电力电子技术习题册（第2章）

学号____________ 姓名___________ 成绩____________

第2章 电力电子器件

一、填空题

1、普通晶闸管的图形符号是 ________ ，三个电极分别是_________、__________、__________。

2、型号KP100-8的元件是额定电压为__________、额定电流为_________ 的_________晶闸管。

3、当温度降低时，晶闸管的触发电流会_________ 、正反向漏电流会__________；当温度升高时，晶闸管的触发电流会 _________、正反向漏电流会 ________ 。

4、请在正确的空格内标出下面元件的简称

电力晶体管___________；可关断晶闸管___________；功率场效应晶体管__________；绝缘栅双极型晶体管__________；IGBT是__________和__________的复合管。

5、电力晶体管的图形符号是________；电力场效应晶体管的图形符号是_______；绝缘栅双极晶体管的图形符号是_______。

6、电力电子器件的功率损耗包含___________、___________、___________。 7、在SCR、GTR、IGBT、GTO、MOSFET中，可以承受反向电压器件是___________、___________、___________、___________。

二、简答分析题

1、 使晶闸管导通的条件是什么？

第2章 电力电子器件

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2、 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

3、什么是晶闸管的额定电流？

4、为什么要限制晶闸管断态电压临界上升率du/dt?

5、为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt?

第2章 电力电子器件

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6、晶闸管的关断条件是什么? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?

7、型号为KP100-3，维持电流IH=4mA的晶闸管，使用在图2.1所示电路中是否合理，为什么?（不考虑电压电流裕量）

图2.1

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8、温度升高时，晶闸管的维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？

9、怎样确定GTR的安全工作区SOA?

10、什么叫GTR的一次击穿？什么叫GTR的二次击穿?

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11、试说明VDMOS的安全工作区。

12、试说明GTR、电力MOSFET和IGBT各自的优缺点。

13、IGBT管的擎住效应在使用中会出现什么问题？如何防止？

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三、计算题

1、设流过晶闸管的电流波形如图2.2所示，其最大值均为Im，试求（1）各波形的电流平均值Id，电流有效值I和波形系数Kf。（2）采用额定电流为1000A的晶闸管，当不考虑安全裕量时，所能送出的平均电流各为多少?

图2.2

2*、在图2.3中，若要使用单次脉冲触发晶闸管T导通，门极触发信号（触发电压为脉冲）的宽度最小应为多少微秒？（设晶闸管的擎住电流IL=15mA）

图2.3

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3、如图2.4所示，试画出负载Rd上的电压波形(不考虑管子的导通压降)。

图2.4

u2tugtudt

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4、单相正弦交流电源，晶闸管和负载电阻串联如图2.5所示，交流电源电压有效值为200V。

（1）考虑安全裕量，应如何选取晶闸管的额定电压？

（2）若通过晶闸管的有效电流为100A，考虑晶闸管的安全裕量，应如何选择晶闸管的额定电流？

图2.5

第2章 电力电子器件 7

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