2μm波段Sb基多量子阱材料的制备_李占国

５卷第２期　第２０１３年２月　２

强激光与粒子束

ＨＩＧＨ　ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ　　　　　

Ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．２　

，Ｆｅｂ．２０１３　

（）文章编号：００１４３２２２０１３０２０５０５０３　１－－－

２．０μｍ波段Ｓｂ基多量子阱材料的制备

＊

，

李占国１，　尤明慧１２，　邓　昀１，　刘国军１，　李　林１，　高　欣１，　曲　轶１，　王晓华１

（）１．长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春１３００２２；３００２２　２．空军航空大学基础部，长春１

／优化Ｉ生长ｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱点材料的生长速率、　　摘　要：　采用分子束外延外延生长技术，温度和束流比等生长参数，获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明，材料的发光波长为２．０μｍ左右。该结果表明，通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料，可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率２阈值电流３２ｍＷ，００ｍＡ。

关键词：　多量子阱；　分子束外延；　中红外波段

：／４３６　　　　文献标志码：ｏｉ１０．３７８８ＨＰＬＰＢ２０１３２５０２．０５０５　　中图分类号：　Ｏ　Ａ　　ｄ

也是非常重要的大气窗口，在大气光学检测和ｍ　ＧａＳｂ基材料是中红外波段激光器件的首选材料，　　２～５μ

］１４－

环境监测、自由空间光通讯、红外测试、分子光谱测量、激光医疗、红外雷达、生物技术和热成像等［领域表现

］３９－

，出巨大的应用潜力。尽管已经有输出功率为瓦级器件的报道［但是，随着波长由２μｍ向５μｍ附近长波方激光器材料和器件的性能变差，主要原因有三方面：首先，要使发射波长向长波方向推进，就要提高阱向推进，

／层的Ｉ这样会导致Ｉ使量子阱对自由载流子的限制作用ｎ和Ａｓ的组分，ｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂ的导带带阶下降，自由载流子的泄漏几率增大，效率降低；其次，窄禁带的锑化物材料，自由载流子对光模的吸收效应突出，变差，

影响材料的发光质量；最后，提高Ｉ材料极易产生相分凝，高质量的ｎ组分会使ＩｎＧａＡｓＳｂ材料进入不互溶区，

］３９－

。本文利用非动力学平衡的ＭＢ克服材料生长中不互溶区对材料的影外延材料不易获得［Ｅ外延生长技术，／响，优化生长参数和结构参数，分析其对ＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂ量子阱材料质量的影响。

１　样品制备

，（，；，；高纯源为Ⅲ族Ｇ掺杂源：ａ（７Ｎ）Ａｌ７Ｎ）Ｉｎ（７Ｎ）Ｖ族非裂解源Ａｓ（５Ｎ）Ｓｂ（７Ｎ）ｎ型掺杂选用Ｔｅ

（，（。选用的衬底为ｎ型掺Ｔ；７Ｎ）ｅ７Ｎ）ｅ的ＧａＳｂ衬底。分子束外延设备（ＭＢＥ，ＶＧ　Ｖ８０Ｈ）ｐ型掺杂选用Ｂ

（，；／）。光荧光谱仪（ＸｒａＸＲＤ，ＰｈｉｌｉｓＸ’ＭＲＤ）ＰＬ，ＢｒｕｋｅｒＩＦＳ６６ＶＳｅｒｔ－　　　ｙｐｐ

多量子阱的制备过程为：在预备室３将ＧＧａＳｂ衬底在速装室１５０℃出气５ｈ，５０℃出气２ｈ，ａＳｂ衬底送入生长室，脱氧解吸的温度为６然后温度降低至５生长１μ００℃，６０℃，ｍ的ＧａＳｂ缓冲层。ＡｌａｓＳｂ０．９Ｇ０．１Ａ０．０６０．９４

１８

下限制层，生长温度５数密度为５×１生长１．非４０℃，Ｔｅ掺杂，０ｃｍ－３，２μｍ；ＡｌａｓＳｂ０．３５Ｇ０．６５Ａ０．０３０．９７下波导层，

／掺杂，生长０．其中ｘ为０．４μｍ；５个周期的１５ｎｍ－Ａｌａｓｂ１０ｎｍＩｎａｓｂ１１～－０．３５Ｇ０．６５Ａ０．０３Ｓ０．９７ｘＧ１－ｘＡ０．１Ｓ０．９（）多量子阱层，生长温度５非掺杂，生长０．０．２０４０℃；ＡｌａｓＳｂ４μｍ；Ａｌａｓ０．３５Ｇ０．６５Ａ０．０３０．９７上波导层，０．９Ｇ０．１Ａ０．０６

