巨磁电阻效应及应用实验报告 - 图文

成绩 评 定 教师 签 名

嘉应学院物理系大学物理

学生实验报告

实验项目：

实验地点： 班 级： 姓 名： 座 号：

实验时间： 年 月 日

物理与光信息科技学院编制

实验预习部分 一、实验目的：

1、 了解GMR效应的原理

2、 测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线 3、 测量GMR的磁阻特性曲线

4、 测量GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线 5、 用GMR传感器测量电流

6、 用GMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解GMR转速（速度）传感器的原理 7、 通过实验了解磁记录与读出的原理

二、实验仪器设备：巨磁电阻实验仪

区域1

区域2

区域3

图5 巨磁阻实验仪操作面板 图5所示为巨磁阻实验仪系统的实验仪前面板图。 区域1——电流表部分：做为一个独立的电流表使用。

两个档位：2mA档和200mA档，可通过电流量程切换开关选择合适的电流档位测量电流。 区域2——电压表部分：做为一个独立的电压表使用。

两个档位：2V档和200mV档，可通过电压量程切换开关选择合适的电压档位。 区域3——恒流源部分：可变恒流源。

实验仪还提供GMR传感器工作所需的4V电源和运算放大器工作所需的±8V电源。 基本特性组件

图6 基本特性组件

基本特性组件由GMR模拟传感器，螺线管线圈及比较电路，输入输出插孔组成。用以对GMR的

磁电转换特性，磁阻特性进行测量。

GMR传感器置于螺线管的中央。

螺线管用于在实验过程中产生大小可计算的磁场，由理论分析可知，无限长直螺线管内部轴线上任一点的磁感应强度为：

B = μ0nI （1）

式中n为线圈密度，I为流经线圈的电流强度，?0?4??10?7H/m为真空中的磁导率。采用国际单位制时，由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉（1特斯拉＝10000高斯）。 电流测量组件

图7 电流测量组件

电流测量组件将导线置于GMR模拟传感器近旁，用GMR传感器测量导线通过不同大小电流时导线周围的磁场变化，就可确定电流大小。与一般测量电流需将电流表接入电路相比，这种非接触测量不干扰原电路的工作，具有特殊的优点。

角位移测量组件

图8 角位移测量组件

角位移测量组件用巨磁阻梯度传感器作传感元件，铁磁性齿轮转动时，齿牙干扰了梯度传感器上偏置磁场的分布，使梯度传感器输出发生变化，每转过一齿，就输出类似正弦波一个周期的波形。利用该原理可以测量角位移（转速，速度）。汽车上的转速与速度测量仪 就是利用该原理

制成的。

磁读写组件

图9 磁读写组件

磁读写组件用于演示磁记录与读出的原理。磁卡做记录介质，磁卡通过写磁头时可写入数据，通过读磁头时将写入的数据读出来。

实验内容与步骤

一、GMR模拟传感器的磁电转换特性测量

在将GMR构成传感器时，为了消除温度变化等环境因素对输出的影响，一般采用桥式结构，图10是某型号传感器的结构。

R2 R1 输入＋ 输出－ 输出＋ R3 R4 磁通聚集器 输入－ a几何结构 b电路连接 图10 GMR模拟传感器结构图 对于电桥结构，如果4个GMR电阻对磁场的响应完全同步，就不会有信号输出。图10中，将处在电桥对角位置的两个电阻R3、R4 覆盖一层高导磁率的材料如坡莫合金，以屏蔽外磁场对它输出/V 们的影响，而R1、R2 阻值随外磁场改变。设无外磁场时4个GMR电阻的阻值均为R，R1、R2 在外磁场作用下电阻减小ΔR，简单分析表明，输出电压：

UOUT = UINΔR/（2R-ΔR） （2） 屏蔽层同时设计为磁通聚集器，它的高导磁率将磁力线聚集在R1、R2电阻所在的空间,进一步提高了R1、R2 的磁灵敏度。

从图10的几何结构还可见，巨磁电阻被光

磁感应强度/高斯 －30 －20 －10 0 10 20 30 图11 GMR模拟传感器的磁电转换特性 刻成微米宽度迂回状的电阻条，以增大其电阻至kΩ数量级，使其在较小工作电流下得到合适的电压输出。

图11是某GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线。图12是磁电转换特性的测量原理图。 图12 模拟传感器磁电转换特性实验原理图

三、实验原理：

根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中的原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程，电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律 R=?l/S中，把电阻率?视为常数，与材料的几何尺度无关，这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程（例如铜中电子的平均自由程约34nm），可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几个原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为0.3nm），电子在边界上的散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率增加的现象。

电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。早在1936年，英国物理学家，诺贝尔奖获得者N.F.Mott指出，在过渡金属中，自旋磁矩与材料的磁场方向平行的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。总电流是两类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流的并联电阻，这就是所谓的两电流模型。

