pnp晶体管工作原理和结构

目 录

1.课程设计目的与任务…………………………………………………………2 2.设计的内容……………………………………………………………………2 3.设计的要求与数据……………………………………………………………2 4.物理参数设计…………………………………………………………………3 4.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算………………………………………3 4.2 集电区厚度Wc的选择……………………………………………………6 4.3 基区宽度WB………………………………………………………………6 4.4 扩散结深…………………………………………………………………10 4.5 芯片厚度和质量…………………………………………………………10 4.6 晶体管的横向设计、结构参数的选择…………………………………10 5.工艺参数设计…………………………………………………………………11 5.1 工艺部分杂质参数………………………………………………………11 5.2 基区相关参数的计算过程………………………………………………11 5.3 发射区相关参数的计算过程……………………………………………13 5.4

（FAMOS、SAMOS、MNOS和FLOTOX等晶体管的基本结构、工作原理及其特性如何？）作者：Xie M. X. (UESTC，成都市)

可擦除、可编程只读存储器（EPROM）和电可擦除、可编程只读

存储器（EEPROM）都是一些所谓不挥发性存储器。作为EPROM和EEPROM应用的半导体器件，主要有FAMOS（浮置栅雪崩注入MOS晶体管）、SAMOS（叠栅雪崩注入MOS晶体管）、MNOS（金属-氮化物-氧化物-半导体晶体管）和FLOTOX（浮栅隧道氧化物晶体管）等几种。其中以MNOS在EEPROM应用中的技术最为成熟，但是现在MNOS已逐渐被上世纪80年代所发明的FLOTOX晶体管所取代。

FAMOS和SAMOS晶体管都是利用雪崩效应、通过热发射来向浮栅注入热载流子的，而MNOS和FLOTOX晶体管则是利用隧道效应（Fowler-Nordheim隧穿）来向浮栅注入热载流子的。隧道注入所需要的电压要低一些。

（1）浮置栅雪崩注入MOS晶体管（FAMOS）：

FAMOS的基本结构如图（a）所示，即是在p-MOSFET的基础上，只是把栅极改变为一个浮空的栅极——浮栅（用多晶硅制作）；该浮栅被优质SiO2包围着，其中的电荷可较长时

PNP三极管工作原理解密

对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量， 但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。 放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。

假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的 水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水 滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。

在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。

如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。

饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已

第九章 分子结构和晶体结构

（建议课外学习时间：24小时）

Ⅰ教学基本要求

1．理解三种重要化学键（共价键、离子键、金属键）的形成、本质及其性质。能够用化学键理论判断简单无机化合物的结构和性质。

2．重点通过价键理论理解共价键的形成、主要特征（方向性和饱和性）、主要类型（σ键和π键）。熟悉杂化轨道理论和配位化合物的价键理论，掌握杂化轨道的概念和主要杂化轨道类型（sp、sp2、sp3、dsp2、d2sp3 、sp3d2）的形成及与典型分子或离子（包括配离子）几何构型之间的关系。掌握有关配合物生成、空间构型、稳定性、磁性等方面的基本概念。了解分子轨道理论的概念和要点，能写出第二周期同核双原子分子（离子）的能级图和分子轨道表示式，并说明物质的一些性质（稳定性、键级和磁性）。

3．了解键参数、共价键的极性和分子的极性。理解分子的偶极矩、变形性及其变化规律。理解分子间力、氢键的产生及其对物质性质的影响。

4．了解离子键的形成及其主要特征（无方向性、无饱和性），理解离子的电子构型、离子极化对物质性质的影响。

5．从自由电子概念了解金属键的形成和主要特征（无方向性、无饱和性）。会用金属键说明金属的共性（光泽、延展性、导电和导热性）。

6．理解四种不同类型晶

PNP三极管工作原理解密

对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量， 但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。 放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。

假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的 水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水 滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。

在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。

如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。

饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已

有机场效应晶体管的研究

摘要：有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistors,OFETs)是以有机半导体材料作为有源层的晶体管器件。和传统的无机半导体器件相比，由于其可应用于生产大面积柔性设备而被人们广泛的研究，在有机发光、有机光探测器、有机太阳能电池、压力传感器、有机存储设备、柔性平板显示、电子纸等众多领域具有潜在而广泛的应用前景。文中对OFET结构和工作原理做了简要介绍，之后重点讨论了最近几年来OFET中有机材料和绝缘体材料的发展状况，接着总结了OFET制备技术，最后对OFET发展面临问题及应用前景做了归纳和展望。 关键词：有机半导体材料；有机场效应晶体管；迁移率;绝缘体材料；柔性面板显示

