太阳能的自己的资料的总结的汇总

太阳能的自己的资料的总结的汇总

我国太阳能光伏产业可能出现产能过剩

在一次性能源日益紧张的情况下，我国民营资本大量进入太阳能光伏产业，产能投资激增，但由于原材料短缺、国内市场尚未启动，业内人士担心这个新能源朝阳产业将出现产能过剩。

在一次性能源日益紧张的情况下，我国民营资本大量进入太阳能光伏产业，产能投资激增，但由于原材

料短缺、国内市场尚未启动，业内人士担心这个新能源朝阳产业将出现产能过剩。

千军万马追逐“阳光” 投资风险加大

继无锡尚德太阳能电力有限公司在美国纽约证券交易所成功上市之后，国内一些上市公司不约而同地

瞄上了“光伏产业”这块蛋糕，纷纷涉足太阳能领域。

江苏阳光股份有限公司和中国

南玻集团股份有限公司此前发布公告，分别拟投资３亿元和１．５亿美元跻身太阳能光伏产业行列。此外，一个个全新的太阳能电池生产基地在上海“浮出水面”：上海航天机电公司设在闵行的太阳能电池基地，目前已经完成了设计规划；上海电气环保集团设在闵行和松江的两个生产基地正在扩容；河北晶龙公司也与

上海方面签约，将在奉贤建设太阳能科技产业园。

业内专家预计，到２００６年底，我国太阳能电池的产能将超过１０００兆瓦，而受原材料短缺的限制，预计太阳能电池的生产量仅３００多兆瓦。此外，还有很多生产线已经预订，预计到２００８年，我国太阳能电池的产能将达到２０００兆瓦。而２００５年，全球太阳能电池的销售量仅为１５００兆瓦，

最大的市场日本实际销量为８００兆瓦，我国市场的销量只有１０兆瓦。

太阳能光伏产业是一个科技含量高的产业，目前我国许多太阳能产业的投资者并不具备专业背景，可如今甚至生产服装、布料、箱包、玻璃、轴承的企业都投资太阳能光伏产业。我国有８０％以上的太阳能电池生产线都是从国外引进的。由于国际上太阳能技术日新月异，许多设备引进之日就是外国淘汰之时。

国际竞争日趋激烈 加工利润越来越小

目前，我国太阳能光伏产业是典型的“两头在外”，九成以上的原材料依赖进口，九成以上的产品出口，我国企业得到的不过是中间的加工利润。而且，随着国际市场空间的日趋饱和，太阳能电池生产厂商的利

润空间正从高点开始下滑。

据上海太阳能科技有限公司总经理袁晓介绍，２００５年，我国生产太阳能电池片或太阳能电池组件的企业几乎不愁接不到出口订单。但２００６年的市场行情发生变化，一些品牌差、没有国际认证或新建的企业，产品出现了滞销的苗头。据分析，这是因为外国政府也鼓励本国太阳能企业发展，美国、德国的

一些太阳能公司都在不断扩容。

而在与国外企业的竞争中，我国企业如果一直是原材料受制于人、依赖进口，必然处于劣势地位。由于目前世界上应用最广泛的太阳能电池是晶体硅电池，而生产晶体硅电池的原材料——高纯度多晶硅，其提取技术被少数几家外国公司垄断，我国太阳能产业只能受制于人。一些新投产的企业，投产之日就面临“无

米之炊”。

由于供不应求，还导致多晶硅原材料价格猛涨。据介绍，２００３年底，1公斤多晶硅材料的价格为２０美元至４０美元，如今已涨到２００美元至３００美元。而与此同时，太阳能电池的出口价格，仅从

２００３年底的３．３美元／瓦上涨到目前的４．１美元／瓦。

专家建议加大科研投入 落实政策启动国内市场

技术落后、内需市场不足，是制约我国太阳能光伏产业发展的两大瓶颈。专家建议，国家应适当控制太阳能利用成套生产线的进口，加大对太阳能产业的研发投入，鼓励企业自主创新，落实政策启动国内市

场。

上海交通大学太阳能研究所崔容强所长认为，我国虽然已将光伏产业正式纳入国家能源发展的中长期规划，但与德国、日本、美国等发达国家将太阳能利用纳入能源储备战略比起来，我国政府对太阳能利用的重视程度还是不够。长期以来，由于没有一个专门的机构来通盘考虑我国太阳能光伏发电产、学、研一

体化的发展，我国太阳能产品的应用与研发力量脱节。

业内人士呼吁，应尽快落实《可再生能源》中有关太阳能利用的实施细则，利用政策激励作用尽快启动我国太阳能光伏市场。例如，我国可以效仿发达国家的“屋顶计划”、“建筑一体化光伏工程”，鼓励单位和个人建设太阳能光伏发电的分布电源。根据我国国情，将太阳能发电技术用于城市道路、小区照明。国家还可规定大中城市政府机关的建筑、标志性建筑、公益性建筑必须安装太阳能发电设备，以引领全社会

兴起“太阳能时尚”。

据粗略测算，我国建筑屋顶面积总计约１００亿平方米，如果有１％的屋顶用来进行太阳能光伏发电，

每年就可以提供１５００亿千瓦时的电能。

建设大规模并网光伏发电系统，目前已成为世界上一些国家大规模利用太阳能的一项战略。我国有约１００万平方公里的荒漠资源，主要分布在太阳光照充沛的西北地区，太阳能光伏发电有很大的发展空间。专家建议，可先将一些具有良好旅游资源的荒漠地区作为我国大型并网光伏发电项目的起步建设区域。

