武汉科技大学模拟电子技术

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武汉科技大学电子技术习题

标签:文库时间:2025-03-15
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第6章第1次 专业 学号 2009 姓名 一、填空题

1.变压器的主要功能有变换、变换和变换。 2.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的区。 3.稳压管是利用特性来稳压的,正向稳压。

4.在电子线路和自动控制系统中,常需要稳定的直流电压,直流稳压电源主要由、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。

5.电路如图1所示,二极管为理想元件,已知交流电压表V1的读数为100V,负载电阻RL=1 k ,开关S断开时直流电压表V2 =,电流表A=;开关S闭合时直流电压表V2 =,电流表A=。

图1

二、选择题

1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( A )。

A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 2.稳压管电路如图2所示,稳压管DZ1的稳定电压UZ1 12V,DZ2的稳定电压为

。 UZ2 6V,则电压U0等于( C )

A.12 V B.20 V C.6 V D.

0 V

图2

武汉科技大学模拟电子技术试卷A卷(10级自动化)

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试 题 _ 2011 _年~__2012__年第 1 学期 课程名称: 模拟电子技术 专业年级: 自动化10级 考生学号: 考生姓名: 试卷类型: A卷 ■ B卷 □ 考试方式: 开卷 □ 闭卷 ■ ……………………………………………………………………………………………………… 一、单项选择题。(将正确答案填入空内;每空2分,共20分) 1、多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严重的一级是( )。 A.输入级 B.增益最高的一级 C.输出级 2、差分放大电路中,当vi1?300mV,vi2?200mV时,差模信号vid?( )。 A.50mV B.100mV C.250mV 3、为了减小放大电路的输入电阻并稳定输出电流,则应在放大电路中引入( )。 A.电流并联负反馈 B.电流串联负反馈 C.电压串联负反馈 4、在

武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07

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武汉科技大学考研电子技术历年试题及答案,由于08年和10年文件过大,故没有上传,见谅。

武汉科技大学

2005年硕士研究生入学考试试题

课程名称: 电子技术 总页数:共4页 说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。

2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。

3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。

一、选择填空题:(共30分,每空2分)

1、场效应管属于控制型器件,晶体三极管属于控制型器件。 A、电流; B、电感; C、电压; D、电容。 2、晶体三极管用来放大时,发射结应处于集电结应处于偏

置。

A、反向; B、90°; C、正向; D、不定。

3、 为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合,可在两者之间插

入;为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路,可在低阻输出的放大电路之后接入

武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07

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武汉科技大学考研电子技术历年试题及答案,由于08年和10年文件过大,故没有上传,见谅。

武汉科技大学

2005年硕士研究生入学考试试题

课程名称: 电子技术 总页数:共4页 说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。

2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。

3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。

一、选择填空题:(共30分,每空2分)

1、场效应管属于控制型器件,晶体三极管属于控制型器件。 A、电流; B、电感; C、电压; D、电容。 2、晶体三极管用来放大时,发射结应处于集电结应处于偏

置。

A、反向; B、90°; C、正向; D、不定。

3、 为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合,可在两者之间插

入;为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路,可在低阻输出的放大电路之后接入

河南科技大学《数字电子技术B》模拟试卷2答案

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数字电子技术B 模拟试卷2 参考答案 一. 单项选择填空(共 20 分,每空 2分) 1.D 2. D 3. C 4.C 5.A 6.A 7.B 8.B

二.填空判断题:(10空,每空1分) 1. 10010101 2. 0 , 2 3.√ 4.× 5. × 6. × 7. √ 8. √ 9. √ 三.完成下列各题:(8分)。

1. Y1高电平、 Y2高电平;各2分

2.=∑(0,1,2,3,4,5,6,10,12)+d(7,11,13,14,15)Y m

/Y A B C =++

卡诺图和表达式各2分

四.(8分)过程4分,图形4分。

///20210LD (AQ Q A Q Q Q )=+

A=1时,计数范围:Q 3 Q 2Q 1Q 0从0000-0101,六进

A=0时,计数范围:Q 3 Q 2Q 1Q 0从0000-0111,八进制

五.(8分)表达式每个1.5分,数据2分。

///

3210210

/////22210210210/////152********

/////015210210210210

D A A A

西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试_试题

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预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级:___________姓名:___________学号:___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分)

(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小,ICEO和uBE增大

-8V 图1

③ -2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试_试题

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预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级:___________姓名:___________学号:___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分)

(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小,ICEO和uBE增大

-8V 图1

③ -2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

华中科技大学 模拟电子技术 第2次作业 - 图文

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第二次作业

1.分别判断图l.1 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

(a) (b) (c) (d) (e)

图1.1

图A,PNP管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大区; 图B,NPNP管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大区; 图C,PNP管,发射结反偏,集电结零偏压;工作在截止区 图D,NPN管,发射结正偏,集电结正偏,工作在饱和区; 图E,PNP管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大区;

2. 电路如图 1.2 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ?0.7V。利用图解法分别求出RL??和RL?3k?时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值)。

(a) (b)

图 1.2

解:空载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=6V;最大不失真输出电压峰值约为5.3V,有效值约为3.75V。

带载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=3V;最大不失真输出电压峰值约为2.3V,有效值约为1.63V。

如解

华中科技大学数字电子技术基础试卷

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数字电子技术基础试卷(本科)及参考答案

试卷一及其参考答案

试卷一

一、(20分)选择填空。从每个小题的四个选项中选出一个正确答案,并将其编号填入该题后的括号中。

1.十进制数3.625的二进制数和8421BCD码分别为( )

A. 11.11 和11.001 B.11.101 和0011.011000100101 C.11.01 和11.011000100101 D.11.101 和11.101 2.下列几种说法中错误的是( )

A.任何逻辑函数都可以用卡诺图表示。 B.逻辑函数的卡诺图是唯一的。 C.同一个卡诺图化简结果可能不是唯一的。 D.卡诺图中1的个数和0的个数相同。

3.和TTL电路相比,CMOS电路最突出的优点在于( ) A.可靠性高 B.抗干扰能力强

C.速度快 D.功耗低

4.为了把串行输入的数据转换为并行输出的数据,可以使用( ) A.寄存器 B.移位寄存器

C.计数器

北京信息科技大学2015届电子技术基础A卷答案

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北京信息科技大学2014 ~2015学年第2学期

《电子技术基础》课程期末考试试卷A答案及评分标准

课程所在学院:适用专业班级: 考试形式:闭卷

一、单选、填空题(本题满分30分,共10题,每题3分)

1.图1中PNP晶体管的电路符号为 A 。

(A) (B) (C)

图1

2.两级放大器中,第二级的输入电阻相当第一级的 B 。 (A)输出电阻 (B)负载电阻(C)信号源内阻

3.在图2所示电路中,引入的负反馈是 C 。 (A)电压串联负反馈(B)电压并联负反馈

图2 (C)电流串联负反馈(D)电流并联负反馈

4.稳压管在正常工作时,必须在电路中串接一个限流电阻。 5.图3电路中,已知u1=3V,u2=0V,设二极管为理想二极管,则输出电压uo为 B 。 (A)0V (B)3V (C)-12V

D1 uo u1

A

u2

D2 B R F

-12V 图3

图4

6. 对于图4所示的波形, A、B为输入,F为输出,其反映的逻辑关系是 C 。

(A)异或关系 (B) 与非关系 (C) 无法判