半导体厂务工程师

半导体厂务工作

吴世全

国家奈米组件实验室 一、前言

近年来，半导体晶圆厂已进展到8\晶圆的量产规模，同时，也着手规划12\晶圆的建厂与生产，准备迎接另一世代的产业规模。于是各厂不断地扩增其产能与扩充其厂区规模，似乎稍一停顿

即会从此竞争中败下阵来。所以，推促着制程技术不断地往前迈进，从0.25μm设计规格的64Mb（兆位）DRAM（动态随机存储元件）内存密度的此际技术起，又加速地往0.18μm规格的256M发展；甚至0.13μm的1Gb（千兆位）集积度的DRAM组件设计也屡见不鲜。亦即整个半导体产业正陷入尖端技术更迭的追逐战，在竞争中，除了更新制程设备外，最重要的是维持厂区正常运作的厂务工作

之配合，而这两方面的支出乃占资本财的最大宗。特别是多次的工安事故及环保意识抬头之后，厂务工作更是倍显其重要及殷切。

事实上，半导体厂的厂务工作为多援属性的任务，也是后勤配合与收摊（废弃物）处理的工作；平时很难察觉其重要性，但状况一出，即会令整厂鸡飞狗跳，人仰马翻，以致关厂停机的地步。所以，藉此针对厂务工作的内容做一概略性的描述，说明其重要性并供作参考与了解。文章分为三部份：首先为厂务工作的种类，其次是厂务工作的未来方向，最后是本文的结语。 二、厂务工作的种

VISHAY SEMICONDUCTOR (TIANJIN) CO. LTD. SPECIFICATION Page 1of 27

1.

规 格 名 称：

通 用 半 导 体（ 中 国） 有 限 公 司 厂 务 工 程 项 目 管 理 规 定 2.

目 的：

为 加 强 对 通 用 半 导 体（ 中 国） 有 限 公 司 厂 务 工 程 项 目 的 管 理， 规 范 施 工 项 目 的 规 划、 设 计、 发 包、 监 工、 验 收、交 付 使 用 以 及 售 后 服 务（保 修）工 作， 提 高 工 程 建 设 质 量， 消 除 质 量 隐 患， 防 止 因 违 章 施 工 导 致 的 人 身 伤 害、设 备 损 伤、 动 力 中 断 以 及 公 司 财 产 的 损 失，完 善 工 程 文 件 管 理 体 系， 特 制 定 本 规 定。 3.

适 用 范 围：

本 规 范 适 用 于 通 用 半 导 体（ 中 国） 有 限 公 司 各 类 厂 务 工 程 项 目， 包 含 新 建

初试科目：半导体物理学

参考书：半导体物理学 顾祖毅 田立林 富力文 电子工业出版社 考试大纲：

第一章 半导体的晶格结构和缺陷 1 半导体的基本特性 2 常见半导体材料

3 主要半导体器件及其可选用的材料 4 常见半导体的结构类型 5 名词解释

化学键 共价键 离子键 分子键 金属键 晶格缺陷 间隙式杂质 代位式杂质 反晶格缺陷 层错 扩散系数 晶粒间界 第二章 半导体中的电子状态

1 在周期性势场中，电子薛定谔方程的解为布洛赫函数，即波函数：

?1(r)?uk(r)eik?r

uk(r)?uk(r?an)

布洛赫函数不是单色平面波。K为波矢，描述电子共有化运动。平面波因子e表明晶体中不再是局域化的，扩展到整个晶体之中，反映了电子的共有化运动。uk(r)反映了周期性势场对电子运动的影响，说明晶体中电子在原胞中不同位置上出现的几率不同。uk(r)的周期性说明晶体中不同原胞的各等价位置上出现的几率相同。