在图2所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反铁磁）耦合的。施加足够强的外磁场后，两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。

无外磁场时顶层磁场方向 顶层铁磁膜 中间导电层 底层铁磁膜 无外磁场时底层磁场方向 电阻欧姆 \\ 磁场强度 / 高斯 图2 多层膜GMR结构图 图3 某种GMR材料的磁阻特性

图3是图2结构的某种GMR材料的磁阻特性。由图可见，随着外磁场增大，电阻逐渐减小，其间有一段线性区域。当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后，继续加大磁场，电阻不再减小，进入磁饱和区域。磁阻变化率 ΔR/R 达百分之十几，加反向磁场时磁阻特性是对称的。注意到图2中的曲线有两条，分别对应增大磁场和减小磁场时的磁阻特性，这是因为铁磁材料都具有磁滞特性。

有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献。

其一，界面上的散射。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变（平行－反平行，或反平行－平行），电子在界面上的散射几率很大，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，电子在界面上的散射几率很小，对应于低电阻状态。

其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子也有一定的几率在上下两层铁磁膜之间穿行。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经历散射几率小（平行）和散射几率大（反平行）两种过程，两类自旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的并联，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，自旋平行的电子散射几率小，自旋反平行的电子散射几率大，两类自旋电流的并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻的并联，对应于低电阻状态。

多层膜GMR结构简单，工作可靠，磁阻随外磁场线性变化的范围大，在制作模拟传感器方面得到广泛应用。在数字记录与读出领域，为进一步提高灵敏度，发展了自旋阀结构的GMR。如图4所示。

自旋阀结构的SV-GMR(Spin valve GMR)由钉扎层，被钉扎层，中间导电层和自由层构成。其中，钉扎层使用反铁磁材料，被钉扎层使用硬铁磁材料，铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形成一个偏转场，此偏转场将被钉扎层的磁化方向固定，不随外磁场改变。自由层使用软铁磁材料，它的磁化方向易于随外磁场转动。这样，很弱的外磁场就会改变自由层与被钉扎层磁场的相对取

自由层 向，对应于很高的灵敏度。制造时，使自由层的初始磁

中间导电层 化方向与被钉扎层垂直，磁记录材料的磁化方向与被钉

被钉扎层 扎层的方向相同或相反（对应于0或1），当感应到磁记

钉扎层 录材料的磁场时，自由层的磁化方向就向与被钉扎层磁化方向相同（低电阻）或相反（高电阻）的方向偏转，

检测出电阻的变化，就可确定记录材料所记录的信息，

图4自旋阀SV-GMR结构图 硬盘所用的GMR磁头就采用这种结构。

实验预习部分 四、实验步骤：

1. 将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验

仪的4伏电压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“模拟信号输出”接至实验仪电压表。

按表1数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的输出电压于表格“减小磁场”列中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记

录相应的输出电压。

电流至－100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下到上记录数据于“增大磁场”列中。

理论上讲，外磁场为零时，GMR传感器的输出应为零，但由于半导体工艺的限制，4个桥臂电阻值不一定完全相同，导致外磁场为零时输出不一定为零，在有的传感器中可以观察到这一现象。

表1 GMR模拟传感器磁电转换特性的测量 电桥电压4V 磁感应强度/高斯 输出电压/mV 励磁电流/mA 磁感应强度/高斯 减小磁场 增大磁场 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 5 0 －5 －10 －20 －30 －40 －50 －60 －70 －80 －90 －100 根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。

以磁感应强度B作横座标，电压表的读数为纵座标作出磁电转换特性曲线。

不同外磁场强度时输出电压的变化反映了GMR传感器的磁电转换特性，同一外磁场强度下输出电压的差值反映了材料的磁滞特性。

二、GMR磁阻特性测量

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为加深对巨磁电阻效应的理解，我们对构成GMR模拟传感器的磁阻进行测量。将基本特性组件的功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”，此时被磁屏蔽的两个电桥电阻R3,R4被短路，而R1,R2并联。将电流表串连进电路中，测量不同磁场时回路中电流的大小，就可计算磁阻。测量原理如图13所示。

实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。

将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”实验仪的4伏电压源串连电流表后接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”。

按表2数据，调节励磁电流，逐渐减小磁

图13 磁阻特性测量原理图

场强度，记录相应的磁阻电流于表格“减小磁场”列中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。

电流至－100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下到上记录数据于“增大磁场”列中。

表2 GMR磁阻特性的测量 磁阻两端电压4V

磁感应强度/高斯 磁阻/Ω 减小磁场 磁阻/Ω 增大磁场 磁阻电流/mA 磁阻/Ω 励磁电流/mA 磁感应强度/高斯 磁阻电流/mA 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 5 0 －5 －10 －20 －30 －40 －50 －60 －70 －80 －90 －100 根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。 7