2008年多晶硅可能不再短缺 市场供给过剩

当前，国内正在掀起一轮多晶硅投资高潮，但投资方也许没有意识到，等项目投产后，面对的可能是一个供给过剩的市场环境。

2008年产能或将过剩

在上周召开的“2006中国替代能源与电力国际峰会”上，全球最大的多晶硅上游供应商之一Elkem Solar和全球最大的太阳能光伏产品生产商之一BP太阳能均抛出了一致的观点：根据目前国际上各大企业的扩产计划，到2008年多晶硅供应将不再短缺。

Elkem Solar的商务发展总监Christan Dethloff表示，2008年之后，多晶硅的价格将会回落，太阳能光伏电池的生产成本也将随之下降。Christan Dethloff提供的数据显示，目前全球多晶硅的供给能力在3万多吨，到2008年供给则将翻倍，供需基本实现平衡。

值得注意的是，在作出这一预测的时候，这些多晶硅巨头还没有将中国的多晶硅计划产能计算在内。BP太阳能北亚区总监Anthony Stoken特别强调，“硅材料供应在中国国内仍不能得到支持，届时仍将依靠进口”。

有业内人士分析，也许是国外企业对中国多晶硅产业发展的最新状况并不了解，所以得出了上述结论。毕竟，从去年下半年起，国内企业才开始斥巨资“砸”向多晶硅产业。

除了四川新光硅业明年就将投产的千吨级项目，目前国内拟建或在建的多晶硅项目，合计产能已经超过了2万吨。

公开资料显示，洛阳中硅二期3000吨已经在去年12月开工。而亚洲最大的多晶硅项目———云南曲靖爱信硅科技项目也于今年4月举行了开工奠基仪式，一期工程就投资25亿元，设计产能3000吨，并准备在3年内达到10000吨产能。

此外，G苏阳光(600220)披露，公司已与宁夏东方有色金属集团、宁夏英力特电力集团签署了多晶硅项目合作意向书，该项目规划年产4000吨高纯多晶硅，总投资35亿元。至于G南玻（000012），也已与湖北省宜昌市正式签约，投资建设年产4500吨高纯多晶硅的项目。而这些项目的产能大都将在3-5年内释放。

技术水平有待证明

如果计算上中国的计划产能，到2008年，全球多晶硅市场则很可能会出现供给过剩的情形。

但是，BP太阳能Anthony Stoken认为，不必过多考虑中国本土企业的供给。他作出这一判断的理由是，中国不掌握生产多晶硅的先进技术。

而事实上，不光是国外巨头对中国企业上马多晶硅项目并不看好，包括国家发改委和中国可再生能源专业委员会在内的专家也均表示，中国目前并不掌握生产多晶硅的一流技术。

在“2006中国替代能源与电力国际峰会”上，国家发改委能源局可再生能源和农村电力处处长史立山在接受记者采访时表示，我国一直想引进生产多晶硅的先进技术，但一直受到国际上的封锁。“现在引进的大都是俄罗斯的技术，但俄罗斯的技术太次，产品质量不过关”，史立山说。

中国可再生能源专业委员会秘书长李俊峰也对本报记者说：“即便届时国内企业生产出多晶硅，但由于质量原因，我认为也未必能卖上好价钱。”

国内目前已经投产的多晶硅生产线只有两条，峨嵋半导体材料厂和洛阳中硅，其技术都是从俄罗斯引进的。其中，峨嵋半导体材料厂100吨项目已经投产好几年，运行得较为正常，近两年工厂的效益也非常好。

根据相关公司的公告，目前，多晶硅生产技术是由俄罗斯提供的，但情况正在有所改变。G苏阳光公告则披露，其技术来源为俄罗斯国家稀有金属工业研究设计院还是德国一家公司所拥有的多晶硅生产技术，并未最终确定。云南曲靖爱信硅科技项目对外宣称，其技术和设备是从德国引进的。未来技术水平如何，还待时间检验。

酝酿反弹 太阳能多晶硅霸主魅力四射

http://finance.QQ.com 2006年06月13日17:06 腾讯财经特约 金通证券 陈泳潮

两地大盘今日一度在中国石化打压下继续下探，但尾市指数有所翘起，截至收盘小跌4.30点，收报

于1548点，成交金额为184亿，同期相比萎缩。

早盘科技股在G梅林涨停的刺激下有一定程度的表现，G海虹，G国安等人气品种一度拉升。之后有色金属板块在G云铜涨停的带动下走出反弹行情，G云铝，G株冶，G豫光等涨幅居前，对于有色金属的反弹仍有一定空间，可继续关注。后市操作，就板块轮动性而言，新能源板块作为本轮行情重要的组成部分之一，拥有极高的人气，目前几只龙头人气品种均纷纷调整到位，相信在后市有望走出较好反弹行情。

重点关注新人气龙头，太阳能板块中的多晶硅霸主000012G南玻，前期拉高建仓主力当前价位全线被套，调整到位后，短线凶猛反攻一触即发！世界太阳能光伏产业每年以35%以上的速度增长，其相关的上市公司的股票也有几倍甚至十几倍的涨幅，暴利效应极其明显，但太阳能光伏产业受制于原材料硅瓶颈的制约而发展受限，该产业真正有发展潜力和巨大增长空间的当数生产和销售硅尤其是多晶硅的公司。G南玻相关的董事会议公告显示，为了打造太阳能光伏产业完整的产业链条，公司在对多晶硅材料做了大量细致的调研工作后，拟分期投资建设4500至5000吨多晶硅材料项目。该项目的工艺技术由俄罗斯国家稀有金属研究设计院提供，厂址选定为湖北省宜昌