0引言

场效应晶体管( Field Effect Transistor FET)是利用电场来控制固体材料导电性能的有源器件。由于其所具有体积小、重量轻、功耗低、热稳定性好、无二次击穿现象以及安全工作区域宽等优点，现已成为微电子行业中的重要元件之一。

目前无机场效应晶体管已经接近小型化的自然极限，而且价格较高，在制备大表面积器件时还存在诸多问题。因此，人们自然地想到利用有机材料作为FET的活性材料。自1986年报道第一个

晶体管在线测试仪

在维修家用电路时经常会对晶体三极管的好坏进行判别，特别是焊在电路板上的三极管，如果不焊 开引脚， 则判别好坏比较困难， 如果用本节介绍的小仪器便可使该问题迎刃而解。

1、电路原理

晶体管在线测试仪电路如图所示，测试仪主要由对称方波发生器、反向器、 测试电路等部分组成。

对称方波发生器由 555 时基电路 A2 和阻容元件 R3、 构成， 第三脚输 C1 A2 出的方波频率 f=0.722/R3*C1≈4.6Hz。反向器由 555 时基电路 A1 构成，它接成 施密特触发器，A1 的 2、6 两脚输入电平直接取自 A2 的第 3 脚，当输入低电平 时，A1 置位，第 3 脚输出高电平；当输入高电平时，A1 复位，第 3 脚输出低电 平，所以 A1 输出与 A2 输出始终保持反向。A1 与 A2 共同为仪器的测试部分提 供极性定时改变的交变电源。 测试电路由三极管 VT1、VT2、电位器 RP1、RP2 等组成的双向辅助电源与 LED1、LED2 极性相反的并联发光二极管构成的显示电路两部分构成。

合上电源开关 S，仪器工作指示灯 LED

常用晶体管参数查询

Daten ohne Gewahr

2N109GE-P35V0.15A0.165W|2N1304GE-N25V0.3A0.15W10MHz

2N1305GE-P30V0.3A0.15W5MHz|2N1307GE-P30V0.3A0.15W B>60

2N1613SI-N75V1A0.8W60MHz|2N1711SI-N75V1A0.8W70MHz

2N1893SI-N120V0.5A0.8W|2N2102SI-N120V1A1W<120MHz

2N2148GE-P60V5A12.5W|2N2165SI-P30V50mA0.15W18MHz

2N2166SI-P15V50mA0.15W10MHz|2N2219A SI-N40V0.8A0.8W250MHz

2N2222A SI-N40V0.8A0.5W300MHz|2N22232xSI-N100V0.5A0.6W>50

2N2223A2xSI-N100V0.5A0.6W>50|2N2243A SI-N120V1A0.8W50MHz

2N2369A SI-N40V0.2A.36W12/18ns|2N2857SI-N30V40mA0.2W>1GHz

2N2894SI-P12V0.2A 1.2W60/90ns|2

.

'. 晶体管放大电路分析及计算

一、共发射极放大电路

（一）电路的组成：电源VCC通过RB1、RB2

、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管的放大作用提供必要的条件，RB1、RB2称为基极偏置电阻，RE

称为发射极电阻，RC称为集电极负载电阻，利用RC的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。

V cc(直流电源): 使发射结正偏，集电结反偏；向负载和各元件提供功率

C1、C2(耦合电容): 隔直流、通交流；

R B1、R B2(基极偏置电阻)：提供合适的基极电流

R C(集极负载电阻)：将D IC? D UC，使电流放大? 电压放大

R E(发射极电阻)：稳定静态工作点“Q ”

C E(发射极旁路电容)：短路交流，消除R E对电压放大倍数的影响

（二）直流分析：开放大电路中的所有电容，即得到直流通路，如下图所示，此电路又称为分压偏置式工作点稳定直电流通路。电路工作要求：I1 3(5~10)IBQ，

分子结构和晶体结构 总题数为：99

1. (本题难度系数30) 18电子构型的阳离子在周期表中的位置是（ ） A s和p区 B p和d区 C p和d s D p，d和d s 2. (本题难度系数15) 下列氢键最强的是（ ）

A S―H???O B N—H???N C F—H???F D C—H???N 3. (本题难度系数30) 下列分子或离子中，显反磁性的是（ ）

? A O2 B O2? C O2? D O2 24. (本题难度系数30) 用VSEPR预计下列分子或离子的几何形状为三角椎的是（ ）

2??? A SO3 B SO3 C NO3 D CH3

5. (本题难度系数30) 下列物质中，属极性分子的是（ ）

A PCl5 B BCl3 C NCl3 D XeF2

6. (本题难度系