氧化铝陶瓷低温常压烧结

氧化铝陶瓷低温常压烧结

张全贺

051002131

摘要：氧化铝陶瓷材料以其优良的性能及较低的制造成本，被广泛应用于国民经济各部门。随着科学技术的发展，特别是电子、能源、空间技术、汽车工业的发展，对材料的要求越来越苛刻，因此对高纯氧化铝陶瓷尤其是更高纯度的高性能氧化铝陶瓷需求量大为增加。本课题围绕制各A1203含量>99．8wt％的高纯氧化铝陶瓷进行研究，通过原科粉体预处理工艺、烧结助剂添加工艺、成型优化工艺，从而实现常压下低温烧结高纯高致密氧化铝陶瓷。本课题中获得的低温烧结试样具有较好的显微结构和较高的机械性能。原料粉预处理工艺是一种新的氧化铝粉体解团聚方法，具有工艺简单、成本消耗低、粉体处理效果显著的特点，对于粉体解团聚处理工艺的技术进步有一定的促进意义。在烧结助剂的研究中，本课题MgO为基本考察助剂，Y203、La203、Nd20s、纳米A1203为复合添加助剂，通过相关的选择实验，研究了以上烧结助剂在14500C、1550。(2、16500C对～203含I>99．8wt％的商纯氧化铝陶瓷的烧结体密度的作用规律。这一研究的结果，为高纯氧化铝陶瓷的制各提供重要参考数据。通过高纯超细氧化铝粉料的凝胶浇注成型工艺的研究，优化高纯超细氧化铝粉体的凝胶浇注成型参数，获得了高质量的凝胶浇注成型试样。以获得的生坯为研究对象，通过对真空烧结工艺参数的分析和工艺试验，在150012温度下，实现了高纯氧化铝陶瓷的低温致密烧结；获得的高纯高致密氧化铝陶瓷密度可达3．979／cm3；烧结体平均晶粒尺寸3～4um；抗弯强度(三点)可达500MPa以上；表面显微硬度可达18．5GPa以上。

关键词：氧化铝陶瓷 预处理凝胶成型 低温烧结纯

1 引言

氧化铝陶瓷是指以高纯AI2O3粉末为主要原料，经各种陶瓷工艺制成的晶相晶粒尺寸小于6um并以刚玉为主晶相的氧化铝陶瓷材料，其具有高熔点、高硬度 机械性能好、耐蚀、绝缘等优良特性 刚玉是自然界中的一种极硬材料，莫氏硬度为9，仅次干金刚石。刚玉陶瓷的强度非常高。熔点为2050℃，并且这种高强度在1 000℃以上的高温下仍能保持，还能够长期在高温富氧的条件下使用，远远优于普通的钢和合金钢．刚玉的导热性能非常好，室温下的导热率达29W／m·K，只比钢铁等的热导率稍低，而且高频下的介质损耗低于1 0 ，是最好的高频绝缘材料之一。微晶氧化铝陶瓷通常分可为高纯型与普通型两种 高纯型微晶氧化铝陶瓷指AI2O3含量在99．9％以啊卜的氧化铝陶瓷材料，其烧结温度高达1 650～1 990℃．透射波长在1～6u m范围．利用其透光性及可耐碱金属腐蚀等性能，常用作高压钠灯灯管．普通型微品氧化铝陶瓷按AI2O3含量不同可分为99、95、92、90、85瓷等品种(有137 AI2O3 含量在8O％或75％者也被划为普通氧化铝陶瓷系列)。其中，99氧化铝陶瓷材料常被用于制作高温坩埚、耐火炉管及其他特殊耐磨材料(如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片)，在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料， 化工行业常用于催化剂载体等；95、92、90氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨损材料与耐磨部件；8 5瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与铌、钽等金属封接，用作电真空装置器件等。

2 氧化铝陶瓷性能及应用

氧化铝陶瓷具有较高的机械性能、介电性能、以及较好的热性能和化学稳定性能，因此具有广泛的应用领域。①利用高纯氧化铝陶瓷具有的高硬度，可以作为刀具、模具、钟表轴承、砂轮、磨球、泥沙泵活塞以及装甲等的制备材料；②利用高纯氧化铝陶瓷具有的高频介电损耗小、电绝缘性良好的特性，可以用于IC封装、衬底、火花塞、真空开关外壳、磁控管芯柱及高功率设备和波导装置的射电窗口等；③利用商纯氧化铝陶瓷具有的耐高温性、良好的化学稳定性及透光性，可以用作耐酸泵零件、催化载体、钠光灯管及人工骨生物材料等。

