们的实验室可为您提供特殊环境的电气性能测试。

专用芯片组(ASICs) | 通用IGBT驱动器 | 三电平专用驱动器 | HV-IGBT驱动器 | 即插即用IGBT驱动器| 适配板 |

电压，600V---3300V dv/dt，75kV/μs 最高工作频率，100kHz

最高隔离电压，8kVac

●1分钟 最大输出功率，2x4W

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POWER-SEM ELECTRONIC TECHNIQUE CO.,LTD. 2014.03.

IGBT驱动●中国 IGBT driver& Thyristor driverHigh-Performance Gate Drivers Based on ASICs Chipset基于专用芯片组 (ASICs)设计的高性能 IGBT驱动器及晶闸管驱动器

基于专用芯片组(ASICs)设计的高性能门极驱动解决方案,

服务

定制服务：具有20多年应用经验的工程师们可为您的新产品开发提供设计帮助，以开发独特的，个性化定制的解决方案。样品试用：我们的大部分标准型号均备有试用样品及验证适配板以供您测试和验证设计。环境测试：我们的实验室可为您提供特殊环境的电气性能测试。

专用芯片组(ASICs) | 通用IGBT驱动器 | 三电平专用驱动器 | HV-IGBT驱动器 | 即插即用IGBT驱动器| 适配板 |

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最高隔离电压，8kVac

●1分钟 最大输出功率，2x4W

首先，是我和我的小伙伴们：

中国心血管杂志

Chinese Journal of Cardiovascular Medicine Chin J Cardiovasc Med

中国神经免疫学和神经病学杂志

Chinese Journal of Neuroimmunology and Neurology Chin J Neuroimmunol Neurol

中华老年医学杂志

Chinese Journal of Geriatrics Chin J Geriatr A 癌症

Chinese Journal of Cancer Chin J Cancer

癌变·畸变·突变

Carcinogenesis, Teratogenesis & Mutagenesis Carcinog Teratogenesis Mutagen

癌症康复

Cancer Rehabilitation Cancer Rehabil

安徽医学

Anhui Medical Journal Anhui Med J

安徽中医药大学学报

Journal of Anhui University of Chinese Medicine J Anhui Univ Chin Med

中文全称 浙江大学 中国科学院 清华大学 东南大学 大连理工大学 南京大学 四川大学 上海交通大学 中山大学 华中科技大学 北京大学 山东大学 复旦大学 南开大学 北京邮电大学 中国科学技术大学吉林大学 西安交通大学 哈尔滨工业大学 天津大学 兰州大学 华南理工大学 武汉大学 湖南大学 华南师范大学 北京航天航空大学东北大学 电子科技大学 华东科技大学 中南大学

西安电子科技大学同济大学 厦门大学 北京交通大学 东吴大学 安徽大学 北京理工大学 香港城市大学 湘潭大学 北京师范大学 华东师范大学 南京理工大学 东北师范大学

英文缩写 ZHEJIANG UNIV CHINESE ACAD SCI TSINGHUA UNIV SOUTHEAST UNIV DALIAN UNIV TECHNOL NANJING UNIV SICHUAN UNIV

SHANGHAI JIAO TONG UNIV SUN YAT SEN UNIV

HUAZHONG UNIV SCI TECHNOL PEKING UNIV SHANDONG UNIV FUDAN UNIV NANKAI UNIV

BEIJING UNIV POSTS TELECOMMUN UNIV SC

中文全称 浙江大学 中国科学院 清华大学 东南大学 大连理工大学 南京大学 四川大学 上海交通大学 中山大学 华中科技大学 北京大学 山东大学 复旦大学 南开大学 北京邮电大学 中国科学技术大学吉林大学 西安交通大学 哈尔滨工业大学 天津大学 兰州大学 华南理工大学 武汉大学 湖南大学 华南师范大学 北京航天航空大学东北大学 电子科技大学 华东科技大学 中南大学

西安电子科技大学同济大学 厦门大学 北京交通大学 东吴大学 安徽大学 北京理工大学 香港城市大学 湘潭大学 北京师范大学 华东师范大学 南京理工大学 东北师范大学

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采用突波吸收电容减小UPS直流总线电压

[出处/作者]：庄宏 刘静

众所周知，逆变器是UPS的核心部分，逆变器的性能决定了UPS的输出性能指标。在一个由整流器、逆变器、充电器等组成的UPS中（如图1），逆变器不但要承受来自负载的冲击，还要随时对直流总线电压的波动进行调整。大量的统计数据证明，直流总线电压的异常波动和负载的冲击是造成逆变器故障的主要原因。在UPS实际运用过程中，负载的冲击不可避免，而稳定直流总线电压、减小直流总线电压的纹波却是可以做到的。