１８

生长温度５数密度为５×１厚度为１．盖层为５Ｓｂ４０℃，Ｂｅ掺杂，０ｃｍ－３，２μｍ；０ｎｍ的ｐ型ＧａＳｂ０．９４上限制层，

１９

／／Ⅲ比为８层，生长温度５数密度为１×１生长速率０．４０℃，Ｂｅ掺杂，０ｃｍ－３。整个生长过程中，８～１．０μｍｈ，Ｖ０。～１

２　结果与讨论

／在２μｍＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂ量子阱激光器中，ＡｌＧａＡｓＳｂ材料作为势垒层，ＩｎＧａＡｓＳｂ材料为势阱层，　

材料的组分、应变等对量子阱的能级位置、能带结构有重要影响，进而影响激光的性能。制备２μｍ波段量子阱

／激光器的首要条件是生长质量优良的Ｉ材料的质量直接影响激射的波长、ｎＧａＡｓＳｂＡＩＧａＡｓＳｂ多量子阱材料，、发光强弱等性能。通常采用Ｘ射线衍射（光荧光谱（ＸＲＤ）ＰＬ）等非损伤性方法来测量多量子阱材料的发光

特性，判断材料的性能。

；２０１２０５３０２０１２０７０４＊收稿日期：－－　　修订日期：－－

，）；）基金项目：国家自然科学基金项目（总装预研基金项目（６１００６０３９６０９７６０５６２３２７６０

，。作者简介：李占国（男，博士，主要从事光电子材料及器件方面的研究；１９８０—）ｌｚｈ０００＠ｙａｈｏｏ．ｃｏｍ．ｃｎｇ—），，，；。通信作者：刘国军（男研究员主要从事光电子材料及器件方面的研究１９６４ｌｚｈ０００＠１２６．ｃｏｍｇ

５０６

强激光与粒子束第２５卷

有源区导带与价带的自由载流子注入与量子阱厚度有关。量子阱厚度（阱宽和　　对于量子阱结构的激光器，垒宽之和）增加，会导致能级不同，引起电子跃迁不同，发光强度也就不同，这是因为随着阱宽的减小，电子和空穴受到的量子限制作用更明显，这导致阱内束缚态的子带数量减小，子带间的能量差距增大。这样随着阱宽减小，空穴态密度更多依赖ＨＨ相当于减小了价带顶的空穴态密度，相同的注入载流子密度下阱１子带上的态，宽小的量子阱可以获得更低的准费米能级位置，随着准费米能级位置的降低，空穴在ＨＨ１子带空穴态上的占即提高了粒子数反转的程度，从而提高了量子阱的增益。据几率提高，

所制备的样品的光荧光谱（如图１所示，但是发光强度与量子阱厚度不是线性关系，这是因为量子阱ＰＬ）在临界厚度以下材料缺陷较少，量子阱内自由载流子复合几率加大，其发光特性材料内存在临界厚度的影响，

１０］

，一般较好，而且材料外延生长结构质量和截面均匀性较好时，体现在Ｘ会出现多级卫星衍射峰［ＲＤ测试上，

）。实验中，如图２所示Ｉ采用２个或３个量子阱是比较合适的，因为材料的生长过程较容易控ｎ组分ＸＩ２ｎ＝制，且材料阱区处于临界厚度之下。在外延生长质量较好的情下，图１反映出不同阱厚材料的光荧光强度和半峰高（的大小

。ＦＷＨＭ）

／Ｆｉ．１　ＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂＭＱＷ　ＰＬｓｅｃｔｒａｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｗｅｌｌｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓａｔｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅ　　　　　　　　　ｇｐｐ

／图１　室温下不同阱厚度的Ｉ的光荧光谱图（ｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱（ＭＱＷ）ＰＬ

）

／ｉ．２　ＸＲＤｃｕｒｖｅｏｆＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂＭＱＷ　　Ｆ　　　　ｇ

曲线ＸＲＤ）

图２　Ｘ射线（

（ｏｗｅｒＦｉ．３　ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｏｆｏｕｔｕｔｃｕｒｒｅｎｔＰ－Ｉ）　　　－ｐｇｐ

ｏｆｄｅｖｉｃｅａｔｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅ　　　　ｐ图３　室温下器件的电流－功率（曲线Ｐ－Ｉ）

