第三章 习题答案

习题 一、填空题

1．晶体管工作在放大区时，具有 发射结 正偏、 集电结 反偏的特点。 2.晶体管工作在饱和区时，具有 发射结 正偏、 集电结 正偏的特点。 3. 饱和失真和截止失真属于 非线性失真 ，频率失真属于 线性失真 。 4.共集电极放大器又叫射极输出器，它的特点是：输入电阻 高 （高、低）；输出电阻

低 （高、低）；电压放大倍数约为 1 。

5.多级放大器由输入级、____中间级_____ 和输出级组成；其耦合方式有__阻容耦合____和直接耦合、变压器耦合三种；集成运算放大器运用的是 直接耦合 耦合方式。 6．三种最基本组态的放大器分别是共基极放大电路、___共发射极_______和___共集电极。其中输入电阻最大的是 共集电极 电路，而输出电阻最小的是 共集电极 电路。 7.多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 乘积 。输入电阻约等于 第一级的输入电阻 电阻，而输出电阻约等于 输出级的输出电阻 电阻。

8.多级放大器总的上限频率比其中任何一级的上限频率都要__低___(高/低),而下限频率比任何一级的下限频率都要___高____(高/低)。 9．若使放大器不产生频率失真，则要求其__高频__频率响应和__低频___频率响应均不产生失真。

10.晶体管的内部结电容和负载电容主要影响放大器的___高频__特性,而耦合电容和旁路电容主要影响放大器的__低频____特性。

二、选择题

1.为了放大变化缓慢的微弱信号，放大电路应该采用（ A ）耦合方式；为了实现阻抗变换，放大电路应采用（ C ）耦合方式。

A. 直接 B. 阻容 C. 变压器 D.光电

2.阻容耦合和直接耦合多级器之间的主要不同是（A ）。

A.所放大的信号不同 B.交流通路不同 C.直接通路不同

3..直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频特性（A ）。 A.好 B.差 C.差不多

4.具有相同参数和相同放大倍数的两级放大器，在组成它的各个单极放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降（ A ）。

A.3dB B.6dB C.9dB D.20dB

5.多级放大电路与单极放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都（ D ）。

A.大 B.小 C.宽 D.窄 6.当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍

7.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ），而低频信号作用时放大倍数下降的原因是（A ）。

A.耦合电容和旁路电容存在 B.半导体极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 8.uGS＝０时，能够工作在恒流区的场效应管有( A )和( C )。

A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管

三．分析与计算题

1.试判别题图3-1 所示各电路能否对正弦信号进行电压放大？为什么？各电容对电信号可视作短路。

（a） （b）

（c） （d）

（e） 题图3-1 （f）

解：图（a）：因为输出信号被短路了，所以不能进行电压放大。

图（b）：因为输入信号被CB短路了，所以不能进行电压放大。 图(c)中管子截止，电路不能正常放大。应将RB改接在b极与地之间。 图（d）：晶体管基极偏置为零，不能进行放大。

图(e)中会使e结烧坏且输入信号短路，因而电路不能正常放大，应在b极到Ucc之间接偏置电阻RB。

图(f)中电路可以正常放大。

2..电路题图3-2所示，晶体管的??60, （1）求电路的Q点、Au、Ri和R0。

（2）设Us?10mV，问Ui??、U0??若C3开路则Ui??、U0??

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题3-2图

解：(1) Q 点：

IBQ?VCC?UBEQRb?(1??)ReBQ?31?A

ICQ??I?1.86mA

UCEQ?VCC?IEQ(Rc?Re)?4.56V

?、R和R的分析： Auoirbe?rbb'?(1??)?(Rc//RL)26mV?952?, Au????95 IEQrbeRi?Rb//rbe?952? , Ro?Rc?3k?。

(2)设Us = 10mV （有效值），则 Ui?Ri?Us?3.2mV； Uo?Au?Ui?304mV

Rs?Ri若C3开路，则：

Ri?Rb//[rbe?(1??)Re]?51.3k? ， Au??Rc//RL??1.5 ReUi?Ri?Us?9.6mV， Uo?Au?Ui?14.4mV。

Rs?Ri

3．已知题图3-3（a）所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）、（c）所示。

（1）利用图解法求解Q点；

（2）利用等效电路法求解Au、Ri和R0。

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题图3-3（a） 题图3-3（b） 题3-3图（c）

解：(1)在转移特性中作直线uGS??iDRs，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ?1mA,UGSQ??2V。如下图所示。

(a) (b)

在输出特性中作直流负载线uDS?VDD?iD(Rd?Rs)，与UGSQ??2V的那条输出特性曲线的交点为Q 点，UDSQ?3V。如解图(b)所示。

(2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。

gm??iD?uGSUDS??2UGS(off)IDSSIDQ?1mV/V

?； Ri?Rg?1M?；Ro?Rd?5k? Au??gmRd?5

4.如题图3-4所示的电路是能稳定静态工作点的射极偏置电路。若已知：

VCC?12V,RB2?3k?，RE?1k?，RC?2k?,三极管为硅管，??50，欲使UCE?6V,

问基极上的偏置电阻RB1应为多大？此时IBQ和ICQ各为多少？

题图3-4

解：根据直流通路可知：

ICQ?UCC?UCE12?6??2mARC?RE2?1IBQ?ICQ/??2/50?40?AUE?ICQRE?2*1?2VUB?UE?UBE?2?0.7?2.7VUB?RB1?RB2UCCRB1?RB2UCCRB2?UBRB212*3?2.7*3??10K?UB2.7

5．电路如题图3-5所示。设FET参数为：IDSS?3mA，VGS(off)??3V。当RD?3.9k?时，判断场效应管是处在恒流区还是可变电阻区？

UDD(+15V)

RD ID

C1 + V C2 + uo RG ui

题图3-5

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