模电总结复习资料_模拟电子技术基础

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第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。 1)图解分析法

该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。 *三种模型

微变等效电路法

三. 稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章 三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态

2. 三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件

式子

3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。

称为穿透电流。

* 输出特性曲线

(饱和管压降,用UCES表示

放大区---发射结正偏,集电结反偏。 截止区---发射结反偏,集电结反偏。 4. 温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。 三. 低频小信号等效模型(简化)

hie---输出端交流短路时的输入电阻, 常用rbe表示;

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,

常用β表示;

四. 基本放大电路组成及其原则 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。 2.组成原则----能放大、不失真、能传输。 五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点

*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1)改变Rb :Q点将沿直流负载线上下移动。

2)改变Rc :Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。 2. 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。

3. 静态工作点与非线性失真

(1)截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。 *消除方法---减小Rb,提高Q。 (2) 饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。 *消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。 4. 放大器的动态范围

(1) Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 (2)范围

*当(UCEQ-UCES)>(VCC’ - UCEQ )时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当(UCEQ-UCES)<(VCC’ - UCEQ )时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2 (UCEQ-UCES)。 *当(UCEQ-UCES)=(VCC’ - UCEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。 六. 放大电路的等效电路法

1. 静态分析

(1)静态工作点的近似估算

(2)Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc 。

2.

放大电路的动态分析

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

七. 分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法 1.静态分析

2.动态分析 *电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后

输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后

* 输出电阻

八. 共集电极基本放大电路 1.静态分析

2.动态分析 * 电压放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

3. 电路特点

* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。 * 输入电阻高,输出电阻低。

第三章 场效应管及其基本放大电路

一. 结型场效应管( JFET ) 1.结构示意图和电路符号

2. 输出特性曲线

(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)

转移特性曲线

UP ----- 截止电压

二. 绝缘栅型场效应管(MOSFET)

分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。 结构示意图和电路符号

2. 特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

* N-EMOS

的转移特性曲线

式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。 * N-DMOS的输出特性曲线

注意:uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。

三. 场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT 4.直流输入电阻RGS

5.低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)

四. 场效应管的小信号等效模型

E-MOS 的跨导gm ---

五. 共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析

动态分析

若带有Cs,则

2.分压式偏置放大电路 * 静态分析

* 动态分析

若源极带有Cs,则

六.共漏极基本放大电路

* 静态分析

* 动态分析

第四章 多级放大电路

一. 级间耦合方式

1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。但不便于集成,低频特性差。

2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。

3. 直接耦合----低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响。存在“零点漂移”现象。

*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。 二. 单级放大电路的频率响应 1.中频段(fL≤f≤fH)

波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数,相频曲线是φ=-180o。

2.低频段(f ≤fL)

3.高频段(f ≥f

H)

4.完整的基本共射放大电路的频率特性

三. 分压式稳定工作点电路的频率1.下限频率的估算

2.上限频率的估算

响应

四. 多级放大电路的频率响应 1. 频响表达式

2. 波特图

第五章 功率放大电路

一. 功率放大电路的三种工作状态 1.甲类工作状态

导通角为360,ICQ大,管耗大,效率低。 2.乙类工作状态

ICQ≈0, 导通角为180,效率高,失真大。 3.甲乙类工作状态

导通角为180~360,效率较高,失真较大。 二. 乙类功放电路的指标估算 1. 工作状态

任意状态:Uom≈Uim 尽限状态:Uom=VCC-UCES 理想状态:Uom≈VCC

o

o

o

o

2.

