电路与模拟电子技术试卷及答案

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《电路与模拟电子技术》试卷一

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华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 1 页(共 7 页)

专业: 班级: 姓名: 学号: 华南理工大学期末考试试卷

《电路与模拟电子技术》

得分 评卷 一、填空题(每小题 3 分,共 21 分)

1. 如图 1 所示,开路电压 UOC = 3Ω 5V

1A 1Ω

UOC

2A

u i Z

图 1

图 2

u = 12 sin ( 2512 t + π / 6 ) V, 则频率

2. 图 2 电路中已知 i = 6 sin ( 2512 t ? π / 6 ) A,

f =

赫。负载的功率因数 cos? = = , U = , I

3. 电路如图所示,运算放大器的饱和电压为 ± 12V,稳压管的稳定电压为 8V,正向压降 为 0.7

V,当输入电压 ui= -0.1V 时,则输出电压 uO 等于

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 2 页(共 7 页)

4. 整流电路如图 3 所示,输出电压平均值U O 是 18V,若因故一只二极管损坏而断开,则 输出电压平均值U O 变为 。

+VCC

C1 D1 D2 R L D4 Rb1 + C2 +

电路与模拟电子技术技术基础

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全书分为电路基础理论和模拟电子技术基础两大部分。电路理论部分包括直流电路分析、暂态电路分析和正弦交流电路3章。模拟电子技术部分包括半导体二极管和晶体管、基本放大电路、放大电路中的负反馈、集成运算放大器及应用和直流稳压电源5章。每章均安排了一节应用实例与计算机辅助分析的内容本书注重基础,突出应用,基本概念讲述清楚,分析方法讲解透彻,例题、练习题、计算机仿真题配置齐全,难易度适中,便于教师施教和学生自学

电路与模拟电子技术基础成谢锋,周井泉

第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章

直流电路分析 一阶动态电路 正弦交流稳态 半导体二极管及其基本电路 晶体三极管及其放大电路 放大器中的反馈 集成运算放大器的应用电路

全书分为电路基础理论和模拟电子技术基础两大部分。电路理论部分包括直流电路分析、暂态电路分析和正弦交流电路3章。模拟电子技术部分包括半导体二极管和晶体管、基本放大电路、放大电路中的负反馈、集成运算放大器及应用和直流稳压电源5章。每章均安排了一节应用实例与计算机辅助分析的内容本书注重基础,突出应用,基本概念讲述清楚,分析方法讲解透彻,例题、练习题、计算机仿真题配置齐全,难易度适中,便于教师施教和学生自学

第一章 直流电路 主要内容:

模拟电子技术基础试卷及答案

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模拟电子技术基础试卷及答案

一、填空(18分)

1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。

2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V,二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 3.差分放大电路,若两个输入信号uI1uI2,则输出电压,uO 0 ;若u I1=100?V,u I 2=80?V则差模输入电压uId=20?V;共模输入电压uIc=90 ?V。

4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。

5.若三级放大电路中Au1Au2,Au3,则其总电压增益为 80 dB,折合为 104 倍。

6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ 0 、静态时的电源功耗PDC 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出

模拟电子技术试卷B答案

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1、填空题(0.5分×20=10分)

(1)N型半导体中有 2 种载流子,其中 自由电子 是多子。

(2)共集电极放大电路的信号是从基极输入,从 发射极 输出,输入与输出的相位关系是 同相 关系。

(3)场效应晶体管可以分为两大类:分别是 结型(FJFET)和 绝缘栅型(IGFET) 。

(4)集成运算放大器的输入极一般采用 差分放大电路 电路,输出级一般采用 功率放大电路电路。 (5)使输入电阻增大的是 串联 负反馈,使输出电阻减小的是 电压 负反馈。

(6)根据通带和阻带所处的频率区域不同,一般将滤波器分成4类,分别是 高通 , 低通 , 带通 和 带阻 。

(7)正弦波自激振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件分别是AF=1 和 ψA+ψF=2nπ,n=0,±1,… 。 (8)乙类功率放大电路容易产生的失真称为 交越(非线性) 失真。

