金属化聚酯膜电容

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小型金属化聚酯膜电容器项目IPO上市咨询 （2013年最新细分市场+募投可研+招股书底稿）

综合解决方案

北京博思远略咨询有限公司IPO事业部

二零一三年三月

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目录

第一部分 小型金属化聚酯膜电容器项目创业板IPO上市审查要点分析 ............. 4

一、2013年创业板最新审核政策分析 ......................................................................... 4 二、专业机构在企业IPO上市过程中主要作用 ........................................................ 5 第二部分 小型金属化聚酯膜电容器项目细分市场（行业研究）调查解决方案 . 7

一、创业板小型金属化聚酯膜电容器项目细分市场调查政策依据 .................. 7 二、细分市场调查（行业研究）在企业IPO上市过程中的重要性 .................. 7

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薄膜电容器与应用陈永真 0416chenyongzhen@ 13841685729

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薄膜电容器1876年英国D.斐茨杰拉德发明纸介电容器。 这就是薄膜电容器的始祖。 有机介质由于其性能优异而大量应用。 有机介质可以分为聚乙烯、聚苯乙烯、聚 四氟乙烯、聚丙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚 酰亚胺、聚砜、聚苯硫醚、漆膜等。 对于电力电子线路来说，应用最多的是聚 酯电容器、聚丙烯电容器。

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薄膜电容器的特点无极性 ESR极低 允许比较高的电流流过 工作电压可以很高 温度范围宽 基本上无寿命限制 金属化电极具有自愈功能

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薄膜电容器的基本参数额定直流电压、额定交流电压 电容量 ESR、ESL dv/dt、有效值电流、峰值电流 工作温度

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额定直流电压、额定交流电压额定直流电压：是在整个温度范围内允许 持续施加的直流电压。 试验电压：电容器出厂前形式试验时对电 容器施加的电压，一般在1.5~2倍，持续时 间2分钟或500小时。 介电强度：电容器的介质所能承受的电压， 这个电压高于

摘要：半金属化孔成型后的孔壁铜皮翘起、披锋残留问题一直是PCB板件机械加工中的一个难题。残留在半金属化孔内的铜丝和披锋在下游的SMT厂家的焊接过程中，容易出现焊点不牢、虚焊、桥接短路等问题。因此半金属化孔的铜皮翘起和披锋一般不为大多SMT厂家的IQC所接受。本文介绍了从CAM／CAD设计上以及加工技巧上有效的控制、减小半金属化孔的铜皮翘起和披锋的几种方法，

同时评估各种加工方法对成本控制和制作周期的影响。 前言

如何控制半金属化孔成型后的孔壁铜皮翘起、披锋残留的产生一直是PCB板件机械加工中的一个难题。这是因为一般的PCB成型的机械加工方式无外乎数控锣床锣板、机械冲床冲切等方式，这些方式在切断PTH孔铜的时候，无可避免的会导致余下部分PTH孔的断面上残留下铜丝披锋，严重的甚至有孔壁铜皮翘起现象。如下图所示。

象上图这样单元边整排有半金属化孔的PCB，个体都比较小，多用于载板上，作为一个母板的子板，通过这些半金属化孔与母板以及元器件的引脚焊接到一起。所以如果这些半金属化孔内残留有铜丝披锋，在SMT厂家进行焊接的时候，将导致焊脚不牢、虚焊；严重的造成两引脚之间的桥接短路。多数SMT厂家不易接受此类PCB缺陷，而据笔者所知，现在多数PCB厂家是以人工

超支化聚酯

摘要 综述了超支化聚酯的合成方法并且介绍超支化聚酯在涂料、树脂改性、高分子薄膜、以及其他方面的一些应用。 关键词 超支化聚酯 合成 应用

超支化聚合物简而言之是具有指高度支化结构的聚合物。相比树枝状高分子超支化聚合物分子结构有许多缺陷并不像树枝状高分子样有完美的球状支化结构。因此超支化聚酯合成方法相对于树枝状聚合物简单更容易得到广泛应用和工业化生产。而超支化聚酯是超支化聚合物中合成较早、合成工艺较为成熟、应用性强的一种典型超支化聚合物。超支化聚酯主要连接基团也为酯基但由于其高度支化的结构、大量的端基官能团、分子内存在空腔的结构特点使其又表现出与线型聚酯化合物不同的性能。超支化聚酯具有良好流动性、较普通聚酯低的粘度以及良好的流动性能[1]。 1、 超支化聚酯的合成