由欧姆定律 R=U/I 计算磁阻。

以磁感应强度B作横座标，磁阻为纵座标作出磁阻特性曲线。应该注意，由于模拟传感器的两个磁阻是位于磁通聚集器中，与图3相比，我们作出的磁阻曲线斜率大了约10倍，磁通聚集器结构使磁阻灵敏度大大提高。

不同外磁场强度时磁阻的变化反映了GMR的磁阻特性，同一外磁场强度下磁阻的差值反映了材料的磁滞特性。

三、 GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线测量

将GMR模拟传感器与比较电路，晶体管放大电路集成在一起，就构成GMR开关（数字）传感器，结构如图14所示。

比较电路的功能是，当电桥电压低于比较电压时，输出低电平。当电桥电压高于比较电压时，输出高电平。选 择适当的GMR电桥并结合调节比较电压，可调节开关传感器开关点对应的磁场强度。

输出 输出电压/V GMR 电桥 开 比较电路 关 关 开 磁场强度 /高斯 －20 －10 0 10 20 30 图14 GMR开关传感器结构图 图15 GMR开关传感器磁电转换特性

图15是某种GMR开关传感器的磁电转换特性曲线。当磁场强度的绝对值从低增加到12高斯时，开关打开（输出高电平），当磁场强度的绝对值从高减小到10高斯时，开关关闭（输出低电平）。

实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。

将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验仪的4伏电压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，“电路供电”接口接至基本特性组件对应的“电路供电”输入插孔，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“开关信号输出”接至实验仪电压表。

从50mA逐渐减小励磁电流，输出电压从高电平（开）转变为低电平（关）时记录相应的励磁电流于表3“减小磁场”列中。当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，输出电压从低电平（关）转变为高电平（开）时记录相应的负值励磁电流于表3“减小磁场”列中。将电流调至－50mA。

逐渐减小负向电流，输出电压从高电平（开）转变为低电平（关）时记录相应的负值励磁电流于表3“增大磁场”列中，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。输出电压从低电平（关）转变为高电平（开）时记录相应的正值励磁电流于表3“增大磁场”列中。

表3 GMR开关传感器的磁电转换特性测量 高电平＝ V 低电平＝ V 减小磁场 开关动作 关 开 励磁电流/mA 磁感应强度/高斯 开关动作 关 开 增大磁场 励磁电流/mA 磁感应强度/高斯 根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。

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以磁感应强度B作横座标，电压读数为纵座标作出开关传感器的磁电转换特性曲线。 利用GMR开关传感器的开关特性已制成各种接近开关，当磁性物体（可在非磁性物体上贴上磁条）接近传感器时就会输出开关信号。广泛应用在工业生产及汽车，家电等日常生活用品中，控制精度高，恶劣环境（如高低温，振动等）下仍能正常工作。

四、用GMR模拟传感器测量电流

从图11可见，GMR模拟传感器在一定的范围内输出电压与磁场强度成线性关系，且灵敏度高，线性范围大，可以方便的将GMR制成磁场计，测量磁场强度或其它与磁场相关的物理量。作为应用示例，我们用它来测量电流。

由理论分析可知，通有电流I的无限长直导线，与导线距离为r的一点的磁感应强度为：

B = μ0I/2πr =2 I×10-7/r （3）

磁场强度与电流成正比，在r已知的条件下，测得B，就可知I。

在实际应用中，为了使GMR模拟传感器工作在线性区，提高测量精度，还常常预先给传感器施加一固定已知磁场，称为磁偏置，其原理类似于电子电路中的直流偏置。

图16 模拟传感器测量电流实验原理图

实验装置：巨磁阻实验仪，电流测量组件 实验仪的4伏电压源接至电流测量组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“待测电流输入”，电流测量组件“信号输出”接至实验仪电压表。

将待测电流调节至0。

将偏置磁铁转到远离GMR传感器，调节磁铁与传感器的距离，使输出约25mV。 将电流增大到300mA，按表4数据逐渐减小待测电流，从左到右记录相应的输出电压于表格“减小电流”行中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时电流方向为负，记录相应的输出电压。

逐渐减小负向待测电流，从右到左记录相应的输出电压于表格“增加电流”行中。当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时电流方向为正，记录相应的输出电压。

将待测电流调节至0。

将偏置磁铁转到接近GMR传感器，调节磁铁与传感器的距离，使输出约150mV。 用低磁偏置时同样的实验方法，测量适当磁偏置时待测电流与输出电压的关系。

表4 用GMR模拟传感器测量电流 待测电流/mA 低磁偏置 输出(约25mV) 电适当磁偏置 压/mV (约150mV) 减小电流 增加电流 减小电流 增加电流 300 200 100 0 －100 －200 －300 表3 用GMR模拟传感器测量电流 以电流读数作横坐标，电压表的读数为纵坐标作图。分别作出4条曲线。

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本文来源：https://www.bwwdw.com/article/yfwt.html