半导体物理学（刘恩科第七版）习题答案（比较完全） - 图文

第一章习题

1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近

能量EV(k)分别为：

h2k2h2(k?k1)2h2k213h2k2 Ec= ?,EV(k)??3m0m06m0m0m0为电子惯性质量，k1??a ,a?0.314nm。试求：（1）禁带宽度;

（2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量;

（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1）

导带：2?2k2?2(k?k1)由??03m0m03k14d2Ec2?22?28?2又因为：2????03m0m03m0dk得：k?所以：在k?价带：dEV6?2k???0得k?0dkm0d2EV6?2又因为???0,所以k?0处，EV取极大值m0dk2?2k123因此：Eg?EC(k1)?EV(0)??0.64eV412m0

3k处，Ec取极小值4(2)m*nC?2?2dECdk23?m0 83k?k14(3)m*nV?2?2dEVdk2??k?01m06(4)准动量的定义：p??k所以：?p?(?k)3k?k14

3?(?k)k?0??k1?0?7.95?10?25N/s4

2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计

算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：f?qE?h??k?k 得?t?

?qE?t?(0??t1??a)?8.27?10?8s

?1.6?10?19?102?(0??a)?107?t2? 补充题1

?1.6?10

?19?8.27?10?13s分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提

示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：

（a）(100)晶面 （b）(110)晶面

（c）(111)晶面

11?4? 22（100）：24?2??6.78?1014atom/cm2?82aa(5.43?10)

112?4??2? 42?4?9.59?1014atom/cm2（110）：2a?a2a2

114??2??24 1112（）：4??7.83?1014atom/cm2233aa?2a

2

补充题2

?271(?coska?cos2ka)， 一维晶体的电子能带可写为E（k)?28ma8式中a为 晶格常数，试求

（1）布里渊区边界； （2）能带宽度；

（3）电子在波矢k状态时的速度；

* （4）能带底部电子的有效质量mn；

（5）能带顶部空穴的有效质量m*p

解：（1）由

dE(k)n??0 得 k?

adk（n=0，?1，?2…） 进一步分析k?(2n?1)?a ，E（k）有极大值，

E（k)MAX2?2? 2mak?2n?a时，E（k）有极小值

所以布里渊区边界为k?(2n?1)?a

(2)能带宽度为E（k)MAX?E(k)MIN(3）电子在波矢k状态的速度v?（4）电子的有效质量

2?2? ma21dE?1?(sinka?sin2ka) ?dkma4?2mm?2?

1dE(coska?cos2ka)22dk*n能带底部 k?2n?* 所以mn?2m a(2n?1)?， a(5)能带顶部 k?且mp??mn，

**所以能带顶部空穴的有效质量mp?*2m 3

第二章习题

1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？

答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。

（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。 （3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。

2. 以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。 As有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个电子，同时As原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个As原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导电的自由电子，而As原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心，称为施主杂质或N型杂质，掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。

3. 以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。 Ga有3个价电子，它与周围的四个Ge原子形成共价键，还缺少一个电子，于是在Ge晶体的共价键中产生了一个空穴，而Ga原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心，所以，一个Ga原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个负电中心和一个空穴，空穴束缚在Ga原子附近，但这种束缚很弱，很小的能量就可使空穴摆脱束缚，成为在晶格中自由运动的导电空穴，而Ga原子形成一个不能移动的负电中心。这个过程叫做受主杂质的电离过程，能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质，掺有受主型杂质的半导体叫P型半导体。 4. 以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。

Si取代GaAs中的Ga原子则起施主作用； Si取代GaAs中的As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用，随着硅浓度的增加，硅取代As原子起受主作用。

?32?koTmn27（.1）根据N?2() c2h 2?koTm?p32Nv?2()得2h

m??n

h?Nc??31?0.56m?5.1?10kg0?2?koT?2??21223?Nv2?3h??31 mp????0.37m0?3.4?10kg2?koT?4? （2）77K时的NC、NV

''N（C77K）3TN（C300K）T773773' ?NC?NC?（）?1.05?1019?（）?1.37?1018/cm3300300

773773'NV?NV?（）?5.7?1018?（）?7.41?1017/cm3 300300

(3)ni?(NcNv)2e1?Eg2koT1?0.672k0?300? 完温：n?(1.05?1019?5.7?1018)2ei

?2.0?1013/cm377K时，ni?(1.37?1018?7.35?1017)2e?1.88?10?7/cm3

NDNDNDn0?n????pE?EE?E?E?E?EDno?DF?DcCF? ?koTkoTkoTNC1?2e1?2exp1?2e ?EDno0.01101717173?ND?n0(1?2e?)?10(1?2e?)?1.17?10/cmkoTNC0.0671.37?1018

8. 利用题 7所给的Nc 和NV数值及Eg=0.76eV，求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=5?10cm，受主浓度NA=2?10cm,的锗中电子及空穴浓度为多 少？

15

-3

9

-3

10.762k0?77

8.300K时：ni?(NcNV)2e 500K时：n?(N'N')2eiCV 根据电中性条件：1?1?Eg2koT?2.0?1013/cm3Eg2koT'?6.9?1015/cm3

?n?p?ND?NA?0?n2?n(N?N)?n2?0?DAinp?ni2?

