三相正弦波变频电源设计 - 图文

三相正弦波变频电源设计

摘要:随着电力电子技术的迅速发展，将是电源技术更加成熟，经济，实用，实现高效率和高品质用电结合。变频电源随即而出现，变频电源被广泛应用于各个领域，是变频调速的核心所在。变频器电源主要用于交流电机的变频调速，其在电气传动系统中占据的地位日趋重要，已获得巨大的节能效果。该次课设为使用protel设计一个输出频率范围为20~100HZ，输出线电压有效值为36V，最大负载电流有效值为3A，负载为三相对称阻性负载（Y型接法）的三相正弦波变频电源的课程设计。

关键词：变频电源 protel 三相正弦波变频电源 三相正弦波变频电源设计 1三相正弦波变频电源设计要求

设计并制作一个三相正弦波变频电源，输出频率范围为20-100Hz，输出线电压有效值为36V，最大负载电流有效值为3A，负载为三相对称阻性负载（Y型接法）。三相正弦波变频电源原理方框图如图1-1所示。

图1-1 三相正弦波变频电源原理框图

2 三相正弦波变频电源系统设计方案比较 2.1 整流滤波电路方案

整流滤波电路可选用两种方案； 1三相半波整流电路。2三相桥式整流电路。

比较：1方案整流输出电压高，纹波电压较小且不存在断续现象，同时因电源变压器在正，负半周内部有电流供给负载，电源变压器得到了充分的利用，效率高，因此选用方案2。滤波电路用于滤波整流输出电压中的纹波，采用负载电阻两端并联电容器C的方式。 2.2 斩波电路方案

直流斩波电路可选用两种方案；1降压斩波变换电路。2降压-升压变换电路。 比较：1,2方案均能满足要求，但方案2的资源利用充分合理，因此选用方案2。 2.3 绝缘栅控双极型晶体管IGBT驱动电路方案

绝缘栅控双极型晶体管IGBT驱动电路：1应用脉冲变压器直接驱动功率IGBT，来自控制脉冲形成单元的脉冲信号进高频晶体管进行功率放大后加到脉冲变压器上，有脉冲变压器隔离耦合，稳压管D限幅后来驱动IGBT。2有分立元器件构成的具有VGS保护的驱动电路，采用

光电耦合电路实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电隔离，并且提供合适的栅极驱动脉冲。3采用IGBT栅极驱动控制通用记成电路EXB系列芯片。

比较：1中的不足表现在高频脉冲变压器因漏感的存在容易产生振荡。为了限制振荡，常常需要增加栅极电阻RG,这就影响了栅极驱动脉冲前后沿的陡度，降低了可应用的最高频率。2的不足之处就是采用分立的原件较多，抗干扰能力较差。与前面两种方案相比较，3采用集成芯片，使系统的可靠性好，切内部有保护电路，是较适合的一种IGBT的驱动方案。 2.4 逆变电路方案

根据题目要求，选用三相桥式逆变电路三相桥式逆变电路：1采用电流型三相桥式逆变电路。2采用电压型三相桥式逆变电路。

比较：电流型逆变器适合单机传动，加，减速频繁运行或需要经常反向的场合。电压型逆变器适合于向多机供电，不可逆传动或稳速系统以及对快速性要求不高的场合。根据题目要求，选择2。

2.5 MOSFET驱动电路方案

MOSFET驱动电路：1利用CMOS器件驱动MOSFET。2利用光耦合器驱动MOSFET。3采用MOSFET栅极驱动控制专用集成电路芯片IR2111。

比较：1中由于电路自身的一些缺点，如驱动电路开关速度低等，不满足题目要求。2中采用光耦合器驱动MOSFET，因其自身的速度不高，限制了使用的频率，不满足题目要求。3中采用MOSFET专用的集成电路，芯片性能好，体积小，满足题目要求，故采用3。 2.6 测量有效值电路方案

在题目中，基本部分提到：负载有效值为0.5-3A时，输出线电压有效值应保持在36V。测量有效值电路：1信号分压处理后直接连接到A/D器件，FPGA控制A/D器件首先进行等间隔采样，并将采集到的数据存到RAM中，然后处理采集到的数据，可在程序中判断信号的周期，根据连续信号的离散化公式，做乘除法运算，得到信号的有效值，然后再计算输出电压，电流，频率，最后把计算结果送给显示单元显示。2信号分压后先经过真有效值转换芯片AD637.AD637输出信号的有效值模拟电平，然后通过A/D采集送到FPGA，直接计算输出电压，电流，频率，最后把计算结果送显示单元显示即可。有效值测量电路框图如图2-3所示。 SHAPE \\* MERGEFORMAT

