模拟电子技术笔记总结
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模拟电子技术总结复习资料
半导体二极管及其应用电路
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. PN结
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,
模拟电子技术总结复习资料
半导体二极管及其应用电路
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. PN结
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,
模拟电子技术总结复习资料
半导体二极管及其应用电路
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. PN结
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,
模拟电子技术习题
第一章
一、选择题(请选择一个最合适的答案填入括号内) 1. P型半导体中的多数载流子是( ),N型半导体中的多数载流子是( )。
A. 自由电子 B. 空穴 C. 电荷
2. 当PN结正偏时,空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比( )。
A. 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡 3. 二极管正向导通的条件是外加电压( )。
A. >0 B. >死区电压 C. >击穿电压 D. <死区电压 4. 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电池正向连接,该管( )。
A. 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏 5. 在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体,加入_____元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价 6. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将_____
A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零
7. 工作在放大区的某三极管,如果当I
模拟电子技术 试题
《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习
填 空
1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时,半导体的______能力会发生很大变化。
3.在半导体中,参与导电的不仅有_________,而且还有_______,这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电,P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极,N区接电源的_____极 。
6.PN结加正向电压时______,加反向电压时________,这种特性称为PN结的______________________________。 7.二极管的最主要特性是__________,使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下,硅二极管的死区电压约为______V,导通后在较大电流下的正向压降约为________V,锗二极管的死区电压约为_______V,导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。
9.当加在二极管两端的反向电压过高时,二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础
一、基础题
1、在图中,RF反馈电路引入的是:
RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A
2、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 答案×
3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素,就是P型半导体。
答案√
4、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×
5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动,也要考虑少子的运动; 答案√
6、二极管的伏安特性上有一个死区电压,这个电压的大小与半导体的材料有关; 答案√
7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体,所以发射极和集电极可以调换使用; 答案×
8、晶体管是电流控制元件; 答案√
9、发光二极管(LED)发光时一定是正向导通的; 答案√
10、将PN结的N区接电源的正极,P区接电源的负极,则为PN结的_______偏置。 答案:反向。
11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体;用得最多的半导体材料就是_______和_______; 答案:晶体;硅;锗;
12、二极管具有_______导电性;稳压二极管是一种特殊的二极管,它一般工作在____
《模拟电子技术》题库
《模拟电子技术》模拟试题一
一、 填空题:(每空1分 共40分)
1、PN结正偏时( ),反偏时( ),所以PN结具有( )导电性。
2、漂移电流是( )电流,它由( )载流子形成,其大小与( )有关,而与外加电压( )。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为( ),等
效成断开;
4、三极管是( )控制元件,场效应管是( )控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( ),集电结( )。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( ),发射结压降( )。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是( )、( )、( )放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用( )负反馈,为了稳定交流输出电流采用( )负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=( ),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=( )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( )BW,其中BW=( ), (
《模拟电子技术》题库
《模拟电子技术》模拟试题一
一、 填空题:(每空1分 共40分)
1、PN结正偏时( ),反偏时( ),所以PN结具有( )导电性。
2、漂移电流是( )电流,它由( )载流子形成,其大小与( )有关,而与外加电压( )。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为( ),等
效成断开;
4、三极管是( )控制元件,场效应管是( )控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( ),集电结( )。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( ),发射结压降( )。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是( )、( )、( )放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用( )负反馈,为了稳定交流输出电流采用( )负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=( ),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=( )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( )BW,其中BW=( ), (
模拟电子技术基础(考试总结及试题)
注意掌握基本概念、电子电路的基本原理、分析问题的方法
1. 电路——由若干电气设备和元件按一定方式组合在一起所构成的电流通路。 2. 电流——单位时间内通过导体截面的电荷,用i 表示,i?dq dt3. 电压——电场力将单位电荷从a点移动到b点所作的功,用u表示,u?4. 功率——能量对时间的微分,p?dwdwdq???u?i dtdqdtttdw dq5. 能量——功率对时间的积分,w(t)?w(t0)??p(t)dt??uidt
t0t06. 如果在任一时间段,元件吸收的能量始终大于等于0,这类元件称为无源元件。 7. 结点(节点) ——三个或三个以上的分支连接的点;
支路——两个结点之间通过同一个电流的分支; 回路——由若干支路构成的闭合路径; 网孔(网眼)——内部无其它支路跨接的回路
8. 基尔霍夫电流定律(KCL):在任一时刻流入某节点的电流之和等于流出该节点的电流之和。
广义KCL:在任一时刻流入某闭合曲面(广义节点)的电流之和等于流出该闭合曲面的电流之和。
9. 基尔霍夫电压定律(KVL):在任一时刻,沿任一闭合回路的绕行方向,回路中电压降之和等于电压升之和。 10. 无源元件的特性:
R?dudqdiUI1QN??d??CC
数字电子技术基础备课笔记
数字环卫智能管理系统
数字电子技术基础复习
使用教材:数字电子技术基础(第四版)高等教育出版社总学时: 68
班级: 14电子2班
[1~2]课时:
第一章:逻辑代数基础
页脚内容94
数字环卫智能管理系统
页脚内容94 2101103106108104--?+?+?+?本章的教学目的与要求:
1、了解常用的数制及其转换方法。
2、理解常用码制的编码方法。
3、理解三种最基本的逻辑关系。
4、了解逻代的三条法则。
5、掌握逻函的公式化简法和卡诺图化简法。
6、深入理解逻辑功能的逻辑函数表达式、真值表、逻辑图、卡诺图四种描述方法,并
掌握它们间的转换方法。
本章的教学重点:
1、逻函的两种化简方法。
2、逻辑功能的四种描述方法和转换方式。
本阐的教学难点:
逻代公式化简法的技巧。
1.1 概 述
1.1.1 数字量和模拟量
模拟量:
随时间是连续变化的物理量。
特点:具有连续性。
表示模拟量的信号叫做模拟信号。
工作在模拟信号下的电子电路称为模拟电路。
数字量:
时间、幅值上不连续的物理量。
特点:具有离散性。
表示数字量的信号叫做数字信号。
工作在数字信号下的电子电路称为数字电路。
1.1.2 数制和码制
一、数制
1、十进制(Decimal)
①有十个数码:0、1、┅┉9;
②逢十进一(基数为十)