12ND?NA?ND?NA22??n???()?ni?22??N?ND?NA?ND2?p?A??()?ni2?22??153??n?5?10/cmT?300K时：?103??p?8?10/cm153??n?9.84?10/cmt?500K时：?153??p?4.84?10/cm12 9.计算施主杂质浓度分别为1016cm3，,1018 cm-3，1019cm-3的硅在室温下的费米能级，

并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能 级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下的面的0.05eV。

9.解假设杂质全部由强电离区的EF 193?ND?NC?2.8?10/cm EF?Ec?koTlnN,T?300K时,?103?C?ni?1.5?10/cm N或EF?Ei?koTlnD,Ni

1016163?Ec?0.21eV ND?10/cm;EF?Ec?0.026ln2.8?1019 1018183ND?10/cm;EF?Ec?0.026ln?Ec?0.087eV192.8?10

1019193?Ec?0.0.27eV ND?10/cm;EF?Ec?0.026ln192.8?10 (2)?EC?ED?0.05eV施主杂质全部电离标准为90%,10%占据施主

1是否?10D?EF1?e2koT?nD1或??90D?EFND1?e2koTnD?ND

ND?1019:ND?1018:ND?1016:nD?ND111?e2111?e210.0370.026ED?EC?0.210.026?111?e20.160.026?0.42%成立nD?NDnD?ND?30%不成立11?e2'（2）求出硅中施主在室温下全部电离的上限D??(?0.0230.026?80%?10%不成立2ND?ED)e(未电离施主占总电离杂质数的百分比）NCkoT0.050.1NC?0.0262ND0.0510%?e,ND?e?2.5?1017/cm3NC0.0262ND?1016小于2.5?1017cm3全部电离ND?1016,1018?2.5?1017cm3没有全部电离''（也可比较ED与EF，ED?EF》koT全电离 2）

ND?1016/cm3;ED?EF??0.05?0.21?0.16》0.026成立，全电离

ND?1018/cm3;ED?EF?0.037~0.26EF在ED之下，但没有全电离 ND?1019/cm3;ED?EF??0.023?0.026EF在ED之上，大部分没有电离

10. 以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质

电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

10.解As中的电力能?ED?0.0127eV,NC?1.05?1019/cm3室温300K以下，As杂志全部电离的掺杂上限D??2ND?EDeNCkoT2ND?0.0127eNC0.0260.01270.012710%?0.1NC?0.0260.1?1.05?1019?0.026?ND上限?e?e?3.22?1017/cm322As掺杂浓度超过ND上限无用Ge饿本征浓度ni?2.4?1013/cm3?As的掺杂浓度范围5ni~1VD上限，2.4?1014~3.22?1017/cm3

13. 有一块掺磷的 n型硅，ND=1015cm-3,分别计算温度为①77K；②300K；③500K；

④800K时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）

13（.2）300K时，ni?1010/cm3??ND?1015/cm3强电离区n0?ND?1015/cm3(3)500K时，ni?4?1014/cm3~ND过度区2(4)8000K时，ni?1017/cm3n0?ni?1017/cm3n0?ND?ND?4ni2?1.14?1015/cm317. 施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子

浓度和费米能级的位置。

18. 掺磷的n型硅，已知磷的电离能为０.０４４eV，求室温下杂质一半电离时费

米能级的位置和浓度。

17.si:ND?1013/cm3,400K时，ni?8?1012/cm3(查表）?n?p?ND?0ND12,n??ND?4ni2?1.86?1013?222?np?nin2?NDn?ni2?0n8.5?1013EF?Ei?koTln?0.035?ln0.022eV13ni8?1018.解：nD?ND1E?EF1?eD2koTED?EFkoTnD?1ND则有e?2.EF?ED?koTln22EF?ED?koTln2?EC??EDkoTln2?EC?0.044?0.026ln2?Ec?0.062eVsi:Eg?1.12eV,EF?Ei?0.534eVn?Nce?EC?EFkoT?0.0620.026?2.8?10?e19?2.54?1018cm3n?50%ND?ND?5.15?10?19/cm319. 求室温下掺锑的n型硅，使EF=（EC+ED）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为

