半导体封装工艺流程
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LED封装工艺流程
LED封装工艺流程
LED知识, LED芯片
一、导电胶、导电银胶
导电胶是IED生产封装中不可或缺的一种胶水,其对导电银浆的要求是导电、导热性能要好,剪切强度要大,并且粘结力要强。
UNINWELL国际的导电胶和导电银胶导电性好、剪切力强、流变性也很好、并且吸潮性低。特别适合大功率高高亮度led的封装。
特别是UNINWELL的6886系列导电银胶,其导热系数为:25.8 剪切强度为:14.7,堪称行业之最。
二、封装工艺
1. led的封装的任务
是将外引线连接到led芯片的电极上,同时保护好led芯片,并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。
2. led封装形式
led封装形式可以说是五花八门,主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸,散热对策和出光效果。led按封装形式分类有Lamp-led、TOP-led、Side-led、SMD-led、High-Power-led等。
3. led封装工艺流程
4.封装工艺说明
1.芯片检验
镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill)
芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求
电极图案是否完整
2.扩片
由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于
后工序的操作。我们采用扩片机对黏
半导体制造工艺流程参考
半导体制造工艺
1
NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为:
外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为:
外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查(tox)——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查(R□)——前处理——基区氧化扩散——QC检查(tox、R□)——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理(P液)——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查(tox)——前处理——发射区再扩散(R□)——前处理——
半导体制造工艺流程参考
半导体制造工艺
1
NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为:
外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为:
外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查(tox)——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查(R□)——前处理——基区氧化扩散——QC检查(tox、R□)——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理(P液)——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查(tox)——前处理——发射区再扩散(R□)——前处理——
半导体制造工艺流程参考
半导体制造工艺
1
NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为:
外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为:
外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查(tox)——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查(R□)——前处理——基区氧化扩散——QC检查(tox、R□)——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理(P液)——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查(tox)——前处理——发射区再扩散(R□)——前处理——
半导体-硅片生产工艺流程及工艺注意要点
硅片生产工艺流程及注意要点
简介
硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。
工艺过程综述
硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。
表1.1 硅片加工过程步骤
1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查
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15. 金属清洗 16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运
切片(class 500k)
硅片加
半导体工艺流程 总文档(1-10) - 图文
第一章 概述
从20世纪后半叶开始电子技术的发展速度是令人膛目结舌的,许多传统由
机械技术支持的产品逐步改由电子技术来支持,例如数字CD播放机取代了磁带播放机,汽车发动机也由电子点火系统控制,电子计算机已深入到社会的各方面。所有这些电子产品都离不开半导体器件,目前微电子技术已进入甚大规模集成电路和系统集成时代,微电子技术已经成了整个信息时代的标志和基础。
1.1 半导体产业的发展
半导体制造技术很复杂,要求许多特殊工艺步骤、材料、设备以及供应产业。半导体产业发展的基础是真空管电子学、无线电通信、固体物理等理论。放大电子信号的三极真空管是由Lee De Forest于1906年发明的,三极管由三个部件构成,在一个抽空气体的玻璃容器中分别封入两个电极和一个栅极。为了使部件不被烧毁,同时还要保证电子能够在电极间传输,必须采用真空。 真空管被用于开发第一台电子计算机(ENIAC),ENIAC重达50吨、占地3000平方英尺、需要19000只真空管,并且使用相当于160个灯塔的电量.ENIAC除了体积大之外,它的主要缺点是伴随着真空管出现的问题。真空管体积大、不可靠以及耗电量大。由于会烧毁,真空管寿命有限。为了迎合迅速发展的电子市场的需求来生
半导体-硅片生产工艺流程及工艺注意要点 - 图文
硅片生产工艺流程及注意要点
简介
硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。
工艺过程综述
硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。
表1.1 硅片加工过程步骤
1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查
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15. 金属清洗 16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运
切片(class 500k)
硅片加
涂装工艺流程
涂装工艺
内容来源网络,由“深圳机械展(11万㎡,1100多家展商,超10万观众)”收集整理! 更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示,就在深圳机械展.