3 氧化铝陶瓷的制备

材料制备工艺：微晶氧化铝陶瓷材料的制备工艺可表示如下 ：原料配料一研磨加工一制粉(制浆、制泥)一成型(半干压、滚制、等静压、注浆-离心注浆、热压铸、挤出)干燥一烧咸一检选(冷加工)—包装入库一出厂

原料：作为陶瓷原料主要成分之一的氧化铝在地壳中含量菲常丰富．在岩石中平均含量为1 5 34％ ，是自然界中仅次于SiO2存量的氧化物 一般应用于陶瓷工业的氧化铝原料主要有两大类：一类是工业氧化铝，另一类是电熔刚玉。

(1)工业氧化铝：工业氧化铝一般是以含铝量高的天然矿物铝土矿(由铝的氢氧化物，如一水硬铝石、一水软铝石、三水铝石等氧化铝的水化物组成)为原料，通过化学法(主要是碱法，多采用拜尔一一碱石灰法)处理，除去硅、铁、钛等杂质，制备出氢氧化铝经煅烧而制得，其矿物成分绝大部分是y—AI2O3。工业氧化铝是白色松散的结晶粉末．颗粒是由许多粒径小于0．1 μm的y—AI2O3晶体组成

的多孔球形聚集体，其孔隙率约为30％ ，平均颗粒粒径为40～70 μm，工业化铝粉料的扫描电镜如图1所示。工业氧化铝的三项主要杂质成分中．Na2O与Fe2O3 会降低氧化铝瓷件的电性能。Na2O的含量应在O.5％～O.6％，Fe2O3含量应小于O. 04％。另外，在电真空瓷件中，工业氧化铝中不得含有氯化物、氟化物等．因为它们能侵蚀电真空装置。工业氧化铝含量的质量标准见表1。

(2)电熔刚玉：电熔刚玉是以工业氧化铝或富含铝的原料在电弧炉中熔融，缓慢冷却使晶体析晶出来，其AI2O3含量可达99％ 以上，Na2O含量可减少至0.1％ 一0.3％。电熔刚玉的矿物组成主要是a—Al2O3，纯正的电熔刚玉呈白色，称为白刚玉；熔制时加入氧化铬，可制成红色的铬刚玉；加入氧化锆时可制成锆刚玉；电熔刚玉中含有TiO2。则称钛刚玉。这一系列的电熔刚玉由于熔点高硬度大，是制造高级耐火材料、高硬磨料磨具的优质原料。

粉料(浆料、泥料)制备：将合格的高温氧化铝粉料，根据产品性能的要求与成型工艺的特点，按配方配料后经研磨设备(球磨机、搅拌磨等)加工至要求细度，制备出合格的坯用粉料、浆料、泥料。采用半自动或全自动干压成型，对粉体有一定的工艺参数要求，需要采用喷雾造粒法对粉体进行处理(粉料颗粒呈现圆球状)，以利于提高粉体流动性便于成型中自动充填模壁。此外，为减少粉料与模壁的摩擦，还需添加1％ ～2％的润滑剂(如硬脂酸铝等)及粘结剂PVA。喷雾造粒后的粉体必须具备流动性好、密度松散、颗粒级配比理想等条件，以

获得较大素坯密度。采用挤压成型或注射成型时，粉料中需引入粘结剂与可塑剂；有机粘结剂应与氧化铝粉体均匀混合，以利于成型操作。采用热压铸工艺成型时可不加入粘结剂。

成型：氧化铝陶瓷制品成型方法常采用的有：干压、注浆、挤出、等静压(干法、湿法)、注凝、流延、热压铸、离心注浆等。不同的产品，因其形状、尺寸、造型复杂与精度各异，需要采用合理的成型方法。

