2018年华中科技大学电子信息与通信学院831电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研基础五套测试题

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目录

2018年华中科技大学电子信息与通信学院831电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研基

础五套测试题（一） ............................................................................................................ 2 2018年华中科技大学电子信息与通信学院831电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研基

础五套测试题（二） .......................................................................................................... 13 2018年华中科技大学电子信息与通信学院831电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研基

础五套测试题（三） .......................................................................................................... 23 2018年华中科技大学电子信息与通信学院831电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研基

础五套测试题（四） .......................................................................................................... 33 2018年华中科技大学电子信息与通信学院831电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研基

础五套测试题（五） (42)

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分考研基础五套测试题（一）

说明：根据本校该考试科目历年考研命题规律，结合出题侧重点和难度，精心整理编写。基础检测使用。共五套试题，均含有详细答案解析，也是众多专业课辅导机构参考借鉴资料，考研必备。 ——————————————————————————————————————————

一、分析计算题

1． 功放电路(OTL)如图所示。

(1)设和

的饱和压降为零，最大输出功率是多少？ (2)如

和的

，晶体管的饱和压降为电路最大的输出功率为多少？ (3)设晶体管的

，

当开路时将产生什么后果？器件参数仍如(2)所述。

图

【答案】电路为单电源供电:

(1)在忽略饱和管压降的条件下:

检验得:

由此:最大输出功率受器件的限制不能得，应为

(3)互补对称，所以

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因此，当

开路时会造成器件损坏。

2． 电路如图所示。设FET 参数为

:

.当

分别取下列两个数值时,

判断场效应管是处在饱和区还是非饱和区,并求饱和区中的电流。

(1)

(2),

图

【答案】由图可见。电路为结型场效应管构成的共源放大电路。 饱和区与非饱和区临界线方程为

因为,所以当进入饱和区;

当

进入非饱和区。

(1)

设FET 进入饱和区,则

9

说明

FET 工作在饱和区,假设成立,此时。

(2)

设FET 进入饱和区,则

说明FET 工作在非饱和区,此时而应受VDS 的控制,此时VDS 由FET 输出特性上

的曲线与电路的输出直流负载线的交点确定。

3． 电路如图所示。

(1)写出与

的运算关系式；

(2)当Rw 的滑动端在最上端时，若

，则

？

(3)若

的最大幅值为

，输入电压最大值

，最小值均为0V ，

则为了保证集成运放工作在线性区，

的最大值为多少？

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图

【答案】

(1)放大器A 2:

放大器A 1:

由式①②③得:

。

(2)当Rw 的滑动端在最上端时，若，则 (3)若保证工作在线性区，则必须证

最大时，。

根据题意，则 故

。

4．

有源负载差动放大电路如图所示。其中

和

和和

配对,

NPN 管的.PNP

管的,各管的

。

(1)求各管的静态集电极电流Ic 。

(2)求T 1和T 2的的

(3)求差模电压增益.

,差模输入电阻

,和差模输出电阻。

图

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/w6rq.html