模拟电子技术试卷A及答案

模拟电子技术基础试卷及答案

一、填空（18分）

1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。

2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12 V，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 3．差分放大电路，若两个输入信号uI1uI2，则输出电压，uO 0 ；若u I1=100?V，u I 2=80?V则差模输入电压uId=20?V；共模输入电压uIc=90 ?V。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

5．若三级放大电路中Au1Au2，Au3，则其总电压增益为 80 dB，折合为 104 倍。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ 0 、静态时的电源功耗PDC 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出

1、填空题（0.5分×20=10分）

（1）N型半导体中有 2 种载流子，其中 自由电子 是多子。

（2）共集电极放大电路的信号是从基极输入，从 发射极 输出，输入与输出的相位关系是 同相 关系。

（3）场效应晶体管可以分为两大类：分别是 结型（FJFET）和 绝缘栅型（IGFET） 。

（4）集成运算放大器的输入极一般采用 差分放大电路 电路，输出级一般采用 功率放大电路电路。 （5）使输入电阻增大的是 串联 负反馈，使输出电阻减小的是 电压 负反馈。

（6）根据通带和阻带所处的频率区域不同，一般将滤波器分成4类，分别是 高通 ， 低通 ， 带通 和 带阻 。

（7）正弦波自激振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件分别是AF=1 和 ψA+ψF=2nπ，n=0,±1,… 。 （8）乙类功率放大电路容易产生的失真称为 交越（非线性） 失真。

（9）直流稳压电路中，滤波电路的作用是 将脉动的直流电压变换为平滑的直流电压 。

（10）单相桥式整流

模拟电子技术模拟试卷二及参考答案

……………………………………………………………………………………………………………… 题号 分数 得分 评卷人 一、填空题（本大题共10小题，每空1分，共20分）

1、 半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_扩散_电流，由外加电场引起载流子运动形

成_漂移_电流。

2、 温度升高时，晶体二极管的IS将_增大_，VD(on)将_减小_。

3、 晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和__收集__结均为__反向__偏置。 4、 N沟道MOSFET中，为保证器件正常工作，__源__极应接在电位的最低点，而P沟道的

MOSFET，则该电极应接在电位的__最高点__。

5、 P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是 VGS?VT 和__VDS?VGS?VT__。 6、 放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_线性_失真和_非线性_失真两大类。 7、 电流源电路的主要参数是__输出电流__和__输出电阻__。

8、 反馈元件并接到输入信号源两端的为_并联_反馈，否则为_串联_反馈。

?F??1__，相位条件是__(2n?1)180__。 9、 负反馈放大电路自激的幅度条件是__Ao一 二 三

练习一

一、填空(16分)

1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)

1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结

练习一

一、填空(16分)

1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)

1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结

填空题：（每空1分 共40分） 1、PN结正偏时（ 导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（ ）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外

加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当

其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流

输出电流采用（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数

AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深

度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，

而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 交

练习一

一、填空(16分)

1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)

1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结

一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。每空2分，共22分）

1．在本征半导体中加入 三 价元素可以形成P型半导体。

2．场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以它是 电压 控型器件。 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压UD?0.7V，则该电路的输出电压值U? 0 V。 4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为 uO???1RC?udt 。

I5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ，电路的上限频率fH? 105 Hz。

20lg|Au|/dB?C40uID2VRA30uO20100RU

R'

100101102103104105106f/Hz

图1-1 图1-2 图1-3

6．按照滤波电路的工作频率，阻止某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为 带阻

电力电子技术模拟试卷1

参考答案与评分标准

一、选择题（本大题共10小空，每小空1分，共10分））

1、A； 2、A； 3、A； 4、D； 5、B； 6、A； 7、A； 8、B； 9、B； 10、B

二、填空题：（每空1分，共35分）

1、单结晶体管的内部有（ 1 ）个PN结，对外引出（ 3 ）个电极。

2、电力电子开关器件：双向晶闸管，GTO，GTR，IGBT，P-MOSFET中属于电流型驱动的开关管是（双向晶闸管）、（ GTO）、（GTR）；属于电压型驱动的开关管是（IGBT ）、（P-MOSFET）。

3、三相桥式全控整流电路按规定的元件顺序编号，则相邻两晶闸管触发脉冲相位差为 60° ；同组不同相晶闸管脉冲相位差为 120°；同相不同组晶闸管脉冲相位差为 180° ；要求的触发脉冲类型为 双脉冲 ；电流连续时的晶闸管导通角θ为 120° ；一个周期内整流电压的波头数为 6 ；电阻性负载电流临界连续时的触发角α为 60°。（共7分）

4、根据载波和调制波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为（同步）调制和（异步）调制。

5、电能变换有 AC/DC变换 、 DC/AC变换 、 AC/AC变换 、

一、填空题 （每空1分，34分）

1、实现有源逆变的条件为 和 。

2、 在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组 状态、 状态、反组 状态、 状态。

3、 在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经 而不流经 的电流。为了减小环流，一般采用α β状态。

4、有源逆变指的是把 能量转变成 能量后送给 装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的 电压；在门极加上 电压，并形成足够的 电流，晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时 与