烧成：将颗粒状陶瓷坯体致密化并形成固体材料的技术方法叫做烧结。烧结即将坯体内颗粒问空洞排除．将少量气体及杂质有机物排除，使颗粒之间相互生长结合形成新的物质的方法。目前除一些高附加值氧化铝陶瓷产品或国防军工需用的特殊零部件，如陶瓷轴承、反射镜、核燃料及枪管等制品采用热等静压烧成方法外，大部分采用普通常压烧结技术。有些氧化铝陶瓷材料在完成烧结后，尚需进行冷加工。由于氧化铝陶瓷材料硬度较高，需用更硬的研磨抛光砖材料对其作精加工，如SiC、C或金刚钻等。通常采用由粗到细磨料逐级磨削，最终表面抛光，一般可采用小于1微米的AI2O3微粉或金刚钻膏进行研磨抛光。此外激光加工及超声波加工研磨及抛光方法亦可采用，有些氧化铝陶瓷零件还需与其它材料作封装处理。

工艺条件对氧化铝烧结性能和显微结构的影响：氧化铝陶瓷制备环节中的各工艺条件都对它的烧结和显微结构有极大影响。这些制备环节包括：粉体的制备过程、粒径与粒度分布、成型方法、生坯密度、烧结温度、升温速率、保温时间、烧成气氛、是否加压等。

4 高纯A1203粉料研究

高纯A12O3粉料制备及粉体团聚理论高纯JM203粉料的制备方法分为二大类‘141，一类是物理法，另一类是化学法。物理制备方法有蒸发冷凝法、高能机械球磨法等；化学法有化学气相法、湿化学法等。近年来‘闱，采用湿化学法制造超细高纯A1203粉体发展较快，制备的A12伤粉体粒径可达到纳米级，粒径分布范围较窄，化学纯度及烧结活性较高。本课题使用的原料粉即是采用湿化学法制备的。由于超细A1203粉体晶粒尺寸小、比表面积和表面能高，因此粉体间相互作用力和表面活性较大，粉体团聚较易发生．目前，粉体的团聚分为软团聚和硬团聚两种。软团聚是指随着颗粒尺寸的减小，颗粒之间的静电吸引力、范德华力、毛细管力等较弱的相互作用力越来越凸显，从而引起颗粒之间的聚集。这种因物理作用而形成的软团聚可以用机械方法使之打开，而硬团聚就比较困难。因此，硬团聚是影响粉体性能的关键因素。目前，硬团聚的形成机理主要有晶桥理论、氢键理论、毛细管理论和化学键理论等。晶桥理论的观点是:湿凝胶在干燥过程中，毛细管吸附力使颗粒相互靠近，颗粒之间由于表面羟基和溶解—沉淀形成晶桥而变得更加紧密，随着时问的推移，这些晶桥相互结合，从而形成较大的块状聚集体。

5 高纯A1203粉体解团聚

粉体中强的团聚体的存在会导致坯堆积密度低和形态不均匀。素坯的不均匀不仅造成烧结体的结构瑕庇，而且还会使所需的烧结温度提高。这是由于生坯中的团聚体明显提高了粉体的烧结激活能。有资料显示，对于一次颗粒粒径约10nm的a．A1203纳米粉，团聚强度为76MPa时，烧结激活能为328KJ／mol；团聚强度为234MPa时，烧结激活能为445KJ/mol。硬团聚粉体

的初期烧结激活能明显高于软团聚粉体。其原因是软团聚纳米粉坯体的初期烧结基本是在一次颗粒间进行，由于颗粒半径相当小，颗粒问扩散距离缩短，因而仅需较低的烧结度和烧结激活能，且粉末的粒径越小需要的活化能越低；对于硬团聚粉体，团聚体内部的颗粒通常在低于初期烧结温度时已产生烧结，并形成具有较高密度的“大颗粒”，样品的收缩是通过这种大颗粒之间的烧结实现的，这增加了扩散传质的距离，因而需要较高的激活能。因此，团聚体的尺寸决定了烧成晶粒的尺寸，粉体解团聚的效果直接影响了烧结体的性能。在本课题研究中，原料预处理工艺主要就是原料粉体解团聚的过程。团聚体的抑制可在粉体制备过程中、或制备后进行。在团聚体形成后消除的方法主要有机械法、超声波法、物理化学法、沉积或沉降法、高负压法。

(1)机械法解团聚，主要是依靠机械外力将原料粉体进行研磨，从而将粉体中的团聚体破碎，以达到解团聚的目的。此方法的解团聚效率较低且易混入杂质。

(2)超声波法解团聚，是指适当调节超声波频率使团聚体发生共振，从而将粉体中的团聚体破碎，以达到解团聚的目的。此方法一般在粉体悬浮液中进行，往往加入分散剂以防止粉体干燥时再发生团聚。’