(9)直流稳压电路中,滤波电路的作用是 将脉动的直流电压变换为平滑的直流电压 。

(10)单相桥式整流

《电路与电子技术》(电路分析和模拟电路部分)实验指导

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《电路与电子技术》(电路分析和模拟电路部分)实验指导

电路实验的基本知识 一 、实验的性质和目的

实验是人类认识客观事物的重要手段。很多科学成果都是通过大量探索性实验而取得的。在理工科大学里,实验课程与课堂理论讲授一样,是教学中不可缺少的重要环节。实验课程中安排的实验课题,其内容是成熟的,目的是明确的,结果是预知的,实验过程有老师的指导,虽然没有探索性实验那样复杂,但是对帮助学生较为系统地获得有关实验的理论知识和培养有关实验的基本技能是必不可少的。

通过电路实验课程的学习,学生应:

1.掌握常用电子仪器仪表(包括万用表、直流稳压电源、低频信号发生器、晶体管毫伏表、及电子示波器)的性能、使用方法。 2.学习并掌握基本的测量方法。(包括电流、电压、阻抗的测量;网络伏安特性的测量;网络频率特性的测量;以及网络动态特性的测量。) 3.初步掌握专业实验技能,(包括正确选用仪器、仪表,合理制定实验方案,实验现象的观察和判断,实验数据的读取和处理,误差分析,实验报告的编写。)

二 实验的过程和任务

一般讲,一次完整的实验应包括以下几个过程:

设计----根据实验目的制定实验方案。 安装调试----创造实验方案设计的实验条件。

模拟电子技术试卷2及参考答案

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模拟电子技术模拟试卷二及参考答案

……………………………………………………………………………………………………………… 题号 分数 得分 评卷人 一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共20分)

1、 半导体中,由浓度差引起非平衡载流子运动,形成_扩散_电流,由外加电场引起载流子运动形

成_漂移_电流。

2、 温度升高时,晶体二极管的IS将_增大_,VD(on)将_减小_。

3、 晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和__收集__结均为__反向__偏置。 4、 N沟道MOSFET中,为保证器件正常工作,__源__极应接在电位的最低点,而P沟道的

MOSFET,则该电极应接在电位的__最高点__。

5、 P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是 VGS?VT 和__VDS?VGS?VT__。 6、 放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_线性_失真和_非线性_失真两大类。 7、 电流源电路的主要参数是__输出电流__和__输出电阻__。

8、 反馈元件并接到输入信号源两端的为_并联_反馈,否则为_串联_反馈。

?F??1__,相位条件是__(2n?1)180__。 9、 负反馈放大电路自激的幅度条件是__Ao一 二 三

模拟电子技术习题与答案

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1. 填空

(1)N型半导体是在本征半导体中掺入 ;P型半导体是在本征半导体中掺

入 。

(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 。 (3)PN结的结电容包括 和 。

(4)晶体管的三个工作区分别是 、 和 。在放大

电路中,晶体管通常工作在 区。

(5)结型场效应管工作在恒流区时,其栅---源间所加电压应该 。(正偏、反

偏) 答案:(1)五价元素;三价元素;(2)增大;(3)势垒电容和扩散电容;(4)放大区、截止区和饱和区;放大区;(5)反偏。 2. 判断下列说法正确的与否

(1)本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。 ( ) (2)P型半导体带正电,N型半导体带负电。 ( ) (3)结型场效应管外加的栅---源电压应使栅---源间的耗尽层承受反向电压,才能保证 RGS大的特点。

模拟电子技术试题及答案

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练习一

一、填空(16分)

1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)

1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结

模拟电子技术试题及答案

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练习一

一、填空(16分)

1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)

1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结

模拟电子技术试题及答案

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填空题:(每空1分 共40分) 1、PN结正偏时( 导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是( )电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外

加电压()。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当

其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;

4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变大),发射结压降(变小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共)、()、()放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流

输出电流采用()负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数

AF=()。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深

度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,

而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的( 交