超支化聚合物的合成按过程来分可分为准一步法和一步法[2]。准一步法是指将部分反应单体和催化剂先加入反应釜反应，反应一段时间后再加入剩余的单体和催化剂，优点是聚合物分子量分布较窄[3]。一步法是指将所需的单体、催化剂一次性投入反应釜合成目标产物，合成方法简单，但所得聚合物的分子量分布较宽，通过加入核单体的方法可降低其分子量分布，即所谓的“有核一步法”。

超支化聚

金属有机化学

492 化学通报 2001年第8期 http:

表面有机金属化学( )

王绪绪 赵慧霞

(福州大学光催化研究所 福州 350002)

摘 要 简要评述了表面有机金属化学形成和发展的背景、有机金属化合物与固体表面反应的基

本规律和表面有机金属配合物的结构。对表面有机金属化学与催化化学的本质联系进行了讨论。

关键词 有机金属化合物 固体表面 多相催化 均相催化

Abstract Developmentandhistoryofthesurfaceorganometallicchemistry,somefoundationalrulesofthesur

facereactionandstructureofthesurfaceorganometalliccomplexesarebrieflyreviewed.Anessentialrelationofcataly

siswiththesurfaceorganometallicchemistryisdiscussed.

Keywords Organometalliccomplex,Surfaceofsolid,Heterogeneouscataly

阐述了集成电路Cu互连中的技术难题,重点讨论了Cu的扩散问题,综述了扩散阻挡层的研究发展进程,重点介绍了当今研究较多的难熔金属、难熔金属氮化物及其三元结构阻挡层的最新进展情况。研究表明,阻挡层的阻挡性能与制备工艺、薄膜组分及微观结构密切相关,其失效机制多为高温下阻挡层晶化所产生的晶界为Cu扩散提供了快速通道,掺入Si或其它原子的难熔金属氮化物由于其较高的晶

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集成电路 C金属化中的扩散阻挡层/ u李幼真等

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集成电路 C u金属化中的扩散阻挡层李幼真，周继承，陈海波(中南大学物理科学与技术学院，长沙 4 0 8 ) 1 0 3摘要阐述了集成电路 C u互连中的技术难题，重点讨论了 C u的扩散问题，述了扩散阻挡层的研究发展进综

程，重点介绍了当今研究较多的难熔金属、熔金属氮化物及其三元结构阻挡层的最新进展情况。研究表明，难阻挡层的阻挡性能与制备工艺、薄膜组分及微观结构密切相关，其失效机制多为高温下阻挡层晶化所产生的晶界为 C u扩散提供了快速通道，掺入 S或其它原子的难熔金属氮化物由于其较高的晶化温度和良好的阻挡性能正成为研究热点。 i关键词扩散阻挡层 c金属化 u热稳定性薄膜

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PVD 金属化工艺

引 言

本文主要结合在线金属化工艺，讲述了PVD的工作原理、工艺条件以及工艺参数，并结合实际生产过程中一些常见问题及解决方法。讲述了金属化材料的一些特性及其在实际中的应用。

1 概述

1.1 薄膜沉积技术

薄膜沉积技术已发展为二个主要方向：（1）化学气相沉积 （ Chemical Vapor Deposition），简称为CVD（2）物理气相沉积 （ Physical Vapor Deposition），简称为PVD。PVD沉积技术有蒸镀（Evaporation Deposition） 和溅镀（Sputtering Deposition）二种，前者通过被蒸镀物体加热，利用被蒸镀物在高温（接近其熔点）时的饱和蒸气压，来进行薄膜沉积的；后者是利用等离子体中的离子，对被溅镀物体电极（即：靶材）轰击，使靶面原子脱离靶材运动到圆片表面沉积成膜。