(3)物理化学法解团聚，一般是在粉体悬浮液中加入化学试剂，利用化学力从微观的角度对团聚体进行分散，此方法解团聚效率较高，且工艺简单，获得的分散体颗粒尺寸较为均匀。本课题中所使用的粉体顶处理工艺便是基于这种解团聚方法和理论进行设计的。

(4)沉积或沉降法解团聚，是利用粉体颗粒尺寸不同在溶液中的沉积层不同，从而不同的沉积层可以获得尺寸分靠较为集中的粉体颗粒。此方法仅是对原料粉进行颗粒的分级，对于软团聚和硬团聚的颗粒并不能分散。

(5)高负压法解团聚又叫爆炸法，是指将粉体环境压力突然降低，从而使粉料团聚体内压增大，达到团聚体破碎解团聚的目的。但是，炸药爆炸时压力和温度都很高，过程很快，因此很难控制。

6 高纯氧化铝陶瓷烧结助剂研究

烧结助剂的添加工艺，高纯氧化铝陶瓷添加烧结助剂的作用有如下几方面I①直接影响A1203陶瓷的晶界显微结构，导致晶界处的化学键状态及点缺陷浓度的改变，从而改变某种离子的扩散系数，在较低的温度下，实现致密化烧结；②降低固相扩散过程的晶界能，为原子扩散提供快速途径，从而缩短烧结体在保温阶段的时间，防止晶枝异常长大；③第二相在晶界的钉扎作用，阻碍晶界迁移，抑制晶粒异常长大，使材料显微结构均匀。高纯氧化铝陶瓷的制备中烧结助剂一般通过盐类形式进行添加，其目的是便于均匀的混合在氧化铝粉料中．助烧剂的盐易溶于助混液中，如去离子水、酒精、丙酮等．通过与氧化铝粉料湿混可使烧结助剂阳离子均匀分布，之后饶结助剂的盐可在烧结过程中转变为相应的氧化物，从而实现烧结助剂对氧化铝基体的作用。通常在高纯氧化铝陶瓷中引入少量的MgO、La203、Y203、Nd203、Cr203、MnO2、Ti02、Zr02、Ta203等氧化物能改善烧结体的显微组织结构和烧结性能。此外，最新研究发现1291001：纳米A1203的添加对于烧结体的制备和性能也会产生一定的影响。在

烧结助剂的作用原理对于高纯氧化铝陶瓷，通常都选用MgO作为基本的烧结助剂进行添加，虽然对于MgO的作用机理目前观点不一，但是一般认为少量MgO(加入量为0．05---0．25wt％)对抑制A1203晶粒生长，保证A1203陶瓷具有微晶结构都呈现明显的效果。Belmison和

I-Iarmert321在采用很高纯度材料的一组实验中证实，MgO能使晶界移动的速率比原来降低50倍。中科院上海硅酸盐所的彭晓峰等1331认为，MgO对促进A1203烧结致密的作用非常明显，其所得不同成分材料均接近理论密度，但随MgO含量的增加，密度稍有下降。这与Peelen等t341135|所得结果相一致：MgO对晶粒细化与致密作用主要是MgO固溶在A1203晶格中，而且MgO含量对此有很大影响，MgO含量低于固溶罨极限时，可促进致密与抑制晶粒异常长大；而在超过固溶极限时，MgO极易与A120反应形成第二相，主要是抑制晶粒生长，而对致密的效果明显减弱。但是由于MgO的高温挥发性较明显，处于瓷体表面的MgO组分在烧成过程中易于挥发，使瓷体表面层中晶粒成长得较大。现在多采用MgO和La03或MgO和Y203等复合加入物进行制备。La203和Y203高温下不易挥发，而且L赴03或Y203的引入可降低烧结温度，拉宽烧结范围，晶界结合性能良好，使瓷体的致密度进一步提高131l。此外，稀土元素添加剂呵以在添加量极低的情况下(PPm数量级)很大程度的减小氧化铝的晶界长大速率136,-391。·目前研究最广泛的是Y203和La203。Mehmet丸Gulgun等学者[40-431对Y和a等晶粒尺寸比较大的过渡族的掺杂离子进行研究，发现它们对AJ203烧结也有直接的影响psi。Y和La等大尺寸离子在晶界处的偏析能显著地抑制晶粒的长大，改善晶界的蠕变使A1203在较高温度下烧结仍可获得较为致密微小的晶幸14211441。Fang等[421发现通过调节Y203添加量控制晶界扩散和致密动力学来改善高纯氧化铝陶瓷的机械性能。Voytovich等通过调节温度控制晶界扩散向晶格扩散的转变来实现Y203对高纯氧化铝陶瓷致密度的影响。有报道Ⅲ]1461显示Nd203对于控制氧化铝晶界扩散有很大的优势。例如在12000C时加入100ppm的Nd203对减小氧化铝晶界扩散速率的影响是MgO的两倍。通过二次离子质谱仪(sIMs)获得的图谱显示，即使Y203存在的情况下，N,1203对氧化铝晶界也起到了主要的阻隔作用。Chong-Min Wang等学者147]对Nd203在高纯氧化铝陶瓷中的作用规律进行了研究，他们认为适当控制Nd203含量可以在某些温度点获得较高的致密度和较小的晶粒尺寸。此外，由铝盐获得的具有高活性的纳米氧化铝与由镁盐、钇盐、镧盐、钕盐获得的同样具有高活性的MgO、Y203，、La203、Nd203可以在同一能量级上发生相互作用，此种铝盐获得的具有高活性的A1203可以均匀分散在氧化铝粉体颗粒的间隙，有助于MgO、Y203，、La203、Nd203作用的发挥，对于烧结体低温烧结以及致密化有一定影响。