经济技术开发区。而一期工程拟投资1.5亿美元建设年

产1500吨高纯多晶硅生产基地，占地约500亩，其中包括太阳能级和电子级高纯多晶硅材料及太阳能硅片等产品，建设周期约为18个月。此外G南玻进军光伏产业其实早有先声。2005年9月，公司披露，决定进军可再生能源产业，计划在广东省东莞市麻涌镇征地750亩，建设中国南玻集团东莞绿色能源产业园，

该产业园将重点投资建设节能玻璃项目、太阳能超白玻项目、光伏太阳能电池项目。公司表示，产业园的

建设意义深远，届时，公司主营业务结构将发生重大变化。

大盘方面，消息面上：1. 发审委第８次工作会议将于本周五召开。广东蓉胜超微线材股份有限公司和深圳

市得润电子股份有限公司的首发申请将上会接受审核。中行行长李礼辉率领的路演团队昨日在

深圳开始了路演推介。在一天的时间里，通过登门拜访、午餐交流会等形式，举行了多场询价推介活动，南方基金、国投瑞银基金、景顺长城基金、诺安基金、厦门

信托等多家机构参加了昨日的推介。据了解，

在深圳的推介活动今日还将继续展开。从近期盘面中可以看到，主力打压的品种正是老龙头中国石化，作为当前权重最大的指标股，在这波行情中起到了举足轻重的作用，那么近期在基本面没有变化的背景下却走出持续下跌的走势，确实意味深长，最有可能的原因在于其中的资金战略性抽离，一方面是该股没有股改，另外一方面同等级别的中国银行即将登陆A股，新老龙头的交椅不排除更换。那么今日市场在中国石化大跌3.88％的情况下，能够挺住说明在指数在连续大跌之后已经有启稳的迹象。事实上，除了之前我们反复提到的技术面，1540点的上升趋势线的支撑之外，资金方面今日大同

煤业申购冻结资金之后，资

金面面临一段时间的缓和期。甚至从远一点眼光来看，一部分优质品种正在面临非常好的重新吸纳机会，最大原因在于近段时间，基金发行非常火爆，新成立基金多，并且规模大。比如：上周五刚刚成立的银华优质增长股票基金和中小板ETF，规模分别为98亿、40亿；5月17日成立的广发策略优选混合型基金，规模184亿；5月31日成立的博时平衡配置混合型，规模24亿，等等。这部分资金一定会利用目前大盘相对弱势的背景对成长优质品种进行积极建仓。因此在近期盘面中，在关注指数反弹同时，更要对优质潜

力股做好布局。指数方面，小星线之后明日有望反弹收阳。

个股推荐——000012 G南玻A：最具震撼性的是，公司于06年5月发布投资意向：拟分期投资建设4500至5000吨多晶硅材料项目！如此，公司将全面进军前景广阔，炙手可热的太阳能对晶硅领域。此外，公司年产量为800万平米的低辐射镀膜节能玻璃项目预计在本年内完成工建工程，2007年年中投入商业生产，除此之外，第一期30兆瓦太阳能电池片及封装项目即将在近期开始，预计在07年中期投入商业生产，预计在2009年完成450兆瓦太阳能电池项目,达产后预计年产值将达80亿元。二级市场上看，该股前期有

大资金拉高建仓，当前价位全线套牢，有望发动积极自救行情。

1、 多晶硅产业与市场分析 国家“十一五”将重点发展17类新材料.pdf 市场短缺引发我国多晶硅产业热.doc 多晶硅产业调研专题.doc 多晶硅生产关键设备有望实现重大技术突破.doc 硅材料（多晶硅、单晶硅、硅外延片）.doc 国内外多晶硅消耗指标对比表.1.bmp 国内外多晶硅消耗指标对比表.2.bmp 国内外多晶硅消耗指标对比表.3.bmp 绘就中国硅材料工业宏伟蓝图.doc 加快我国多晶硅材料产业发展 找与国外差距.doc 如何加快我国多晶硅材料产业发.doc 太阳能材料的研究和发展.doc 太阳能风暴.doc 我国多晶硅太阳能电池及应用研究走上快速路.doc 我国首台多晶硅大还原炉样机在洛阳试验成功.doc

有色金属产业技术.doc 专业调研报告（目录）.doc

多晶硅高科技产业亟需政策扶持 收藏到和讯网摘.doc 多晶硅供应短缺，引发晶圆价格上扬.pdf 多晶硅供应短缺仍将持续，价格上涨.pdf 多晶硅需求结构发生变化.pdf 硅太阳电池材料的研究进展.pdf 05年半导体材料市场增长放缓.pdf

05年全球半导体原材料短缺市场增长放缓.pdf 2004年日本晶圆产量将创历史新高.pdf 2004年世界多晶硅产量达2．5万t.pdf 半导体材料的发展现状.pdf 半导体材料现状与发展.pdf

