模拟集成电路课程设计

模拟集成电路课程设计

设计目的：

复习、巩固模拟集成电路课程所学知识，运用EDA软件，在一定的工艺模型基础上，完成一个基本功能单元的电路结构设计、参数手工估算和电路仿真验证，并根据仿真结果与指标间的折衷关系，对重点指标进行优化，掌握电路分析、电路设计的基本方法，加深对运放、带隙基准、稳定性、功耗等相关知识点的理解，培养分析问题、解决问题的能力。

实验安排：

同学们自由组合，2人一个设计小组选择五道题目中的一道完成，为了避免所选题目过度集中的现象，规定每个题目的最高限额为4组。小组成员协调好每个人的任务，分工合作，发挥团队精神，同时注意复习课堂所学内容，必要时查阅相关文献，完成设计后对

验收与考核：

该门设计实验课程的考核将采取现场验收和设计报告相结合的方式。当小组成员完成了所选题目的设计过程，并且仿真结果达到了所要求的性能指标，可以申请现场验收，向老师演示设计步骤和仿真结果，通过验收后每小组提交一份设计报告（打印版和电子版）。其中，设计指标，电路设计要求和设计报告要求的具体内容在下面的各个题目中给出了参考。成绩的评定将根据各个小组成员在完成项目中的贡献度以及验收情况和设计报告的完成度来确定。

时间安排：

机房开放时间：2013年10 月28 日～11 月8 日，8:30~12:00，14:00~18:00 课程设计报告提交截止日期：2012年11月15日 该专题实验的总学时为48学时（1.5学分），请同学们安排好知识复习，理论计算与上机设计的时间，该实验以上机设计为主，在机房开放时间内保证5 天以上的上机时间，我们将实行每天上下午不定时签到制度。

工艺与模型：

采用某工艺厂提供的两层多晶、两层金属（2p2m）的0.5umCMOS 工艺，model文件为 /data/wanghy/anglog/model/s05mixdtssa01v11.scs。绘制电路图时，器件从/data/wanghy/ anglog/st02库中调用，采用以下器件完成设计：

1）PMOS模型名mp，NMOS 模型名mn；2）BJT 三种模型可选：qvp5，qvp10，qvp20；3）电阻模型rhr1k；

4）电容模型cpip。

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答疑： 代课教师：

许江涛：Tel:15829476374，Email：jtxu@mail.xjtu.edu.cn 西一楼二楼C 段255 教研室

注意事项：

1. 所给定的设计指标仅供参考，可以进行适当的修改，但需要说明原因；

2. 根据设计指标，可以在参考电路结构的基础上确定参数并改进设计，非常鼓励通过

查找参考文献，采用其它结构的电路，或者创新电路结构； 3. 需要阅读模型文件

/data/jtxu/analog/05umpdk/05model/s05mixdtssa01v11.scs 了解可以选用的器件类型、尺寸和关键参数等；这里给出MOS管的几个关键参数供大家参考： NMOS：model name Vth0=719.2 mV PMOS: model name

mn

μ0=495.1 cm2/V/s mp

tox=13 nm

Vth0=972.6mV μ0=283.3 cm2/V/s tox=13.7nm 真空介电常数：ε0=8.85*10-12F/m sio2的相对介电常数：εr,sio2=3.9 4. 设计过程中可以参考模型库中的mn_fitting.pdf 等文件，这些文件给出了各种不同尺

寸MOS 管的Vds、Vgs、Ids、Gm 等的变化曲线，和计算结果相印证，指导电路设计过程； 5. 电路仿真时，所加载的model文件地址在3中已经给出，需要说明的是需根据电路

