DDR3 DIMM

FPGA BANK选择页面中的图是所选部件物理表示的架构视图。默认情况下， MIG 将使用推荐的选择，地址/控制BANK和数据BANK是根据V6对不同频率的规则限定的。选择您想要使用的BANK for内存接口，你用不着选择的实际的引脚。默认情况下MIG将使用所选bank中的任意引脚for内存接口。 设计规则：

? 设计最大频率：

o -1 FPGA 速度级器件： 400 MHz o -2 和-3 FPGA 速度级器件： 533 MHz o 只有-2 FPGA 速度等级的 CXT 设备只要o 低功耗

303 MHz支持

V6设备只需303303 MHz

? 频率超过333 MHz，只有数据宽度低于72位被容许。频率低于333 MHz 数据宽度低于144 位被允许

? 内存类型、 内存部件和数据宽度被限制基于所选的 FPGA 器件、 FPGA 器件速度等级和设计频率

BANK的选择规则：

? 地址/控制组只能选择在内部列

BANK

? 第一个选定的地址/控制组将有 CK [0] 和 CK #[0] 引脚

? 包含CK [0] 和 CK #[0]的BANK，会有该MMCM应用与该H-Row

? 对于设计频率400 MHz或更高，只有内部列BANK被允

篇一：DDR2内存和DDR3内存的区别方法(图解)

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[i=s] 本帖最后由 思番远航 于 2010-1-10 09:44 编辑

DDR2内存和DDR3内存的区别方法(图解)

DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限（不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3 UB DIMM 2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。 一、与DDR2相比DDR3具有的优点（桌上型unbuffered DIMM）：

1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。

2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（

基于Xilinx MIS IP的DDR3读写User Interface解析

特权同学，版权所有，转载请注明出处 参考文档：ug586_7Series_MIS.pdf

1. Command时序

首先，关于User Interface的Command时序，ug中只给出以下波形。简单的来讲，

app_cmd和app_addr有效，且app_en拉高，app_rdy拉高，则该命令成功发送给DDR3 Controller IP；若是在app_cmd、app_addr和app_en都有效时，app_rdy为低，那么必须保持app_cmd、app_addr和app_en的有效状态直到app_rdy拉高，那么该命令才算是成功发送给DDR3 Controller IP。

找一个实例来看，如图所示，在app_en连续拉高发起多次写入命令时，第58个时钟周期，

遇到了app_rdy拉低的情况，此时需要保持当前的app_cmd和app_addr不变，app_en也继续为高，直到第59个时钟周期，app_rdy拉高了，那么说明该写命令成功。

2. 数据写入时序

对于单次的数据写入DDR3 Controller IP，ug中也只给出如图所示的时序波形。这里对应写入comm

深入研究DDR电源

作者：飞思卡尔公司 Norman KW Chan(营销经理)和WS Wong(系统工程师) 时间：2008-04-18 来源:电子产品世界 浏览评论

DDR存储器的发展历程

由于几乎在所有要求快速处理大量数据(可能是计算机、服务器或游戏系统)的应用中都要求具有RAM(随机存储器)，因而DDR存储器也变得日益重要，其应用也更加广泛。自问世以来，RAM就已经变得至关重要，主要因为它是一种能够保存易失性信息的存储器，并且可以以一种更快速、更直接的方式存取信息。当在数据计算的世界里谈及系统速度和效率时，这一点显得尤为重要。

DDR SDRAM(双数据速率同步动态随机存储器)，其可以通过在时钟周期的上升和下降沿上分别提取数据而使数据率加倍，现在看来它正发展成为最先进的RAM芯片集。这与以往的SDR SDRAM大不相同，因为后者仅能在时钟周期的一个边沿上提取数据。从图1可以看出，DRAM正在向着速度和数据传输率都不断提高的方向发展。

近些年来，CPU时钟频率经历了指数增长，从而为RAM存储器的时钟频率增长提供了动力。

在1997年，SD RAM在市场亮相，它可以取代DRAM和SRAM两种存储器并提供更快

Mac计算机结合时尚与科技的设计,一向受雅痞新贵们的喜爱。近日,勤茂宣布推出Mac专用DDR2内存——Apple Series,此款Mac专用的DDR2内存,承袭Mac产品系列一贯的纯白包装。勤茂Apple Series内存全部通过Mac Book、Mac Mini和Mac Book Pro等机型的实机严格测试,兼容Mac系列所有DDR2规格的机型,并可稳定运作。所有的勤茂内存模块都提供全球终身保固的服务。

维普资讯

A- C高频膏彩7 O GS显卡 t 6O市■市场参考价格： 9元圈厂商联系电话： 758 05 5 59 0 5.3 07 4●●●●●● - -●● - - - -● -●● -●●● -● -● -● -● - - -● -● -● -●● -●…● -●●●●●●●●●●●● - - - - -●● -● -● - - -● - -

富彩70 G魔龙版显卡采用了与G F re6 0 T同的六层P B 60 S e oc 70 G相 C板设计。使用固态电容以及DP I铝壳电容，保证了核和显存供电的稳定。全