7 高纯氧化铝陶瓷成型工艺研究

高纯氧化铝陶瓷成璀工艺主要有干法成型和湿法成型。干法成型包括干压和

等静压成型(CIP)，湿法成型包括注浆成型、注射成型、热压铸成型、凝胶浇注

成型等。近年来，凝胶浇注成型以其均匀成型优势在制各高性能的高纯氧化铝陶

瓷的研究中受到了广泛的重视。

7.1 凝胶固化成型机制

凝胶浇注(Gel Casting)成型是20世纪90年代初由美国橡树岭国家实验室Omatete等人发

明的一种新的陶瓷成型技术。分为水溶液凝胶注模成型和非水溶液凝胶注模成型。前者可适用于大多数陶瓷成型的场合，是一种可望普遍推广的成型方法，后者主要用于那些与水会发生化学反应的系统成型。凝胶引发剃催化剂目前，凝胶浇注成型工艺已经发展了多种凝胶体系。表2．2列出了一些对陶瓷凝胶浇注成型较有效的凝胶体系，包括了陶瓷凝胶浇注成型所用聚合物单体、交联剂、引发剂及催化剂，研究中使用的凝胶体系为丙稀酰胺，其聚合反应过程如下：首先引发剂分解，形成初级自由基，初级自由基与单体加成，生成单体自由基，单体自由基不断与单体分子结合，形成链自由基，上述反应不断进行，生成聚丙烯酰胺长链聚合物，最终完成单体的合反应。陶瓷浆料通过丙烯酰胺的聚合反应完成固化成型，成型的坯体以聚丙烯酰胺的网络结构为骨架，陶瓷颗粒固定其中，陶瓷颗粒与聚合物凝胶通过吸附作用，形成具有一定强度和柔韧性的坯体。

7.2 凝胶聚合反应的动力学影响因素

陶瓷浆料的聚合速率与反应条件及浆科本身特性有关，反应条件包括温度、引发剂和催化剂的用量等，浆料特性包括有机单体浓度、浆料PH值等。浆料聚合的速度对成型坯体的质量有很大影响152]15”．聚合速度包括引发速度(以vo表示)和链增长速度(以v。表示)，当vo／vp值较大时，自由基生成量相对较多，生成的聚合物分子量较小，链长较短。由此得到的坯体强度较低，破坏时呈颗粒状碎裂。为使成型的坯体具有较好的性能，应对浆料制各和反应条件进行综合控制，使反应体系中自由基浓度保持在适当的水平，以获得适宜的引发和链增长反应速率。在聚合速度很快的情况下，坯体内部常常留有气孔。原因是在聚合过程中会释放出气体，如果聚合的速度非常快，气体来不及排除，就会包裹在坯体中，形成气孔。气孔的存在会降低坯体的烧结强度，引发裂纹等缺陷，因此在成型中聚合速度不宜过快，应控制在适当的范围内瞰l2．4．3凝胶浇注成型的优点凝胶浇注成型属于湿法成型，相对于冷等静压(CIP)成型可以更有效地控制坯体团聚，使粉体分布更均匀，减少坯体的缺陷，并提高生坯密度Andreas KmIl等认为岱51闭，由于凝胶成型的生坯中粉体均匀分布且少团聚，因此在烧结过程中粉体的烧结激活能较低，且烧结过程均匀进行。因此，湿法成型更有利于坯体致密度的提高，以及烧结温度的降低，从廊有助于更高致密度、更小晶粒尺寸烧结体的制备．

