杨华中 - 深亚微米集成电路设计 - 图文

深亚微米集成电路设计与验证

杨华中提要

?深亚微米工艺的特点?解决设计复杂性的方法?噪声与串扰?快速电路仿真与性能断言?低功耗集成电路设计方法?模拟电路综合?结论2013-7-22深亚米集成电路设计与验证杨华中第2页

IC工艺趋势的概貌（NTRS’99)

Yr1999200120032005200820112014FZ(nm)180150130100705035VDD(V)1.51.21.20.90.60.50.3f(MHz)1250176724903500600010000135002 A(mm)450450567622713817937#(?10)624497814253915234308SIA: Semiconductor Industry Association, 19992013-7-22

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设计能力

晶体管数目(无存储器)100,000,0001,000,00010,000100单位人月设计的晶体管数目10,000,00058%摩尔定律复杂性限制210,0001,00010工程效率1985198119891993199720012005SIA, 19972013-7-22

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2009设计复杂性

?SoC包含的数字模块种类繁多?多种CPU ＋多种DSP?内存、可编程逻辑、专用模块?软件?数字、模拟、RF、光、MEMS?性能指标更多、更复杂?延时、面积?功耗、噪声

?设计队伍庞大、设计层次众多2013-7-22深亚米集成电路设计与验证杨华中第5页

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