2 电子在周期场中运动的量子力学处理有几种近似的方法？试简述之。

（1）近自由电子近似 （2）紧束缚近似

3 由于共有化运动，晶体中电子可以看成是整个晶体共有的，因此孤立原子的能

发光材料的发展及研究

庞雪

（贵州大学 大数据与信息工程学院）

摘要： 发光材料是光电信息功能材料领域的研究热点之一。本文着重是关于现有的纳米发光材料、小分子有机电致发光材料、树枝状有机电致发光材料、芴类电致发光材料的发展与研究情况。介绍了国内外在研究发光材料方面所取得的一些最新进展,并对一些有待进一步研究的问题做了展望。 关键词： 发光材料

Abstract： The development of luminescent materials is one of the forefronts and hot areas of the optoelectronic information materials. This paper is about the existing

luminescence

surface

modification,

organic

small

molecular

electroluminescent materials, dendrimers electroluminescent materials, fluorene-based electroluminescent materials develop

智慧家庭初级培训试题

一、单项选择题：

1、正常的WIFI上网要求信号强度不低于( D )

A、-30dBm B、-40dBm C、-50dBm D、-60dBm

2、目前市场上POE反向供电主要采用五类线的（ D ）线对来传输。

A、1234 B、1278 C、1245 D、4578

3、（A）是光纤到户(FTTH)在用户方的一个多功能集成终端箱体

A.家庭信息箱B.光缆分纤箱C.光缆交接箱D.光缆分路箱 4、（D）是目前宽带最宽的传输介质

A.铜轴电缆B.双绞线C.电话线D.光纤 5、FTTH的接入方式是指（A）

A.光纤到家庭B.光纤到公司C.光纤到楼宇D.光纤到交接箱

6、家中五类线综合布线完善，但多媒体箱内无电源，我可以通过（ C ）技术帮助用户解决问题。

A. EOC B. WOC C. POE D. AP面板 7、可以将以太网信号通过同轴电缆进行传输的技术是（ A ）

A. EOC B. WOC C. POE D. AP面板 8、天翼网关采用路由模式，可以支持（ D ）个

1. （ D ）下面关于有效质量的叙述错误的是 。 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用

B. 有效质量直接把外力f和电子的加速度联系起来

C. 有效质量的引入使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用

D. 不是所有的有效质量都可以直接由实验测定

2. （ D ）对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而 。 A. 上升 B. 下降 C. 不变

D. 经过一极值后趋近Ei

3. （ C ）一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的 。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2 4. （ A ）不是深杂质能级特点的是 。 A. 杂质能级离带边较近 B. 多次电离（多重能级） C. 有可能成为两性杂质 D. ED，EA 可与Eg相比拟

5.（ B ）对于补偿的半导体材料，下列叙述正确的是 。 A.载流子浓度取决于杂质浓度较大者，载流子迁移率取决于电离杂质总浓度 B.载流子浓

IT服务工程师知识点（二）

单选题

1.最有可能促进人与人之间最快最有效的沟通:持有相同的观点

Q2. IT服务工程师的专业能力中，不属于核心能力的是IT 服务成本管理能力

IT服务工程师的专业能力中，属于核心能力的是IT服务基本流程和工具信息安全意识和技术,项目管理基本知识

:,

Q3. 服务器通过系统自带监控工具，能够获得自身的配置信息、性能信息和警告信息，相比综合监控工具的最大优势是 :获得服务器最准确、完整的各类信息

Q4. IT服务的质量模型定义了服务质量的六项特性，即功能性、可靠性、 有形性和安全性、响应性、友好性

Q5. 以下哪种不是网络型入侵检测系统（IDS）的主要优势很容易检测一些活动（比如对敏感文件、目录、程序或端口的存取），而这些活动很难在基于网络的线索中被发现

以下哪种是网络型入侵检测系统（IDS）的主要优势: 可以检查到主机型入侵检测系统漏掉的攻击

检测速度快，通常能在微妙或秒级发现问题，并做出更快的通知和响应 作为安全检测资源，与主机的操作系统无关

Q6. 对服务请求的响应速度、服务请求的解决速度、一次故障解决率等达到规定水平的程 度，属于哪项IT服务工程师质量指标的考核 响应性指标

Q7. 根据ITSS的I

太阳能电池培训手册(上)