中所使用的元器件分别加载器模型项，例如电路中包含了MOS管、电阻、电容和三极管，则模型文件需要add 四次，并在section一栏分别填写对应的工艺角项，依次为tt、restypical、captypical和biptypical。这些是典型工艺角的设置情况，如果仿真其它工艺角，可以参考model文件中对已其它工艺角的定义。例如对于MOS 管除了定义了tt（typicalNMOS/typical PMOS），还定义了ff、ss、fs 和sf四种情况，分别对应fastNMOS/fastPMOS、slowNMOS/slowPMOS、fastNMOS/slowPMOS 和

slowNMOS/fast PMOS。而对于电阻则定义了三种情况：restypical、resslow和resfast。

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题目一：带隙基准的设计

基于所给的CMOS工艺设计一个带隙基准，带隙基准的原理和设计方法请参考教材《模拟CMOS集成电路设计》（陈贵灿等译）第11 章内容。

设计指标（供参考）：

性能参数 工作电压范围 静态电流 输出基准电压 线路调整率 PSRR (50Hz) PSRR (1KHz) 温度特性

测试条件 参数指标 2.5～5.5V VDD=3.6V，Temp=27℃ VDD=3.6V，Temp=27℃ VDD=2.5～5.5V，Temp=27℃ VDD=3.6V，Temp=27℃ VDD=3.6V，Temp=27℃ VDD=3.6V，Temp=-40~125℃ <20μA 0.6V±0.5％范围以内 <0.01％/V >85dB >75dB <15ppm/℃ 注：上述PSRR 是指从电源端到基准输出端增益的倒数。

设计要求：

1． 确定设计指标（以上指标供参考，可以进行适当修改，但需讲清楚原因）； 2． 根据设计指标，可以在参考电路结构基础上确定参数和改进设计，也可以查找文献采

用其它结构的电路或创造新的电路结构进行设计； 3． 阅读模型文件，了解可以选用的器件类型、尺寸范围、关键参数；

4． 手工设计：根据拟定的设计指标，尝试初步确定满足指标的各元件的模型与参数：

MOS：沟道长度与宽度，并联个数；电阻：宽度、长度、串并联个数；电容：宽度、长度、并联个数；三极管：并联个数。 5． 采用全典型模型, 27℃，验证带隙基准是否满足设计指标；（偏置可用理想电流源代替） 6． 设计偏置电路：

a) 选定电路结构；

b) 手工设计：确定各元件的模型与尺寸；

c) 采用全典型模型，仿真验证偏置电流源的性能； 7． 将偏置电路和带隙基准电路合在一起仿真（采用全典型模型，27℃），验证带隙基准

的性能参数（应包括但不限于以下内容）：

a) VDD从0V上升到5.5V 过程中的基准电压波形，观察基准的建立过程与电源电压对

基准的影响（线路调整率），以及工作电流曲线（直流扫描）； b) VDD在1μS内由0V上升到3.6V然后保持不变时的基准电压波形，观察快速上电时基准的建立过程（瞬态扫描）；

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c) VDD在10mS 内由0V上升到3.6V 然后保持不变时的基准电压波形，观察慢速上

电时基准的建立过程（瞬态扫描）； d) 在VDD＝3.6V 时，PSRR对于频率（1Hz～100KHz）的特性曲线（交流扫描）；e)在VDD＝3.6V 时，温度由-40℃上升到125℃的带隙输出电压曲线（温度扫描）；要求全典型模型下，电路要达到“设计指标”要求，否则应对电路结构和参数进行修改与优化，直至满足要求（可能需要多次调整）。 8． 采用全慢模型，电源电压2.5V，温度-40℃进行仿真，观察以上参数的变化； 9． 采用全快模型，电源电压5.5V，温度125℃进行仿真，观察以上参数的变化； 10．根据以上仿真结果，分析模型变化时，基准输出电压变化的分析。

设计报告要求：

1. 设计指标的确定及其原因（如果需要对上面的指标进行修改的话）； 2. 电路结构的确定及其原因；

3. 电路原理论述（具体到每个器件的作用）；

4. 每个晶体管的沟道宽度与长度的确定依据，电阻电容尺寸的选取依据； 5. 手工设计过程（可能要迭代）；

6. 报告“设计要求”中的各种波形和性能指标。 7. 仿真结果的分析与设计总结（感想、改进）； 8. 组内成员的具体分工与任务量（以％表示）； 9. 参考文献；

10.附录（整体电路与网表文件）。参考电路：

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本文来源：https://www.bwwdw.com/article/xnrf.html