图 有效值测量电路框图

比较：显然1占用大量FPGA内部资源，造成可用资源减少，不利于设计其他方面的利用，故选择方案2。

2.7 SPWM（正弦脉宽调制）波产生方案

在给设计中，变频的核心技术是SPWM波的生成。SPWM（正弦脉宽调制）波产生：1采用SPWM集成电路。2采用AD9851DDS集成芯片。3利用FPGA通过编程直接生成SPWM波。 比较：方案1是较好的一种产生SPWM波的方案，但题目中的说明中明确规定不能使用产生SPWM波形的专用芯片，所以不能采用此方案，2中由于DDS采用全数字计数，因此会存在杂散干扰，直接影响输出信号的质量，所以此方案也未被采用，故采用方案3。 2.8 变频电源基本结构图

变频电源：1交流变频电源实际上是一个AC-DC-AC装置。如图2-4所示，但这种电路在负载改变时不能达到题目稳频，稳压的要求。 SHAPE \\* MERGEFORMA

T

图2-4 开环结构方框图

2在上面方式的基础上，从负载端引出一个反馈信号。该反馈信号经处理后送FPGA与预置数相比较，比较结构送输入端，形成一个闭环控制系统。该系统可靠性高，误差小，满足题目要求。结构方框图如图2-5所示。

SHAPE \\* MERGEFORMA

T

图2-5 闭环结构方框图

考虑到本设计方案，选择方案2。 3三相正弦波变频电源系统组成

所设计的三相正弦波变频电源系统方框图如图3-1所示。控制方式采用单片机和FPGA共同控制的方式，由单片机AT89S52,IR12864-M液晶显示器，4×4按键构成人机界面。单片机控制IR12864-M液晶显示器4×4按键，并与FPGA的通信。FPGA作为本设计系统的主控器件，采用一块Spartan 2E系列XC2S100E-6PQ208芯片，利用VHDL（超高速硬件描述语言）编程，产生PWM波河SPWM伯。同时，利用FPGA完成采集控制逻辑，显示控制逻辑，系统控制及信号分析，处理，变换等功能。

220V/50HZ的市电，经过一个220V/60V的隔离变压器，输出60V的交流电压，经整流得直流电压，经斩波得到一个幅度可调的稳定直流电压。

斩波电路的IGBT开关器件选用BUP304;BUP304的驱动电力由集成化专用IGBT驱动器EXB841构成；EXB841的pwm驱动输入信号由FPGA提供，并采用观点隔离。输出的斩波电压经逆变得到一系列频率的三相对称交流电。

逆变电路采用全控桥逆变电路，MOSFET桥臂由6个K1358构成。 K1358的驱动电路选用IR2111的控制信号SPWM由FPGA提供。

图3-1三相正弦波变频电源系统框图

逆变输出电压经过低通滤波，输出平滑的正选波，输出信号分别经电压，电流检测，送AD673真有效值转换芯片，输出模拟电平，经模、数转化器ADC0809，输出数据送FPGA处理。送人FPGA的数据经过一系列处理，送显示电路，显示输出电压，电流，频率及功率。 4交流电源整流滤波电路设计

市电经220V/60V隔离变压器变压为60V的交流电压，输出扼流线圈，消除大部分的电磁干扰，经整流输出，交流电转变成脉动大的直流电，经电容滤波输出脉动小的直流电。在电路中有两个保险丝，题目要求输出电流的有效值达到3.6A时，执行过流保护，则采用4A的保险丝。输出端并联的电容为GEFORMAT 。

\\* MERGEFORMAT 为滤波电容，容值为470

\\* MER

\\* MERGEFORMAT 端连接过压保护电路。

5斩波和驱动电路设计

设计的斩波和驱动电路如图5.1所示。该电路中IGBT（隔离栅双极性晶体管）采用BUF304，起最大电压为1000V，TO_218AB封装。选用IGBT专用集成驱动器EXB841进行驱动。

图5.1斩波和驱动电路 图5.1中，

\\* MERGEFORMAT 是整流滤波的输出电压端；EXB841的引脚端6连

接快恢复二极管U8100；引脚端5连接光电耦合器TLP521;根据资料介绍。与引脚端2相接的电阻为4.7kΩ（1/2W）;