半导体材料增长放缓 部分产品短缺.pdf 国家多晶硅太阳能电池示范工程.pdf 国内外半导体硅材料最新发展状况.pdf 国内最大直径多晶硅试制成功.pdf

河南省多晶硅生产关键设备有望实现技术突破.pdf 2003年世界光伏电池产量.pdf 乐山年产千吨多晶硅厂开工.pdf

洛阳将成为国内最大的硅材料生产基地.pdf 日本2004年半导体硅供需情况及2005年预测.pdf 日本多晶硅的生产现状.pdf

世界多晶硅材料到2007年才有可能缓解.pdf 世界最先进的太阳能生产线落户保定.pdf 四川省多晶硅项目投入建设.pdf 我国第一块太阳能级多晶硅锭诞生.pdf 我国多晶硅生产现状与发展.pdf 我国多晶硅生产现状与发展0.pdf

我市发展硅材料工业的优劣势分析及发展前景思考.pdf 西部硅产业基地将建在云阳 投资10亿元.pdf 新世纪国内外半导体硅材料的新发展.pdf

引进法国技术 深圳湾畔将崛起太阳能产品研发生产基地.pdf 在我国西部地区建设多晶硅大厂的必要性和可行性.pdf 多晶硅产能增长缓慢,过剩逐渐缓和.1.bmp 多晶硅产能增长缓慢,过剩逐渐缓和.2.bmp 2、 多晶硅的应用 2．1、 太阳能光伏发电

中国太阳光伏发电发展现状与未来展望.pdf 中澳合资太阳能电池板生产厂家落户南京.pdf 英利太阳能电池组件出口欧美.pdf

以太阳能光伏发电为龙头保定建设新能源产业基地.pdf 形形色色的太阳电池（4）——非晶硅太阳电池.pdf 形形色色的太阳电池（3）——多晶硅太阳电池.pdf 形形色色的太阳电池（1）（2）.pdf 新能源简讯.pdf

太阳能电池市场迅猛增长.pdf 日本京瓷将太阳能电池产量翻番.pdf

日本德山公司开发太阳电池用多晶硅制造新技术.pdf 河北太阳能光伏发电产业蓬勃、高速、稳定发展.pdf 国内第1家太阳能电池厂开工兴建.pdf 共有世界最高光电转换效率的太阳电池.pdf 多晶硅太阳能电池制作工艺概述.pdf

多晶硅薄膜太阳能电池的研制及发展趋势.pdf 电流恒定的简易逆变电路.pdf

德率先使用多晶硅太阳能电池 光转换率达20．3％.pdf 德国开发出多晶硅太阳能新电池.pdf 德国多晶硅太阳电池转换率突破20％关.pdf 单晶硅、多晶硅太阳电池电性能一致性分析.pdf 2002年世界光伏电池产量.pdf 05年半导体材料市场增长放缓.pdf 2．2、 多晶硅的其它应用

一种以多晶硅为振动膜的MEMS传声器研制.pdf 太阳能传感器技术进展（一）：硅太阳能传感器.pdf 日立CP-HX990投影机.pdf 多晶硅应变式传感器.pdf

多晶硅集成高温压力传感器研究.pdf 多晶硅TFT的发展与应用.pdf

低温多晶硅TFT-LCD的开发动向和发展.pdf 3、多晶硅生产工艺与实验研究 3．1、多晶硅生产工艺

低温多晶硅技术LTPS（Low Temperature Poly.doc 用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量.pdf 用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究.pdf 用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜.pdf 以SiF4＋H2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜.pdf 氩气对多晶硅刻蚀的影响.pdf

我国首台多晶硅大还原炉试验成功.pdf 我国多晶硅生产核心技术获突破.pdf 三菱材料公司销售大直径柱状结晶硅.pdf 利用快速热退火法制备多晶硅薄膜.pdf

快速光热退火制备多晶硅薄膜.pdf

快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究.pdf

颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺.pdf 化学腐蚀法制备多晶硅的绒面.pdf 哈萨克斯坦拟用新工艺生产多晶硅.pdf 多晶硅薄膜制备技术的研究进展.pdf 多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展.pdf 多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制.pdf 多晶硅薄膜的工艺研究.pdf

低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术.pdf 德山公司使用最新VLD技术创造多晶硅.pdf 打破国外封锁，国产多晶硅大还原炉试验成功.pdf PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究.pdf

3．2 多晶硅实验研究

铸造多晶硅中氧的热处理行为研究.pdf 铸造多晶硅中热施主形成规律.pdf

用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜.pdf 用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究.pdf 亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究.pdf 新型多晶硅薄膜热膨胀系数在线测试结构.pdf

四川乐山年产1000吨多晶硅项目的火灾危险性分析及消防技术措施..

磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用 4、附国内准备进行的多晶硅项目 年产多晶硅1000吨项目.doc 凌海多晶硅项目.doc 海南多晶硅项目.doc 多晶硅产业化项目.doc 多晶硅产业调研专题.doc

2005年中国多晶硅行业市场分析报告(7000元)

价格：7000元

报告字数:170000字 报告页数:70页左右 报告日期:2005.7 图表数目:20个左右 报告价格:7000元/印刷版 8000元/电子版(送印刷版) 导读 目 录 部份图表目录 导 读

随着我国工业的快速发展，国内市场对于能源的需求也与日俱增。但由于污染的加重，引起了对清洁能源使用的重视；而且，由于《京都议定书》的签订，我国清洁能源的使用更是越来越受到国家和政府