图1 UPS结构框图

直流总线电压的纹波主要由整流输入电压的波动和逆变器IGBT开关的反冲电压回馈至直流总线形成。如果纹波过大，就会造成整流滤波电容温升过高，寿命缩短，同时加大了逆变器PWM调节频繁程度，容易造成控制电路不稳定而导致故障发生。由于直流总线直接和外部电池连接，过高的直流总线纹波电压还会成为 EMI干扰源。

在整流器输出端减小市电造成的50Hz电压纹波主要采用大容量的铝电解电容器并联，而对于逆变器高频开关反冲电压形成的电压纹波则要寻求新的途径来解决。如图2是一个20KVAUPS的桥式整流滤波电路和逆变电路，其中直流总线上的滤波电容由六个2200μF/600WV的电解电容并

一、PAHs/多环芳香烃是什么

是指具有两个或者两个以上的苯的一类有机化合物。是分子中含有两个以上苯环的碳氢化合物，包括萘、蒽、菲、芘等150余种化合物。英文全称polycyclic aromatic hydrocarbon,简称PAHS。有些还含有氮、硫和环戊烷，常见的多环芳具有致癌作用的为四到六种的稠环化合物。国家癌研究中心（IARC）（1976）年列出的94种对实验动物致癌的化合物。其中15种属于PAHS，由于苯并[a]芘是第一个被发现的环境化学致癌物，而且致癌性很强，故常以苯并[a]芘作为PAHS的代表，它占全部致癌性PAHS1%-20%。

二、多环芳香烃的主要成分

目前确定的PAHS常见的16种同类物质主要包括： 1 Naphthalene 萘

2 Acenaphthylene 苊烯 3 Acenaphthene 苊 4 Fluorene 芴 5 Phenanthrene 菲 6 Anthracene 蒽 7 Fluoranthene 荧蒽 8 Pyrene 芘

9 Benzo(a)anthracene 苯并（a）蒽 10 Chrysene 屈

11 Benzo(b)fluoranthene 苯并（b）荧蒽

摘要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管合成的复合型全控型电压驱动式功率半导体器件，具有绝缘栅型场效应管的高输入阻抗及双极型三极管的低导通压降、以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点，作为电力电子系统的核心开关器件， IGBT起了不可取代的关键的作用。本文主要针对IGBT的发展历程和国内外技术现状、阐述了一些先进的芯片技术和新结构、新材料及模块封装技术。描述了IGBT芯片和模块的发展方向。 1.引 言

全球能源危机及气候变暖的威胁使人们在追求经济发展的同时越来越重视绿色环保，节能减排。电力电子是节能减排的王牌技术，从电能产生、电能传 输、电能使用到电能管理，渗透到工业、交通、通信、能源等各个领域，发挥着举足轻重的作用。电力电子器件是电力电子装置和系统的“绿色的芯”。目前我国新 型的电力电子器件主要代表是IGBT、VDMOS 和FRED等高频器件，而新材料的电力电子器件的主要代表是SiC及GaN器件。本文重点针对IGBT发展历史、现状、新结构、新材料及其新封装技术做一 些阐述。 2.IGBT是节能减排的王牌器件

作为新型高频大功率电力半导体器件代表的IGBT自 1982年问世以来，在国民经济的各行各业得

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（10）申请公布号

CN209374447U

（43）申请公布日 2019.09.10（21）申请号CN201920161495.4

（22）申请日2019.01.30

（71）申请人宁波达新半导体有限公司;杭州达新科技有限公司

地址315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室

（72）发明人钱进;轩永辉

（74）专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人郭四华

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

IGBT半桥模块

（57）摘要

本实用新型公开了一种IGBT半桥模块，

包括：底板、芯片单元、陶瓷覆铜板、功率端

子、信号端子和信号端子座；芯片单元包括IGBT

芯片和FRD芯片；信号端子包括栅极信号端子和

发射极信号端子，信号端子都直接焊接在陶瓷覆

铜板上，IGBT芯片的栅极通过铝线键合在陶瓷覆

铜板上并引出到对应的栅极信号端子上，IGBT芯

片的发射极通过铝线键合在陶瓷覆铜板上并引出

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.............

本科毕业论文（设计）

题目：IGBT的仿真设计

学 院： 理 学 院 专 业： 电子科学与技术 班 级： 2007级1班 学 号： 070712110075 学生姓名： 孙 阔 指导教师：傅 兴 华

2011年 6月 1日

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贵州大学本科毕业论文（设计）

诚信责任书

本人郑重声明：本人所呈交的毕业论文（设计），是在导师的指导下独立进行研究所完成。毕业论文（设计）中凡引用他人已经发表或未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处。

特此声明。

论文（设计）作者签名：

日 期：

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目录

摘要.............................................................................................................................. III 第一章 绪论...............