2．溅射工艺的优点

用高能粒子对某种物质表面轰击出原子的物理过程叫溅射。在大规 模IC的生产过程中，溅射法与蒸镀法相比有如下优点：

（1）解决了大园片上沉积薄膜厚度均匀性问题。 （2）溅射形成的膜与衬底之间黏附性好。

《高等无机化学》课程论文文献综述

综述题目 作者所在系别 作者所在专业 作 者 姓 名 作 者 学 号 导 师 姓 名 导 师 职 称 完 成 时 间

稀土有机化合物在功能材料方面的应用

理学院应用化学

物理化学

教授

2012

年

4 月

工业大学材料化学教研室制

稀土有机化合物在功能材料方面的应用 姓名： 学号：

说 明

1．文献综述各项内容要实事求是，文字表达要明确、严谨，语言通顺，外来语要同时用原文和中文表达。第一次出现缩写词，须注出全称。

2．学生撰写文献综述，阅读的主要参考文献应在10篇以上。本课程的相关教材也可列为参考资料，但必须注明参考的具体页码。

3．文献综述的撰写格式按撰写规范的要求，字数在2000字左右。

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稀土有机化合物在功能材料方面的应用 姓名： 学号：

稀土有机化合物在功能材料方面的应用

1.引言

稀土金属与其他过渡金属相比，具有电正性高、离子半径大、配位环境开阔、配位数高的特点，其路易斯酸性强，配位环境易于调节。稀土金属一

阐述了集成电路Cu互连中的技术难题,重点讨论了Cu的扩散问题,综述了扩散阻挡层的研究发展进程,重点介绍了当今研究较多的难熔金属、难熔金属氮化物及其三元结构阻挡层的最新进展情况。研究表明,阻挡层的阻挡性能与制备工艺、薄膜组分及微观结构密切相关,其失效机制多为高温下阻挡层晶化所产生的晶界为Cu扩散提供了快速通道,掺入Si或其它原子的难熔金属氮化物由于其较高的晶

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集成电路 C金属化中的扩散阻挡层/ u李幼真等

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集成电路 C u金属化中的扩散阻挡层李幼真，周继承，陈海波(中南大学物理科学与技术学院，长沙 4 0 8 ) 1 0 3摘要阐述了集成电路 C u互连中的技术难题，重点讨论了 C u的扩散问题，述了扩散阻挡层的研究发展进综

程，重点介绍了当今研究较多的难熔金属、熔金属氮化物及其三元结构阻挡层的最新进展情况。研究表明，难阻挡层的阻挡性能与制备工艺、薄膜组分及微观结构密切相关，其失效机制多为高温下阻挡层晶化所产生的晶界为 C u扩散提供了快速通道，掺入 S或其它原子的难熔金属氮化物由于其较高的晶化温度和良好的阻挡性能正成为研究热点。 i关键词扩散阻挡层 c金属化 u热稳定性薄膜

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十三五重点项目-金属化箔式聚丙烯膜

高压电容器项目资金申请报告

项目编制单位：北京智博睿投资咨询有限公司

资金申请报告是项目投资者为获得政府专项资金支持而出具的一种报告。政府资金支持包括投资无偿补助、奖励、转贷和贷款贴息等方式，政府只审批资金申请报告。一般需要委托具有工程咨询资格的单位编写资金申请报告。

政府资金支持包括投资无偿补助、奖励、转贷和贷款贴息等方式，政府只审批资金申请报告，决定是否给予资金扶持。其具体的审批权限和利用方式如下：

(1)政府投资补助的项目的资金申请报告

（a）能够推进科技进步和高新技术产业化，及对经济结构调整有重要带动和引导作用的产业化项目； （b）农业综合开发资助农业发展的项目；

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（c）科技型创业投资项目；

（d）政府支持的中小企业创业投资项目； （e）政府鼓励的风险投资项目； （f）具有经营性质的科研开发项目；

（g）国家鼓励发展的能源交通、农林水利、市政工程等公益性和公共基础设施投资项目；

（h）保护和改善生态环境的投资项目；

（i）促进欠发达地区的经济和社会发展的投资项目； （g）符合国家有关规定的其他项目。 (2)政府财政贴息资金的项目的资金申请报告

财政贴息资金重点用于市场不能有效配置资源、需要政府