封闭式的电感设计，为显卡提供更加纯净的电流。显存方面，采用了四颗三星12sG D3 . DR的显存， n组成1 8 B1

DDR的VTT电源应用及其优化

摘要：针对高速ddr总线中的信号完整性问题，本文在分析现有的端接方式后，提出了一种新的vtt端接方式。在分析和设计的过程中，使用了cadence仿真软件。然后根据仿真结果对相关参数进行了优化。最后，对仿真所得到的数据进行了实际测试验证，并且根据以上结果总结了设计规则。 关键词：ddr vtt sstl

对于ddr2和ddr3的电源设计，ddr sdram系统通常要求有三个电源，分别为vddq、vtt和vref。而vtt主要为ddr的地址、控制线等信号的信号完整性而提供的终端电阻电源，同时jedec标准jesd8-15(用于sstl_18)定义了vtt要跟随vddq。为了满足jedec标准，大部分设计地址线设计通常进行如图1的端接匹配设计。使用了一个专用的终端电阻电源调整器lp2996，为每根控制信号的端接电阻提供上拉电源，同时若干个终端电阻上又增加了一个去耦电容，增加了设计的密度和成本。而有一些设计的ddr并没有使用vtt电源和端接电阻，只是在控制器端接了一个串阻；相对来说，简洁一些，同时不使用lp2996也降低了成本。什么时候可以不用vtt电源，什么时候需要用vtt电源，甚至是否可以不用vtt电源和串阻？

题目：

普 通 本 科 毕 业 设 计

基于FPGA的DDR SDRAM控制器的设计

摘 要

随着半导体技术的发展，A/D采样的速率越来越高，相应需要越来越大容量的存储器。存储器是目前数字系统中的关键部件之一，DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍数据率同步动态随机存储器)以其大容量、高速率和良好的兼容性以及低成本在计算机、消费类电子、通信等领域得到了相当广泛的应用。DDR控制器实际上就是用户端与DDR存储器之间进行数据传输的一个桥梁，通过DDR控制器，用户端命令被转化成DDR存储器所支持的命令格式，从而实现用户端对DDR的访问。

本文对DDR SDRAM及其控制器的结构、接口和时序进行了深入研究与分析，得出一些DDR SDRAM控制器的关键技术特性，然后基于Altera公司Cyclone II系列的FPGA芯片EP2C8Q208C8平台，利用Verilog硬件描述语言设计实现了DDR SDRAM存储控制器。编写自动生成自加数据的模块，将自加数据写入到SDRAM中，再从SDRAM中读回，从UART 发送出去并在串口调试工具上显示。

【关键词】可编程逻辑门阵列 DDR SDRAM 存储控制器 通用异步

DDR的基本原理与工作过程

一、DDR的基本原理与工作过程

这种内部存储单元容量（也可以称为芯片内部总线位宽）=2×芯片位宽（也可称为芯片I/O总线位宽）的设计，就是所谓的两位预取（2-bit Prefetch），有的公司则贴切的称之为2-n Prefetch（n代表芯片位宽）。

在实际工作中，L-Bank地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令称之为“行有效”或“行激活”（Row Active）。

在此之后，将发送列地址寻址命令与具体的操作命令（读或写），这两个命令也是同时发出的，所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。

根据相关的标准，从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲），大家也可以理解为行选通周期。tRCD是SDRAM的一个重要时序参数，可以通过主板BIOS经过北桥芯片进行调整。广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=2，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定：对于PC100 SDRAM（时钟频率等同于DDR-200），tRCD=2，代表2

Hyperlynx使用方法整理

一、 从PCB中生成.HYP文件。

在菜单栏点击tools，在下拉菜单中点击BoardSim，更加需要对界面调整如下图，

Unrouted选项：设置不走线的平面，因为电源层走线不设置？不明白？ Plane areas and copper pours：两个选项导出的文件没有发现不一样？

二、 在BoardSim中编辑叠层和线宽

当BoardSim调入一块板子的时候，它会自动检查。HYP文件中关于叠层的数据， 如果存在叠层记录，BoardSim 就会据此建立一个叠层设置方案。 如果有错误或不完整，BoardSim 会运行Stackup Wizard来修正叠层设置。简单介绍BoardSim会怎样来修正叠层：

1. 如果根本就没有任何叠层信息，Stackup Wizard会做如下处理：

根据所有的走线用到的层来建立信号层并命名。 在信号层间插入电介质层 将信号层的厚度设为默认值

将介质层的厚度和电介质常数设为默认值 提醒你目前仍然没有平面层

2。 如果没有平面层，Stackup Wizard会报告错误，但是不会自动添加平面层，需要手动

添加平面层。如果至少存在一个平面层，但有丢失的平面层，Wizard不会显

DDR2时序测试规范

DDR2时序测试规范

编 制： 许军亮

审 核： 批 准：

瑞斯康达科技发展股份有限公司

Copyright ? 2009 瑞斯康达科技发展股份有限公司

DDR2时序测试规范

文 件 维 护 日 志

修改日期 2010-8-26 修改人 许军亮 首个版本 修改内容 确认人 硬件测试组2010-08-26制定文档，版本1.0 Copyright ? 2009 瑞斯康达科技发展股份有限公司

DDR2时序测试规范

CONTENTS

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待测时序参数 -------------------------------------------------------------------------------------------- 1 地址和控制信号时序 -------------------------------------------------------------------------