第一章 太阳电池的工作原理和基本特性

1.1 半导体物理基础

1.1.1 半导体的性质

世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金、银、铜、铝、铅、锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃、橡胶、塑料、石英等等；导电性能介于这两者之间的物体称为半导体，主要有锗、硅、砷化镓、硫化镉等等。众所周知，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱离原子核的束缚，能够自由运动时，称为自由电子。金属之所以容易导电，是因为在金属体内有大量能够自由运动的电子，在电场的作用下，这些电子有规则地沿着电场的相反方向流动，形成了电流。自由电子的数量越多，或者它们在电场的作用下有规则流动的平均速度越高，电流就越大。电子流动运载的是电量，我们把这种运载电量的粒子，称为载流子。在常温下，绝缘体内仅有极少量的自由电子，因此对外不呈现导电性。半导体内有少量的自由电子，在一些特定条件下才能导电。

半导体可以是元素，如硅（Si）和锗（Ge），也可以是化合物，如硫化镉（OCLS）和砷化镓（GaAs），还可以是合金，如GaxAL1-xAs，其中x为0-1之间的任意数。许多有机化合物，如

半导体器件的检测和选用

(1)二极管的检测与选用 1)二极管的检测根据PN结的单向导电性原理，最简单的方法是用万用表测其正、反向电阻。用万用表红表笔接二极管负极、黑袁笔接二极管正极，测得的是正向电阻，将红、黑表笔对调，测得的是反向电阻。 正向电阻测量：小功率锗管的正向电阻一般为lOOfl～lkC/,之间，硅管的正向电阻一般为几百欧到几千欧之间。 反向电阻测量：锗管和硅管的反向电阻一般都在几百千欧以上，且硅管比锗管大。 根据二极管的单向导电性，即二极管的正向电阻小，反向电阻大的特性，可以通过测量的方法确定二极管的正、负极。 由于二极管的伏安特性的非线性，测量时用不同的欧姆挡或灵敏度不同的万用表，所得的数据不同。测量时，对于小功率二极管，通常可选用万用表R×100或R×lk挡；对于中、大功率二极管通常应选用万用表R×1。或R×10挡。 如果测得正向电阻为无穷大，说明二极管内部断线，如果反向电阻值近似为零，说明管子内部短路（击穿），如果测得正反向电阻相差不多，说明管子性能差或失效。以上三种情况的二极管皆不能使用。 实际使用中应注意，硅管和锗管不能替换。同类型管子可以代替，其原则是，对于检波管，只要工作频率高于原来的管子就可代换；对于整流管，只要反向

第八章 金属/半导体接触和MESFET

自从Lilienfeld和Heil在1930年提出场效应晶体管（FET）的概念起，直到20世纪50年代半导体材料工艺发展到一定水平后才做出了可以实际工作的器件。所谓场效应就是利用电场来调制材料的电导能力，从而实现器件功能。除了前面讨论过的MOS、MNOS、MAOS、MFS等都属于场效应器件外,还发展了结型场效应管(J-FET), 肖特基势垒栅场效应管（MES FET）等。本章从金属与半导体接触出发，讨论MES FET的结构和工作原理。

8.1. 肖特基势垒和欧姆接触 8.1.1. 肖特基势垒

当金属和半导体接触时，由于金属的功函数与半导体的功函数不同，在接触的界面处存在接触电势差，就会形成势垒，通常称为肖特基势垒。下面以金属与n型半导体接触为例来讨论肖特基势垒的特性。

(1) 理想情况：假定接触处的半导体表面不存在表面态，图8.1(a)是金属与半导体接触前的能带图(非平衡条件下，其中qφm和qφ

S

分别为金属和半导体的功

1

图8.1

函数，qχ为半导体的电子亲和（势）能。功函数定义为将一个电子从Fermi能级移到材料外面（真空能级）所需要的能量，电子亲和能是将一个电子从导带底移到真空能