的重视。而在这些清洁能源中，太阳能以其取之不尽、污染小的特点而日益受到世界各国的重视。因此，世界各国与我国纷纷出台一系列政策，以促进太阳能的利用。而要更好的利用太阳能，做为其上游产业的多晶硅行业的发展就不能不引起重视。因此，为了保证太阳能产业的快速发展，并从长远来促进我国能源的清洁性使用，我国必将继续大力发展多晶硅行业，而且将从相关政策和资金上面继续给予扶持。 2004年，我国多晶硅产量大约在60吨左右，而同期我国多晶硅的需求量2300吨左右。而在同期，国际市场也是供不应求。这些情况造成了2004-2005年多晶硅产品价格的大幅度上扬，进而对其下游的太阳能光伏产业造成了较大的影响。2005年，由于部分产能的释放，我国多晶硅产量预计能达到300吨左右，但同期需求量将在3000吨左右多晶硅产品继续供不应求。虽然由于各大厂商产能的释放和新增产能的形成，国际市场的多晶硅供应将会较2004年有较大幅度的增长，但与太阳能产业的旺盛需求相比，仍存在较大的缺口。因此，投资多晶硅产业在相当长的一段时间内仍将大有可为。在这种情况下，我中心多名分析师联合多晶硅行业专家，利用国家统计局和相关行业协会的统计数据，在参考国内外知名电子行业杂志、国内外知名电子行业专家的研究成果后推出了这份多晶硅行业研究报告。我们相信，我们的成果将对这一行业的经营者、投资者以及关注这一行业的人提供非常有益的帮助。 top

目 录

第一篇 行业发展环境 5

第一章 发展新能源的紧迫性 5 第二章 发展光伏产业的重要性 6 第三章 发展硅材料行业的意义 8 第四章 多晶硅在光伏产业中的重要性 9 第五章 发展我国多晶硅行业的紧迫性 10

第二篇 行业基本概述 13 第一章 多晶硅产品定义 13 第二章 多晶硅产品分类 14 第三章 我国硅材料的发展 14 第四章 多晶硅的应用领域 15 第五章 我国多晶硅产业现状 16

第三篇 行业基本运行情况 17 第一章 世界多晶硅生产情况 17 第二章 国内多晶硅产量 19 第三章 国内多晶硅的生产现状 20 第四章 国内多晶硅市场需求及预测 21 第五章 我国兴建多晶硅厂应注意的问题 23

第四篇 行业工艺技术分析 27

第一章 世界主要多晶硅生产工艺技术 27

第一节 西门子法 27 第二节 Sicl4法 29 第三节 SiH4法 30

第二章 国内多晶硅生产技术现状 31

第三章 国外多晶硅生产技术现状及发展趋势 32 第四章 行业相关技术知识 37

第一节 铸造多晶硅及其他光电转换材料 37 第二节 多晶硅薄膜太阳电池的研究 39

第三节 低温多晶硅技术新提案备受瞩目 44 第四节 非晶硅与低温多晶硅的区别 45 第五章 行业技术发展趋势 46

第五篇 行业重要动态情况 48

第一章 河北天威英利公司重要动态 48 第二章 多晶硅太阳能电池开始产业化 50 第三章 乐山千吨多晶硅项目相关情况 51

第四章 太阳能电池级多晶硅技改项目初见成效 52 第五章 中国首条多晶硅太阳能电池生产线全面投产 54 第六章 德国多晶硅太阳能电池转换率突破20%关口 54 第七章 河南洛阳加大对多晶硅还原炉装置技术研究投入 55

第六篇 行业发展前景预测 56 第一章 多晶硅供应前景分析 56 第二章 多晶硅材料的价格预测 56

第三章 多晶硅涨价对电池片的企业影响 57

第七篇 行业投资与发展建议 59

第一章 对我国多晶硅技术发展的建议 59 第二章 发展多晶硅行业的建议 60 第一节 政策扶持 60 第二节 产业集群 60

第三节 建设生产线的注意事项 60 第三章 多晶硅行业的投资建议 61

第八篇 行业投资风险分析 63 第一章 政策风险 63 第二章 上游行业的影响 63 第三章 同业增加风险 63 第四章 产品的价格风险 64 第五章 原材料价格风险 64

第九篇 虚拟项目的可行性分析 65 第一章 虚拟项目概况 65 第一节 生产线及预计产量 65 第二节 项目设计规模及投资 65 第二章 市场基本情况 65 第一节 国外多晶硅生产能力简况 66

第二节 国内多晶硅生产能力不相适应 66 第三章 多晶硅市场现状与预测 68 第一节 多晶硅市场供不应求 68 第二节 多晶硅市场发展预测 68 第四章 关键技术及产品质量分析 69 第五章 原料及能源供应 70 第一节 生产原料 70 第二节 电力供应 70 第六章 项目经济效益分析 70 第一节 项目投资来源 70 第二节 经济效益分析 71 第七章 风险及对策 71 top

部分图表目录 图表 1 自然界硅的含量 15

图表 2 中国多晶硅产量占世界产量百分比 22 图表 3 国内多晶硅需求 24 图表 4 西门子法工艺流程 30 图表 5 Sicl4法工艺流程 31 图表 6 SiH4法工艺流程 32 图表 7 太阳能电池工作示意图 38 表格 1 世界多晶硅生产现状 19 表格 2 国内多晶硅产量及预测 21

表格 3 2002年～2004年硅材料企业多晶硅生产能力 22 表格 4 我国集成电路及对多晶硅的需求 23

表格 5 2000年~2005年我国太阳能单晶硅产量及相关的多晶硅需求 23 表格 6 多晶硅质量指标 26

表格 7 闭环SiHCl3法生产多晶硅成本 28 表格 8 国内多晶硅的生产方法 33

表格 9 国外多晶硅公司技术与生产现状 34 表格 10 国外公司技术发展趋势 35 表格 11 世界多晶硅产量粗步估算表 67 表格 12 国内多晶硅产量 68