涂装是现代的产品制造工艺中的一个重要环节。防锈、防蚀涂装质量是产品全面质量的重要方面之一。产品外观质量不仅反映了产品防护、装饰性能 , 而且也是构成产品价值的重要因素。
涂装是一个系统工程,它包括涂装前对被涂物表面的处理、涂布工艺和干燥三个基本工序以及设计合理的涂层系统,选择适宜的涂料,确定良好的作业环境条件,进行质量、工艺管理和技术经济等重要环节。 作用:
1.保护作用:保护金属、木材、石材和塑料等物体不被光、雨、露、水合各种介质侵蚀。使用涂料覆盖物体是最方便、可靠的防护办法之一,可以保护物体,延长其使用寿命。 2.装饰作用:涂料涂装可使物体“披上”一身美观的外衣,具有光彩、光泽和平滑性,被美化的环境和物体使人们产生美和舒适的感觉。
3.特种功能:在物体上涂装上特殊涂料后,可使物体表面具有防火、防水、防污、示温、保温、隐身、导电、杀虫、杀菌、发光及反光等功能。 处理工艺:
微组装工艺流程 - 图文
微组装工艺流程
基板的准备
分为电路软基板(RT/DUroid5880)的准备和陶瓷基板(AL2O3)
的准备。电路软基板要求操作者戴指套,将电路软基板放在干净的中性滤纸上, 按图纸用手术刀切割电路板边框线和去除工艺线。要求电路软基板的图形符合图 纸要求,表面平整,没有翘曲,外形尺寸比图纸小 0.1 ㎜~0.2 ㎜,切面平整。工 艺线的去除切地,切口断面与代线平面垂直,手指不允许不戴指套接触镀金层, 以免造成氧化。陶瓷基板的准备,要求用细金刚砂纸打磨陶瓷基板,使边缘整齐, 无毛刺、无短路,然后用纯净水洗净。 基板清洗
基板的清洗,通过超声清洗进行。超声清洗是利用超声波在清洗液中的辐射, 使液体震动产生数万计的微小气泡,这些气泡在超声波的纵向传播形成的负压区 产生、生长,而在正压区闭合,在这种空化效应的过程中,微小气泡闭合时可以 产生超过 1000 个大气压的瞬间高压,连续不断的瞬间高压冲击物体表面,使物体
表面和微小缝隙中的污垢迅速剥落。因此,超声波清洗对物体表面具有一定损伤性,经过多次实验(此实验未记录实验数据),确定合理的超声功率、去离子水用量以及清洗液的高度和清洗时间。具体清洗流程及参数设置如下:
苏州三星半导体封装工艺及产品可靠性保障体系
半导体封装工艺
第
卷第,
期
电
子
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苏州三星半导体封装工艺及产品可靠性保障体系许华平’,
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王明湘,
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苏州大学电子信息学院微电子学系苏州三星半导体有限公司品质部,
江苏江苏
苏州
苏州
摘
要
本文首先介绍苏州三星半导体的产品发展趋势和品质保障体系。。
,
着重阐述了四个关键封装、
工艺中的重要特性的管理方法和注意事项然后介绍了产品可靠性实验的几个主要实验项目的实验目的
实验条件和要求
最后介绍了一些有关最新的无铅产品的可靠性保证方面的内容可靠性无铅化一
。
关键词
封装工艺
中图分类号
文献标识码
文章编号
一
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么
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净力咖,
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妙,
,
花
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,
叩一
三星半导体是世界一流的半导体芯片制造商
,
价值竞争力不断地提升领先的有,
。
年是,
月引进了世界上
其
、
、
一
等制品世界领先
。
产品以上的提高,
封装
,
是目前世
三星电子共有三家晶圆工厂和两家封装测试工厂
,
界上比较先进的封装形式而
比
产品在性能上一。
苏州三星半导体是三星电子在海外的唯一一家封装测试工厂。
制品支持的最高速度为
目前苏州三星半导体生产的产品按种类区、、、
的速度范围是,,
随,
分有、
着产品的不断升级提高产品的良品率
如何有效地确保产品的质量最大限度地降低成本。,
、
一
、
这些都
,
表
是苏州三星半导体产
要质量管理体系来