引脚端1和引脚端9，引脚端2和引脚端9之间的电容MERGEFORMAT 为47

\\* MERGEFORMAT , \\*

\\* MERGEFORMAT ，该电容并非滤波电容，而是用来吸收输入电压波

\\* MERGEFORMAT ）来消除电感储能

\\* MERGEFORMA

动的电容；在斩波后的电路中接一个续流二极管（对IGBT造成的不利影响；采用由电感(

\\* MERGEFORMAT )与电容（

T ）组成的低通滤波器，尽可能降低输出电压波纹。 当IGBT闭合时，二极管（

\\* MERGEFORMAT ）为反偏，输出端向负载及电感（

\\* MERGEFORMAT ,

\\*

MERGEFORMAT ）提供能量；当IGBT断开时， \\* MERGEFORMAT ,

\\* MERGEFORMAT 构成回路，电感电流经二极管（起保护作用。

\\* MERGEFORMAT ），对IGBT

光电耦合器TLP521的引脚图封装形式和内部结构如图5.2所示。

图5.2TLP521-2引脚端封装形式和内部结图

5.3EXB841引脚端封装形式和内部结构

EXB841驱动器的引脚端封装形式和内部结构如图5.3所示。EXB841的引脚功能如下；引脚端1为驱动脉冲输出参考端；引脚端2为驱动的IGBT脉动功率放大输出级正电源连接端；引脚端3为驱动脉冲输出端；引脚端7,8,10,11为空引脚端；引脚端5为过电流保护信号输出端；引脚端6为过电流保护取样信号连接端；引脚端9位驱动输出脉冲负极连接端；引脚端14为驱动信号负输出端；引脚端15为驱动信号正输入端。

EXB841驱动器内部功能有；（1）采用具有高隔离电压的光耦合器作为信号隔离。因此能用于交流480V的洞里设备上。（2）内设有电流快速保护电路，可根据驱动信号与集电极

之间的关系检测过电流。因此，能满足IGBT通常只能承受时间为10μs的短路电流的使用要求。（3）内有低速过流切断电路，当即电机电压高时，加入开信号也认为存在过电流。由于该驱动器的低俗切断电路可慢速关断IGBT（＜10μs的过流不响应，从而保证IGBT不被损坏。如果以正常速度气短过电流，则集电极产生尖脉冲冲足以破坏IGBT。（4）能提供IGBT的栅极关断电源。由于IGBT需要一个+15V电压开栅电压，以获得低开启电压，还需要一个-5V关栅电压，以防止关断状态的误动作。这两种电压（+15V和-5V）均可由内部电路产生，以实现IGBT栅正确关断。 6逆变和驱动电路设计

在本设计中采用三相电压桥式逆变电路。6个MOSFET管2SK1358组成该逆变电路的桥臂。桥中各臂在控制信号作用下轮流导通。它的基本工作方式为180°导电方式，即每个桥臂的导电角度为180°，同一相（即同一半桥）上下两桥臂交替到导电。各相开始导电的时间相差120°，三相电压桥式逆变电路如图6.1所示，每个2SK1358并联一个续流二极管和串接一个RC低通滤波器。

图6.1三相电压桥式逆变电路

MOSFET驱动电路的设计对提高MOSFET性能具有重要的作用，并对MOSFET的效率，可靠性，寿命都有重要的影响。MOSFET对驱动它的电路也有要求:能向MOSFET栅极提供需要的栅压，以保证MOSFET可靠的开通和关断；为了使MOSFET可靠地触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压，并且驱动电路要满足MOSFET快速转换和峰值电流的要求；具备良好的电气隔离性能；能提供适当的保护功能；驱动电路还应该简单可靠，体积小。

在设计中采用3个IR2111作为MOSFET的驱动电路。MOSFET控制及驱动电路如图6.2所示

图6.2MOSFET控制及驱动电路

IR2111是MOSFET专用驱动集成电

路，采用DIP-8封装。其主要技术特点有：可驱动同桥臂的两个MOSFET：内部自举工作：允许在600V电压下直接工作：栅极驱动电压范围宽：单通道施密特逻辑输入，输入与TTL及CMOS电平兼容：死区时间内置：高边输出，输入同相，低边输出死区时间调整后与输入反相。IR2111的引脚封装形式和应用电路如图6.3（a），6.3（b）所示。

图6.3（a）IR2111引脚端封装形式 图6.3（b） 应用电路 7 真有效值转换电路设计

逆变输出的信号经过低通滤波，三相电流分别由电流检测器转换为电压。单相电压信号由真有效值测量电路检测。真有效值电路由4片AD637构成，其基本电路如图所示。

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