高效晶体硅太阳电池

太阳能光伏发电系统无运动部件,运行可靠，少维护，寿命长，而且电能易利用、易输送、易储存，光伏发电是太阳能利用中最具活力的领域，它引起世界各工的关注，成为各发达国家研究开发的热点。澳大利亚新南威尔士大学已研制出效率达２０％的太阳电池组件，美国、日本、德国和英国等都建立了该电池的中试生产线，其电池效率达到１７－１８％，生产规模正在迅速扩大。

我国现有太阳电池研制和生产水平与国际先进水平相比还有很大的差距，寻求新技术、新材料、新工艺，以提高太阳电池转换效率，大幅度降低生产成本，是我国太阳能光伏界面临的紧迫任务。

北京市太阳能研究所在研究和开发多晶硅薄膜太阳电池的同时，积极进行高效晶体硅太阳电池的研究和开发，探索影响电池转换效率的因素和相关的工艺。将成熟技术转换到太阳电池的生产中，以达到生产高效率低成本太阳电池的目的。自１９９２年开展高效电池研究以来，我们已取得可喜的进展，平面高效单晶硅电池（２cm×２cm）转换效率达到１９.７９％，刻槽埋栅电极晶体硅电池（５cm×５cm）转移效率达18.6%，多晶硅电池（１cm ×１cm）转换效率达14.53%.

一、平面单晶硅高效电池

为了达到高效的目的，在电池制作中采和表面结构化、发射区钝化、分区掺杂等技术。电池结构如图１所示。

电池表面结构化采用光刻腐蚀工艺，制成倒金字塔结构，表面开口尽寸１０um×１０um，发射区钝化采用含氯氧化。分区掺杂采用两次氧化，经光刻后分别形成轻、重掺杂区，再控制掺杂工艺条件实现。电池的金属化采用热蒸发ＴＩ、ＰＤ、ＡＧ，上电极采用光刻腐蚀，剥离形成栅状电极后再脉冲镀银。

二、刻槽埋栅电极单晶硅电池

刻槽埋栅电极单晶硅太阳电池因其埋栅电极的独特结构，使电极阴影面积由常规电池的１０－１５％下降至２－４％，短路电流可上升１２％，同时槽内采用重扩散，使金属－硅界面的面积增大，接触电阻降低，从而使填充因子提高１０％，在电池制作中，既保留了高效电池的特点，又省去了高效单晶电池制作中光刻等工艺，使得刻槽埋栅电极电池在保持高转换效率和适合大规模生产方面，成为连接实验室高效单晶硅太阳电池和常规电池生产之间的纽带。

刻槽埋栅电池的结构如图３所示。该电池表面结构化采用化学腐蚀方法，利用晶体硅的各向异性，将表面腐蚀大小不同、排列不规则的四面方锥体。分区掺杂采用机械或激光刻槽后进行重扩散的方式实现。电池的金属化通过化学镀 、镀铜后浸银完成。经过工艺优化和改进，我们用区熔（ＦＺ）单晶硅制作的电池（５cm×５cm），经美国可再生能源实验室（ＮＲＥＬ）测定， 该电池的Ｉ－Ｖ曲线如图４所示。用直拉单晶（ＣＺ）制作的电池，效率达17.22%;批量投产后,h 3 15%的样片占16.7%,h 3 16%的样片占58.3%,h 3

17%的样片占25%,表明样品电池的效率分布比较集中,有利于实现产业化.

三、多晶硅电池

在多晶硅电池的研制中，采用了单晶硅电池工艺中的表面钝化、背场等工艺，同时又根据多晶硅的特点，增加了用酸性腐蚀就座 去除表面损伤层、浓磷扩散吸杂等工艺，此外为了避免高温过程激活多晶硅晶粒间界处的缺陷，钝化时采用低温含氯氧化形成ＳＩＯ２。电池结构如图５所示。

在经过工艺优化后，多晶硅电池（１cm ×１cm）的性能达到高效晶体硅电池研究工作的成果不仅表现在电池转换效率的逐步提高上，更重要的是使我们对提高电池效率的各种物理机制和因素有了更深入的认识。同时实验室研究工作和太阳电池中试生产线的工作相结合，既有助于分析和解决中试生产中出现的问题，又可促进实验室研究工作的提高，为今后的发展打好基础。

美国能源部（DOE）宣布了一种新的太阳能电池，转换率超过40%。这种电池由

Boeing-Spectrolab生产，通过反射镜和棱镜来增加进入电池的阳光。DOE表示这种电池的售价为每瓦特三美元，生产电力的成本为8-10美分/每千瓦小时。

传统太阳能电池的转换率只有15%左右，而新的这种集中器电池利用成本相对较低的反射镜和棱镜将阳光集中到电池上更为昂贵的镓砷化物部分来提高转换效率。

Spectrolab公司预测在现有技术条件下，太阳能电池的转换效率最终能达到45%。 来源：转载

认识太阳能电池

太阳能电池系一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片, 它只要一照到光, 瞬间就可输出电压及电流. 而此种太阳能光电池 (Solar cell)简称为太阳能电池,或太阳电池(在台湾的早期翻译书籍上直接引用日文中的汉字,其实不是battery而是cell), 又可称为太阳能晶片. 在中国大陆称为硅晶片,因为中文\硅\是 矽的古字, 矽为现代译音字. 在物理学上称为 光生伏打(Photovoltaic),简称PV(photo=light光线,voltaics=electricity电力).