0.039eV。

EF?ED? ?N?2NCF?EF?EC（1?2exp(）D??koT?1?koT? 22NC0.0185??0.0185?193 ?F?（1?2exp）?6.5?10/cm0.026?1?0.026??2

EC?ED2E?ED2EC?EC?EDEC?ED0.039?EC?EF?EC?C????0.0195?koT2222E?EDE?ED发生弱减并EF?ED?C?ED?C?0.01952222?E?EC??n0?NcF1?F?N?C1(?0.71)??2?koT??219.解：?EF??2.8?1019??求用：n0?nD23.14?0.3?9.48?1018/cm3NC?2ND?E?EC?F?F??1?koT??1?2exp(EF?ED)2koT 20. 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外

延层中扩散硼、磷而成的。

（1）设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于

导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

（2）设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6?1015cm-3,计算300K时EF的

位置及电子和空穴浓度。

（3）在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深

度处硼浓度为5.2?1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

（4）如温度升到500K，计算③中电子和空穴的浓度（本征载流子浓度数值查

图3-7）。

20（.1）EC?EF?0.026?koT弱减并?n0?2Nc?F(?1)?ND2?2.8?10193.14?0.3?9.48?1018/cm3?n0?nD?1?2eEF?EDkoTEF?EDkoT0.0130.026?ND?n0(1?2e)?n0(1?2e)?4.07?1019/cm3(2)300K时杂质全部电离NEF?Ei?KTlnD?EC?0.223eVNCn0?ND?4.6?1015/cm3ni2(1.5?1010)243p0???4.89?10/cmn04.6?1015（3）p?NA?ND?5.2?1015?4.6?1015?6?1014/cm3ni2(1.5?1010)253n???3.75?10/cmp6?1014N?ND?1014EF?Ei??koTlnA?0.026ln16??0.276eV.5?1010ni21. 试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？

ND 21.2NCF?EF?EC??弱减并EC?EF?koT?E?E1?D??1?2exp(F) 2koT

?0.008 N?2F(?2)?1?2e0.026???Dsi1?2??

?

2?2.8?10193.14?0.1?(1?2e?0.0080.026)?7.81?1018/cm3NDGe?2?1.05?10193.14?0.0394??F1(?2)?1?2e0.026??1.7?1018/cm32??第一章 半导体物理基础

能带：

1-1什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？ 1-2试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。 1-4、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为：

k2EC(k)?＋3m0k1?2222(k?k1)2k132k2和Ev(k)?；m0为电子惯性质量，－m06m0m0?a；a＝0.314nm，

?1.054?10?34J?s，m0?9.1?10?31Kg，

q?1.6?10?19C。

试求：

①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。

题解：

1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为

导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。

1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温

度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。

1-3、准粒子、荷正电：+q； 、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）； 、EP=-En （能量方向相反）、mP*=-mn*。 空穴的意义：

引入空穴后，可以把价带中大量电子对电流 的贡献用少量空穴来描述，使问题简化。 1-4、①禁带宽度Eg

dEc(k)22k22(k?k1)根据＝＋＝0；可求出对应导带能量极小值Emin的k值：

dk3m0m03kmin＝k1，

4由题中EC式可得：Emin＝EC(K)|k=kmin=

4m0k12；

由题中EV式可看出，对应价带能量极大值Emax的k值为：kmax＝0；

22222kk?1并且Emin＝EV(k)|k=kmax＝21；∴Eg＝Emin－Emax＝＝ 212m012m0a6m0＝

?2(1.054?10?34)212?9.1?10?31?(3.14?10?10)2?1.6?10?19＝0.64eV

②导带底电子有效质量mn

d2EC222282；∴ mn????dk23m0m03m0③价带顶电子有效质量m’

2d2EC3/?m0 dk28d2EV62'm?，∴??n2dkm02d2EV1/??m0 2dk6掺杂：

2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？ 2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？

2-4、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？

题解：

2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它

们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。

2-2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导

带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。

施主电离前不带电，电离后带正电。

2-3、解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向

价带提供空穴，这种杂质就叫受主。受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。受主电离前带不带电，电离后带负电。

2-4、当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。

利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。

载流子统计分布：

3-1、定性说明： 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高；

3-2、Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3，试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少？

题解：

3-1、解：

在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能量越

小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。 3-2、解：在300K时，因为ND>10ni，因此杂质全电离

n0=ND≈4.5×1016cm-3

?ni1.5?1010?3?3??p0???5.0?10cm16n04.5?10

16

答： 300K时样品中的的电子浓度和空穴浓度分别是4.5×10cm-3和5.0×103cm-3。

半导体的导电性

4-1、何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？

4-2、室温下Si本征载流子浓度为1.5×1010cm-3，电子和空穴的迁移率分别为

221350cm2/s·v和500cm2/s·v。

(1)本征Si材料在室温下的电导率σi。

(2)Si原子密度为5×1022cm-3，掺入十万分之一的As后，设室温下杂质全部电离，计算掺杂半导体的电导率σ。设电子迁移率不受掺杂影响。

题解：

4-1、解：迁移率是单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。

4-2、(1)由?i＝niq(?n??p)