第２期

李占国等：２．０μｍ波段Ｓｂ基多量子阱材料的制备

５０７

／解理成１采用了标准的光刻工艺。在１０ｍｍ×１０ｍｍ的小片，００　　选择经过测试后质量较好的外延片，

刻蚀掩膜，清洗后烘烤，然后采用电子束蒸发工艺溅射０．１０００级光刻间采用标准的光刻工艺，１５μｍ厚度为／／剥离光刻胶，清洗后，１００ｎｍ的ＳｉＯ０ｎｍ　Ｔｉ３０ｎｍＰｔ５００ｎｍ　Ａｕ，Ｔｉ层为　ｐ型欧姆接触溅射３２电流隔离层，

／粘附层，Ｐｔ层为阻挡层，Ａｕ层为接触层。机械减薄衬底至１３０μｍ左右，ｎ型欧姆接触溅射４０ｎｍ　Ａｕ１５０

，纯氢气氛中合金３完１００ｎｍ　Ｎｉ４２０℃温度条件下，０ｓ后ｎ面电镀金约１０００ｎｍ用于电极球焊引线，ｎｍＧｅ／腔长为１注入电流１．成欧姆接触工艺。制备的激光器条宽为５０μｍ，０００μｍ。器件阈值电流约为３００ｍＡ，５Ａ

时，最大出射功率约为２如图３所示。２ｍＷ，

３　结　论

／本文采用ＭＢ通过优化调节量子阱的生长参数，获Ｅ外延技术生长ＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料，

材料的发光波长约为２．得了具有高质量的多量子阱材料。室温荧光光谱表明，０μｍ。该结果表明通过调节生长参数和材料组分等参数可以获得质量较好的外延材料。参考文献：

［］１ａｒｂｕｚｏｖＤＺ，ＬｅｅＨ，ＫｈａｌｆｉｎＶ，ｅｔａｌ．２．３２．７ｍｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅＣＷｏｅｒａｔｉｏｎｏｆＩｎＧａＡｓＳｂｌＧａＡｓＳｂｂｒｏａｄｗａｖｅｕｉｄｅＳＣＨ－ＱＷ　ｄｉ　Ｇ　　　　　－　　　　　－Ａ　　　－ｐｐｇ

［］ｏｄｅｌａｓｅｒｓＪ．ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔｏｎ　ＴｅｃｈｎｏｌＬｅｔｔ，１９９９，１１：７９４７９６．　　－

［］（）／２ｉｍＪＧ，ＳｈｔｅｒｅｎａｓＬ，ＭａｒｔｉｎｅｌｌｉＲ　Ｕ，ｅｔａｌ．Ｈｉｈｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｗａｖｅｏｅｒａｔｉｏｎｏｆ２．７ａｎｄ２．８μｍＩｎＡｌＧａＡｓＳｂｏｗｅｒ　Ｋ　　　　　－　－　　　　　　　ｇｇｐｐｐ

［］ＧａＳｂｄｉｏｄｅｌａｓｅｒｓＪ．ＡｌＰｈｓＬｅｔｔ，２００２，８３：１９２６１９２８．　　　　－ｐｐｙ

［］［］ｏｗｅｒ３ｈｔｅｒｅｎａｓＬ，ＢｅｌｅｎｋＧＬ，ＧｏｕｒｅｖｉｔｃｈＡ，ｅｔａｌ．Ｈｉｈ２．３μｍ　ＧａＳｂｂａｓｅｄｌｉｎｅａｒｌａｓｅｒａｒｒａＪ．ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔｏｎ　ＴｅｃｈｎｏｌＬｅｔｔ，２００４，　Ｓ　　　　－　－　　　　ｇｙｇｐｙ　

（）：１６１０２２１８２２２０．－

［］／］：张永刚，郑艳兰，等．Ａ功能材料与器件学报，４ｌＧａＡｓＳｂＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱材料的光致发光特性研究［Ｊ．２００５，１１（２）１８３１８６．　唐田，－

（，，，／ｕａｎｔｕｍ　ＴａｎＴｉａｎＺｈａｎＹｏｎａｎＺｈｅｎＹａｎｌａｎｅｔａｌ．ＰｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｅｓｃｅｎｃｅｏｆＡｌＧａＡｓＳｂＩｎＧａＡｓＳｂｍｕｌｔｉｗｅｌｌ．ＪｏｕｒｎａｌｏＦｕｎｃ－　　　　－　ｑｇｇｇｇｇｇｆ　　　　（）：）ｔｉｏｎａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，２００５，１１２１８３１８６　－

［］／］：（中国激光，５２μｍ波段ＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂ宽条多量子阱激光器［Ｊ．１９９８，２５（１２）１０６９１０７２．ＣｈｅｎＧａｏｔ　陈高庭，柏劲松，张云妹，等．－　－