矽(silicon)为目前通用的太阳能电池之原料代表, 而在市场上又区分为: 1.单结晶矽 2.多结晶矽 3.非结晶矽. 而目 前市场应用上大多为单晶矽及非晶矽两大类, 原因是：一.单晶效率最高. 二.非晶价格最便宜, 且无需封装, 生产也最快. 三.多晶的切割及下游再加工 较不易, 而前述两种都较易於再切割及加工. 太阳能电池的发电能源来自於光的波长,太阳光是一种全域波长, 而白炽灯的波长与日光灯的波长不同, 太阳能电池以阳 光或白炽灯之波长为较适用, 而太阳能电子计算机上的太阳能电池是属於 \室内型的非晶\如果长期拿到户外曝晒,且串并联为较大电压及电流时,将导致其内部连结组织烧断而损坏,这是过去有人因错用材料(以为太阳能电池只有一种), 却误以为所有的太阳能电池都不实用的原因.

太阳能制造厂商将太阳能电池称为cell,国内业者则惯称晶片,把晶片(或依设计所需要的电流进行晶片切

割后)焊上箔条导线再将许多焊好的晶片用箔条串联成一组,再和EVA,tedlar与低铁质强化玻璃层层叠叠,一同放入层压机(laminate)的机台上做真空封装, 制成module(plane / panel)称之为模组或称太阳能板,将若干太阳能板组成方阵(列阵array),接配上过充放保护控制(controller)及深(循环)放电蓄电池(铅钙) 以及逆转流器(inverter直流转变为交流)合称为太阳能电力系统,又称太阳能发电站.

一般太阳能光电商品,其太阳能输出电流如果在300毫安(mA)以下时,都只会在太阳能板正极输出端,接装一个负载极微小的防逆二极体 (schottky diode消基二极体)以防止蓄电池内的电流逆流回到太阳能板,如此就可以接上蓄电池使用.

太阳能板的规格除了外形尺寸之外,另有一些特性数据,其中 Voc=开路电压, Isc=短路电流, Vmp(Vop)=最大工作电压, Imp(Iop)= 最大工作电流, Vmp x Imp= W瓦 / (最大)功率.在太阳能商品说明书上所看到的数据均以100mW / cm2(即无云晴天中午的照度12万LUX) 及摄氏温度25度,为测试条件(各地气候不同,一天中符合如此条件的机会很少).所以实际上的应用数据是达不到商品型录上所号称那麼高的.

太阳能电池的功能系以其转换效率作为分等, 以单结晶矽来说: 商业级 (印刷式) 晶片从11%~15%, 特殊定制品从15%~17%, 太空级 (蒸镀式) 晶片从16%~24%, 当然效率愈高其价格就愈贵,较高效率的晶片要预付款排队订购但不一定买得到, 在澳洲1996年世界太阳能车竞赛前,Honda就将效率达24%的晶片全部契约买断,而21%~23%也被其他集团 高价包下,目前地面用太空级晶片只有效率17%~19%的晶片较有机会买得到,但要预约排到6~10个月之后.

值得一提的是：经过几年来世界太阳能车3000公里竞赛的经验,发现唯有太空式晶片,才能经得起长途跋涉的颠簸震动(焊接点不易脱落),这就是以焊接来说:蒸镀式晶片与印刷式晶片在移动环境(车用)使用下的效果差异. 换句话说:固定式(静止)的太阳能电池 模组,可以采用较便宜的印刷式晶片. 但以当今现有的焊接科技而言,在移动(震动)的环境下使用太阳能电池时,目前还是以太空级(蒸镀式)的太阳能电池较为可靠.

贰 . 单晶太阳能电池的生产介绍

拉晶：主原料为二氧化矽, 在拉晶炉中成长成晶柱.

修角：早期制造太阳能电池的晶柱因无修角, 直接将圆晶柱切片, 所以成品为圆形晶片 现在大多先将晶柱修角成近似四方柱形.

切片：用切片机将修成近似四方柱形的晶柱, 一片片的切成薄片(像切 方形火腿片),一般切到约0.4~0.5mm的厚度.

刻蚀:化学刻蚀及抛光成为0.3mm的薄片(wafer). 清洗：用纯水将薄片洗净.

扩散及银浆印刷：经由扩散炉处理后,制成N型上层及P型下层, 再将晶片表面及背面分别用银 浆印刷成输出电路, 一般表面为负极, 背面为正极, 经由摹拟阳光仪作功率检测及品管分级后,即为商业成品. 蒸镀：如将表面及背面不经过丝网印刷, 而改采光刻及坩锅蒸镀式制造抗反射层与表面的输出导线, 再加上其他特殊技术, 如此可提高太阳能电池的转换效率. 但坩锅的容纳有限生产量较少, 蒸镀耗时生产速度较慢, 其成本及售价将提高许多; 太空式单晶片即采用此法. (制造常规商业级的薄片电阻约0.5 ~3欧姆,有些太空式的薄片电阻需低於0.01欧姆以下---马丁格林电池E~24%,澳洲)