10?10? ?i＝1.591?.6?11（0?1350+500）

?6?1（0S/cm） ＝4.4

(2)已知硅原子密度为5×1022cm-3，则掺入As的浓度为

（/cm3） ND＝5?1022?10-6=5?1016

因为杂质全部电离

63（/cm） 所以 n0=ND＝5?101 忽略空穴对电导率的贡献

掺杂半导体的电导率为

9?＝qn0?n?5?1106?1?.6?11?0500?（4S/cm）

非平衡载流子：

5-1、何谓非平衡载流子？

5-2、漂移运动和扩散运动有什么不同？ 5-3、间接复合效应与陷阱效应有何异同？

5-4、假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×1016cm-3，试计算空穴的扩散电流密度。 题解：

5-1、解：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。通常所指的非平衡载流子是指非平衡少子。

5-2、解：漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。前者的推动力是外电场，后者的推动力则是载流子的分布引起的。

5-3、答：间接复合效应是指非平衡载流子通过位于禁带中特别是位于禁带中央的杂质或缺陷能级Et而逐渐消失的效应，Et的存在可能大大促进载流子的复合；陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级Et中，使在Et上的电子或空穴的填充情况比热平衡时有较大的变化，从引起Δn≠Δp，这种效应对瞬态过程的影响很重要。此外，最有效的复合中心在禁带中央，而最有效的陷阱能级在费米能级附近。一般来说，所有的杂质或缺陷能级都有某种程度的陷阱效应，而且陷阱效应是否成立还与一定的外界条件有关。

第二章 pn结

1、PN结电击穿类型：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿、热电击穿。

2、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长 度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。

4、内建电场；

答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。

5、硅突变PN结二极管N侧与P测的掺杂浓度分别为 Nd=1016cm-3和Na=1018cm-3。计算室温下零偏压时的内建电势差和耗尽层宽度。 解：由于是单边突变结

NdNa4?1018?1016?0.026?ln=0.83（V） ?0＝VTln 220ni2.25?102??01/25W＝xn=（）?3.28?10?（cm）

qNd

第四章 金属-半导体结

4-1、什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？ 4-2、什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？ 4-3、什么是少数载流子注入效应？

题解：

4-1、答：功函数是指真空电子能级E0与半导体的费米能级EF之差。影响功函数的因素是掺杂浓度、温度和半导体的电子亲和势。

4-2、答：欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。形成欧姆接触的常用方法有两种，其一是金属与重掺杂n型半导体形成能产生隧道效应的薄势垒层，其二是金属与p型半导体接触构成反阻挡层。

4-3、答：当金属与n型半导体形成整流接触时，加上正向电压，空穴从金属流向半导体的现象就是少数载流子注入效应。它本质上是半导体价带顶附近的电子流向金属中金属费米能级以下的空能级，从而在价带顶附近产生空穴。小注入时，注入比（少数载流子电流与总电流直之比）很小；在大电流条件下，注入比随电流密度增加而增大。

计算题： 1、施主浓度为7.0×1016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，求形成的接触类型。

例4-2

第五章 结型场效应管

1.

2. 3. 4.

第六章 MOS结构场效应管

1. 解释什么是表面积累、表面耗尽和表面反型？

解：

（1） 表面积累：当金属表面所加的电压使得半导体表面出现多子积累时，这就

是表面积累； （2） 表面耗尽：当金属表面所加的电压使得半导体表面载流子浓度几乎为零时，

这就是表面耗尽；

（3）当金属表面所加的电压使得半导体表面的少子浓度比多子浓度多时，这就是表面反型。

2.什么是平带电压，试述影响平带电压VFB的因素。

解：当MIS结构的半导体能带平直时，在金属表面上所加的电压就叫平带电压。平带电压是度量实际MIS结构与理想MIS结构之间的偏离程度的物理量，据此可以获得材料功函数、界面电荷及分布等材料特性参数。

影响MIS结构平带电压的因素分为两种： （1）金属与半导体功函数差。（2）界面电荷。 3. 解：

4.

5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；

答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。

6、BVCEO含义；

答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。 7、MOSFET短沟道效应种类；

答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。

计算题：例6-2

第七章 电荷转移器件

第8、9章 半导体光电、电光特性

1.本征吸收？ 2.本征光电导。

3.定性解释半导体光伏效应、LED注入机制、半导体激光器产生粒子数反转的原理。

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