输出功率

3. 直流电源提供的平均功率

4. 管耗 Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想时为78.5% 三. 甲乙类互补对称功率放大电路

1. 问题的提出

在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。 2. 解决办法

甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏

置电压。

动态指标按乙类状态估算。

甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2,并且取代了OCL

功放中的负电源-VCC。

动态指标按乙类状态估算,只是用VCC/2代替。 四. 复合管的组成及特点

1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。 2. 类型取决于第一只管子的类型。 3. β=β1·β 2

第六章 集成运算放大电路

一. 集成运放电路的基本组成

1.输入级----采用差放电路,以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。 3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。 二. 长尾差放电路的原理与特点 1. 抑制零点漂移的过程----

当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。

2静态分析 1) 计算差放电路IC

设UB≈0,则UE=-0.7V,得

2) 计算差放电路UCE

双端输出时

单端输出时(设VT1集电极接RL)

对于VT1:

对于VT2:

3. 动态分析

1)差模电压放大倍数

双端输出

单端输出时

从VT1单端输出 :

从VT2单端输出 :

2

)差模输入电阻3)差模输出电阻

双端输出:单端输出:

三. 集成运放的电压传输特性

当uI在+Uim与-Uim之间,运放工作在线性区域 :

四. 理想集成运放的参数及分析方法 1. 理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞; * 差模输入电阻 Rid→∞; * 输出电阻 Ro→0; * 共模抑制比KCMR→∞; 2. 理想集成运放的分析方法 1) 运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈

* 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚短” ---

“虚断” ---

2) 运放工作在非线性区

* 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点——

输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时,uo=+Uom 当u+<u-时,uo=-Uom 两输入端的输入电流为零:

i+=i-=0

第七章 放大电路中的反馈

一. 反馈概念的建立

*开环放大倍数---A *闭环放大倍数---Af *反馈深度---1+AF *环路增益---AF:

1.当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。 2.当AF=0时,表明反馈效果为零。

3.当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。

4.当AF=-1时 ,Af→∞ 。放大器处于 “ 自激振荡”状态。 二.反馈的形式和判断

1. 反馈的范围----本级或级间。

2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存 在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。

3. 反馈的取样----电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。

(输出短路时反馈消失)

电流反馈:反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。 (输出短路时反馈不消失)

4. 反馈的方式-----并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端)

串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。 Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端) 5. 反馈极性-----瞬时极性法:

(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号 的频率在中频段。

(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升 高用 + 表示,降低用 - 表示)。 (3)确定反馈信号的极性。

(4)根据Xi 与X f 的极性,确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈;Xid 增大为正反馈。

三. 反馈形式的描述方法

某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串 联(并联)负反馈。

四. 负反馈对放大电路性能的影响

1. 提高放大倍数的稳定性

2.

3. 扩展频带

4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5. 改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 五. 自激振荡产生的原因和条件

1. 产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。

2. 产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为:

第八章 信号的运算与处理

分析依据------ “虚断”和“虚短”

一. 基本运算电路 1. 反相比例运算电路 R2 =R1//R

f

2. 同相比例运算电路

R2=R1//R

f

3. 反相求和运算电路

R4=R1//R2//R3//R

f

4. 同相求和运算电路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5. 加减运算电路

R1//R2//Rf=R3//R4//R

5

二. 积分和微分运算电路 1. 积分运算

2. 微分运算

第九章 信号发生电路

一. 正弦波振荡电路的基本概念

1. 产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)

自激振荡的平衡条件 :

即幅值平衡条件:

相位平衡条件:

2. 起振条件:

幅值条件 :相位条件

:

3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成

(1) 放大电路-------建立和维持振荡。

(2) 正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。 (3) 选频网络-------以选择某一频率进行振荡。

(4) 稳幅环节-------使波形幅值稳定,且波形的形状良好。 * 正弦波振荡器的分类

(1) RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下; (2) LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上; (3) 石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。 二. RC正弦波振荡电路 1. RC串并联正弦波振荡电路

2. RC移相式正弦波振荡电路

三. LC正弦波振荡电路

1. 变压器耦合式LC振荡电路 判断相位的方法: 断回路、引输入、看相位

2. 三点式LC振荡器

*相位条件的判断------“射同基反”或 “三步曲法”

(1) 电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路)

(2) 电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)

本文来源:https://www.bwwdw.com/article/uvdq.html

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