参 . 三种市场上流通的太阳能电池

单结晶矽太阳电池 SINGLECRYSTAL 多结晶矽太阳电池 POLYCRYSTAL 非结晶矽太阳电池 AMORPHOUS

目前,在美国的一位华裔李姓科学家,采用 铜铟亚盐酸(copper indium diselenide)制成新的太阳能电池, 其转换效率与结晶矽太阳能电池相当,而价格与重量却下降了许多.(但是,距上市可能还要一段时间) 另外,德国 ISE 以矽粉制成较低价的：\结晶薄膜太阳能电池\

商业市场的明日之星

单晶薄膜太阳能电池 .太阳能电池实用化的最重要的问题,就是要开发出性能与价格比\能更高的晶片\，实际上太阳能电池成份中参与光电转换的,仅是半导体表面上几微米的薄薄一层。目前科学家们已经能成功的利用外延生长技术制成p－n结合，与传统晶片材料中的p－n结合相比,面积减少了很多倍。用此种p－n结合制作积体电路时可大量减小寄生电容与基片和布线间的电容，较利於高速化,又组件之间的间隔减少，也利於高密度化,组件之间没有相互影响，更便於设计和布置。有了这些特点更加符合大型积体电路的高速度、与高密度的要求。

目前最常用也是最成功的制成技术,是采用热分解SiH4气体的气相沈积法，在蓝宝石上沈积得到单晶矽薄膜,拜研究IC业界努力之赐,单晶薄膜太阳能电池搭此便车,将会加快商品化,及早问世.

太阳能

陽光充沛，適合利用太陽能發電。圖中乃美國加州一座於樓頂安裝了太陽能電池板用作供電的洗衣房。]] 太阳能一般指太阳光的辐射能量。太阳能的利用有被动式利用（光热转换）和光电转换两种方式。太阳能发电一种新兴的可再生能源利用方式。广义上的太阳能是地球上许多能量的来源，如风能，化学能，水的势能等等。 利用太阳能的方法主要有：

- 使用太阳电池，通过光电转换把太阳光中包含的能量转化为电能 - 使用太阳能热水器，利用太阳光的热量加热水 - 利用太阳光的热量加热水，并利用热水发电

- 利用太阳能进行海水淡化 现在，太阳能的利用还不很普及，利用太阳能发电

还存在成本高、转换效率低的问题，但是太阳电池在为人造卫星提供能源方面得到了应用。 目前，全球最大的屋頂太陽能面板系統位於德國南部比茲塔特(Buerstadt)，面積為四萬平方公尺，每年的發電量為450萬千瓦。 日本為了達成京都議定書的二氧化碳減量要求，全日本都普設太陽能光電板，位於日本中部的長野縣飯田市，居民在屋頂設置太陽能光電板的比率甚至達2%，堪稱日本第一。 太陽能可分為2種: 1.太陽能光伏 光伏板組件是一種暴露在陽光下便會產生直流電的發電裝置，由幾乎全部以半導體物料(例如矽)製成的薄身固體光伏電池組成。由於沒有活動的部分，故可以長時間操作而不會導致任何損耗。簡單的光伏電池可為手錶及計算機提供能源，較複雜的光伏系統可為房屋照明，並為電網供電。光伏板組件可以製成不同形狀，而組件又可連接，以產生更多電力。近年，天台及建築物表面均會使用光伏板組件，甚至被用作窗戶、天窗或遮蔽裝置的一部分，這些光伏設施通常被稱為附設於建築物的光伏系統。 2.太陽熱能 現代的太陽熱能科技將陽光聚合，並運用其能量產生熱水、蒸氣和電力。除了運用適當的科技來收集太陽能外，建築物亦可利用太陽的光和熱能，方法是在設計時加入合適的裝備，例如巨型的向南窗戶或使用能吸收及慢慢釋放太陽熱力的建築材料。 機電工程署新總部的網站

http://www.emsd.gov.hk/emsd/chi/wnew/exhibition_gallery.shtml Category:能源 ja:太陽光発電

可再生能源

可再生能源泛指多種取之不竭的能源，嚴謹來說，是人類有生之年都不會耗盡的能源。可再生能源不包含現時有限的能源，如化石燃料和核能。 大部分的可再生能源其實都是太陽能的儲存。可再生的意思並非提供十年的能源，而是百年甚至千年的。 隨着能源危機的出現，人們開始發現可再生能源的重要性。 - 太陽能 - 地熱能 - 水能 - 風能 - 生物質能

德率先使多晶硅太阳能电池转换率达20.3%

德国弗劳恩霍夫协会科研人员采用新技术，在世界上率先使多晶硅太阳能电池的光电转换率达到２０.３％。

弗劳恩霍夫协会近日发表的新闻公报说，与单晶硅太阳能电池相比，多晶硅电池成本低，但也存在明显缺陷。晶粒界面和晶格错位，是造成多晶硅电池光电转换率一直无法突破２０％的关口。单晶硅电池早在２０多年前就已突破这一关口。

公报说，该协会下属的弗赖堡太阳能系统研究所经过两年攻关，成功开发出一种新技术，可以使多晶硅电池的晶格错位等缺陷得到部分解决。其技术关键是在太阳能电池生产过程中选择适当温度，使多晶硅的电子性能得到提高，并同时形成高效率的太阳能电池结构。经过多次试验，研究人员找到了适当的温度平衡点，既保证太阳能

另外一项重要改进是该研究所开发出的一种名为ＬＦＣ的太阳能电池背面接触新技术。该技术生产成本低，效率高，可以取代目前昂贵的传统技术。

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/zp8o.html