，，，／ｉｎＢａｉＪｉｎｓｏｎＺｈａｎＹｕｎｍｅｉｅｔａｌ．Ａ２μｍ　ｗａｖｅｂａｎｄＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂｗｉｄｅｓｔｒｉｅＭＱＷ　ｄｉｏｄｅｌａｓｅｒ．ＪｏｕｒｎａｌｏＣｈｉｎｅｓｅＬａｓｅｒ，　　　　　　　　　　ｇｇｇｇｐｆ　　（）：）１９９８，２５１２１０６９１０７２－

］／［６ｉｎＣ，ＧｒａｕＭ，ＤｉｅｒＯ，ｅｔａｌ．Ｌｏｗｔｈｒｅｓｈｏｌｄｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓａｖｅｏｅｒａｔｉｏｎｏｆ２．２４３．０４μｍ　ＧａＩｎＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂｕａｎ　Ｌ　　　　　　－　－ｗ　　　－　－ｐｐｑ

［］ｔｕｍ－ｗｅｌｌｌａｓｅｒｓＪ．ＡｌＰｈｓＬｅｔｔ，２００４，８４：５０８８５０９０．　　　－ｐｐｙ

［］，７ｏｕｉｌｌａｒｄＹ，ＡｎｅｌｌｉｅｒＪＧａｒｃｉａＭ．Ｖｅｒｌｏｗｔｈｒｅｓｈｏｌｄ２．４μｍ　ＧａＩｎＡｓＳｂｌＧａＡｓＳｂｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｓｏｅｒａｔｉｎａｔｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅｉｎｔｈｅｃｏｎ　Ｒ　　　－－　－Ａ　　　　　　　　－ｇｙｐｇｐ　

［］ｔｉｎｕｏｕｓａｖｅｒｅｉｍｅＪ．ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔｏｎ　ＴｅｃｈｎｏｌＬｅｔｔ，２００２，１６：２４２４２４２６．－ｗ　　－ｇ

［］［］ｏｗｅｒ８ａｕｆｅｌＧ，ＫｅｌｅｍｅｎＭ　Ｔ，ＭｉｋｕｌｌａＭ，ｅｔａｌ．ＧａＳｂｂａｓｅｄｔａｅｒｅｄｄｉｏｄｅｌａｓｅｒｓａｔ１．９３μｍ　ｗｉｔｈ１．５－Ｗ　ｎｅａｒｌｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎｌｉｍｉｔｅｄＪ．　Ｋ　　　　－　　　　　　－　ｐｐｙ

ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔｏｎ　ＴｅｃｈｎｏｌＬｅｔｔ，２００４，１８：７５８７６０．　－

２）［］／／９ｕｒｎｅｒＧ　Ｗ，ＣｈｏｉＨ　Ｋ，ＭａｎｆｒａＭＪ．Ｕｌｔｒａｌｏｗｔｈｒｅｓｈｏｌｄ（５０Ａｃｍｓｔｒａｉｎｅｄｓｉｎｌｅｕａｎｔｕｍ－ｗｅｌｌＧａＩｎＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂｌａｓｅｒｓｅｍｉｔｔｉｎａｔ　Ｔ　　　　－　－　　　ｇｑｇ　

］ｍ［Ｊ．ＡｌＰｈｓＬｅｔｔ，１９９８，７２：８７６８７８．２．０５μ　　－ｐｐｙ

［］／］：高欣，李占国，等．采用Ａ强激光与粒子束，１０ｌＳｂ缓冲层生长２．３μｍＩｎＧａＡｌＡｓＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱结构［Ｊ．２０１０，２２（８）１７１６　尤明慧，　－

（，，／１７１８．ＹｏｕＭｉｎｈｕｉＧａｏＸｉｎ，ＬｉＺｈａｎｕｏｅｔａｌ．ＧｒｏｗｔｈＩｎＧａＡｌＡｓＩｎＧａＡｓＳｂｍｕｌｔｉｕａｎｔｕｍ－ｗｅｌｌｗｉｔｈＡｌＳｂｂｕｆｆｅｒｌａｅｒｂＭＢＥ．　　　　　　－　　　　　ｇｇｑｙｙ　（）：）Ｈｉｈ　ＰｏｗｅｒＬａｓｅｒａｎｄ　ＰａｒｔｉｃｌｅＢｅａｍｓ，２０１０，２２８１７１６１７１８　　　－ｇ

Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆ２．０μｍＳｂｂａｓｅｄｍｕｌｔｉｕａｎｔｕｍ－ｗｅｌｌｍａｔｅｒｉａｌｓ　　　－　－ｑ　

１１，２１１１１１１

，，，，，ＬｉＺｈａｎｕｏｏｕＭｉｎｈｕｉｅｎＹｕｎｉｕＧｕｏｕｎｉＬｉｎａｏＸｉｎｕＹｉａｎＸｉａｏｈｕａ　　Ｙ　　，　Ｄ　Ｌ　　Ｌ　　Ｇ　　Ｑ　　，　Ｗｇｇｇｊｇ　　

（１．Ｎａｔｉｏｎａｌ　ＫｅＬａｂｏｒａｔｏｒｏｎ　Ｈｉｈ　ＰｏｗｅｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒｓ，Ｃｈａｎｃｈｕｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔ　　ｙ　ｙｇｇｙ　

ｏＳｃｉｅｎｃｅａｎｄ　ＴｅｃｈｎｏｌｏＣｈａｎｃｈｕｎ１３００２２，Ｃｈｉｎａ；　ｆ　ｇｙ，ｇ２．Ｂａｓｉｃ　ＤｅａｒｔｍｅｎｔｏＡｖｉａｔｉｏｎ　ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｏＡｉｒＦｏｒｃｅ，Ｃｈａｎｃｈｕｎ１３００２２，Ｃｈｉｎａ）　　ｐｆ　ｙｆ　ｇ　

：／ｂｓｔｒａｃｔｈｉｓａｅｒｓｔｕｄｉｅｓａｒａｍｅｔｅｒｓｏｆＩｎＧａＡｓＳｂＡｌＧａＡｓＳｂｍｕｌｔｉｕａｎｔｕｍ－ｗｅｌｌ（ＭＱＷ）ｍａｔｅｒｉａｌｓｒｏｗｎｂｍｏｌｅｃｕ　　Ａ　Ｔ　　　　　　－　　－ｐｐｐｑｇｙ　（，，，ｌａｒｂｅａｍｅｉｔａｘＭＢＥ）ｉｎｃｌｕｄｉｎｔｈｅｒｏｗｔｈｒａｔｅｒｏｗｔｈｔｅｍｅｒａｔｕｒｅａｎｄｆｌｕｘｆｏｒｈｉｈｕａｌｉｔＭＱＷ　ｍａｔｅｒｉａｌｓｒｅｓｅｃｔｉｖｅｌ．　　　　　　　　　　ｐｙｇｇｇｐｇｑｙｐｙ　　，ＡｓｗｅｌｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｅｉｌａｅｒｓｂＸｒａｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）ｉｎｄｉｃａｔｅｓｈｉｈｕｎｉｆｏｒｍｉｔａｎｄｅｘｃｅｌｌｅｎｔｃｒｓｔａｌｌｉｎｅｕａｌｉｔ　　　　－　－　　　　　ｐｙｙｙｇｙｙｑｙ　　　（ｗｉｔｈｓａｔｅｌｌｉｔｅｅａｋｓ．Ｅｍｉｔｔｉｎｗａｖｅｌｅｎｔｈｉｓａｂｏｕｔ２．０μｍ　ｍｅａｓｕｒｅｄｂｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅＰＬ）ａｔｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅ（ＲＴ）．Ｔｈｅ　　　　　　　　ｐｇｇｙｐｐ　　ｅｘｃｅｌｌｅｎｔｃｒｓｔａｌｌｉｎｅｕａｌｉｔａｎｄｏｔｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃａｒｅｏｂｔａｉｎｅｄｔｈｒｏｕｈｏｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆｒｏｗｔｈｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓａｎｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｒａｍｅ　　　　　　　　　　　　　　－ｙｑｙｐｇｐｇｐ　ｔｅｒｓ．Ｔｈｅｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｕｒｒｅｎｔｏｆｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄｄｅｖｉｃｅｉｓａｂｏｕｔ３００ｍＡ，ｔｈｅｏｕｔｕｔｏｗｅｒｉｓ２２ｍＷａｔｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅ．　　　　　　　　　　　　　　　　ｐｐｐ：；；ｅｗｏｒｄｓｕｌｔｉｌｅｕａｎｔｕｍ－ｗｅｌｌｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｉｔａｘｉｄｉｎｆｒａｒｅｄ　　Ｋ　ｍ－　ｍ　　　ｍ－ｐｑｐｙｙ　

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/xnz4.html