8 高纯氧化铝陶瓷

常压烧结研究概况常压烧成过程是在没有外加驱动力情况下进行的，烧结驱动力主要来自陶瓷粉体表面自由能变化，即粉体表面能F降，表面积减少。常压烧结致密化过程中，物质传递呵通过同相扩散进行，其中包括表面扩散、品格扩散和晶界扩散等。由于常压烧结是在没有外加驱动力的情况下进行的，耍得到无气孔近于理论密度的烧结体是非常困难的。但对于Al2O3，由于由阴离子(0一)扩散速率来控制烧结过程的。当它在还原性环境中烧结时，晶体中的氧从表面脱离，从而在晶体表面产生很多氧离子空位，使02。扩散系数增大，从面导致烧结过程加速。因此，真空烧结是实现氧化铝瓷低温烧结的有效辅助手段。 2

9 烧结过程中的晶粒与气孔及致密化的关系

1)晶粒生长与致密化对气孔生长的影响

高纯高致密氧化铝陶瓷低温常压烧结研究烧结过程中的晶粒生长足受颗粒间尺寸的差异所驱动的，而与素坯性质无关。气孔生长受两个因素的影响弘羽：晶粒生长导致气孔的同速率生长，R值不变，因而无致密化作用，伴随致密化过程，气孔受到的烧结压应力是使气孔收缩(气孔排除)的推动力，R值下降。R值的大小在固定的颗粒堆积模型时与密度相关，故受到成型性质的影响。即气孔生长同时受晶粒生长和致密化的控制，前者使气孔与晶粒同步生长而后者则导致气孔收缩，气孔R值的下降。气孔生长受成型体性质的影响。

2)烧结中期晶粒生长和致密化的扩散机理最近的结果表明。升温速率几乎不对晶粒与密度问的关系产生影响。晶粒生长和致密化具有相同的物质扩散机制。对于超细粉体而占，晶粒生长和致密化同时产生并以同样的物质迁移扩散机制进行[60l，因此烧结初期可认为是不存在的。文献中已指出，烧结中期晶界扩散是不可能的，体积扩散与晶粒生长无关，而这时气孔则相互连通形成网络，所以表面扩散最有可能是烧结中期致密化和晶粒生长的物质传输机制。因为体积扩散也可能对致密化有贡献，所以较高的升温速率可能一定程度上有利于致密化，但这种作用十分有限，因此体积扩散由于与表面扩散绝对值相比过低，一般不是主要的致密化扩散机制。

3)晶粒生长、气孔生长和致密化的驱动机制[631尽管表面张力是烧结中期致密化和晶粒生长的基本推动力，表面扩散是它们共同的物质传输途径，但两者的驱动方式足不同的。晶粒生长受颗粒间尺寸差异导致的化学位梯度推动，而致密化通过气孔排除实现。气孔排除则取决于气孔受到的烧结压应力的大小。气孔生长与晶粒生长和致密化都有关，所以气孔生长受到颗粒尺寸差别和气孔压应力的双重影响。尽管如此，表面张力仍是其最基本的推动力。

微晶氧化铝陶瓷具有稳定的理化性能和十分优异的电性能，近年来在各个领域得到较广泛的应用。随着科学技术的发展、制造水平的提高，对氧化铝陶瓷的性能也不短提出新的要求，在《中国高新技术产品目录》的高能功能陶瓷、结构陶瓷中，氧化铝陶瓷基片、铬氧化铝陶瓷、微晶氧化铝陶瓷耐磨材料以及其他以氧化铝为主要原料的各种陶瓷材料与制品均收录其中。氧化铝陶瓷新材料的研究开发与应用将是今后的热点。同时各种高性能的氧化铝陶瓷新材料新产品和新技术也将不断涌现。

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本文来源：https://www.bwwdw.com/article/xx21.html