ch1-3晶体三极管

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1.3Gunazhgu oCloelg efoSCU T晶体极三管

、晶一体管结构和的号 二符、体管的晶大放理 三原晶、体的管共射输特入性和出特输性四、温度 晶对管体性特影响的 五、要主数参

一

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、晶体管结构的和号符小功率管Gaugnzhou oCllgee of CUST

中功管率

大率功管多子浓度 高结面大 积子浓多度很 低，且很

薄晶管体三有极、个三区、两个个N结。P

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、一晶管的结构和符体号电集结GuanzhguoC loelego fS UC

发射结T晶管体有三个极 基：极Ba(se)集、电极C(lleotor)c、射发(E极mttir)。e注 箭头意的向指!

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、晶体管二的放大理原

图左为本共基放射大 电(发路射极两是个回 路的共公端)uGanzhogu ollCgeeof SCTU输回入路输出回路发射结正向(偏置) u B E U n 放大o条件的 集(电反向偏置结) Cu B 0,即CuE u EB

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、二晶管体的放原大理数少 流载子 运动

的因电区集积面，大在外电场作用下大部分扩散 基到的电子区移到漂集电 因区区基薄多子且浓低，使度极少数扩散 基区的到子与电穴空复 合因发区多子射浓度高大量 使电子从发射区散到基扩

区uanGzhou golClgeeo SfUTC基区空 的穴扩散

散运动扩成形发射极流电E,复合I运形动 基极成流电IB,漂运动移形成电极电集流C。I满足 EII=BIC

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+ 电分配：流I E= I + IB C

uaGgznou holCele go fSCTU

直流电 流大放数系IC I

B iC i B

交流电流 放系数大I COE ( 1) I BC穿透电O 集流电反向结和电流

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饱 晶体电流放管大数：

IC系 IIBC IBGuangzhu oColege lo fSCUT

Ci iBI E 1 ( I)B 基本共放射电大路

I C I E

C i Ei

或

1

1 基本基放大共电路

意直注流流电和流交流放电大数系的区别

!

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三、体管晶的共输射特性和入输特出性1.输 入性

特Bi f (uB E)UCE 常 数

Guagzhnuo Clloee gfo SUTC当UCE0时=输入特性，线曲与PN结的伏安 特类性 当似UE>0时C输，入性特线 右曲 移对于功小率体管，UCE大晶于V1的条输入一特性 曲可线取以UC代大于1E的V有输所特入曲线性!

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.2输出 性特iC f( Cu )E

IB 常数

应对于个IB就一一有条CiuC随变化的曲线E。输 出线是曲簇一线，曲一般 取B的值是等I隔间由 至上下大！增 Ci iB UCE 常量Guagnzho Cuollee gofSCU T

Ci i

B2

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.输出 特 根性下据图得晶到管的体个三工作区：饱和区域

Guagnhou Czollee ogfSC UT图中线虚表临界饱代 曲和线，即uB=C!u

放区大 截区止

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晶体的三个管作工域

G区aunzghou Collegeof SUCT状态 截止 大 饱和

放uB E≤oUn> Uo > UonniC IEOCβ B <βii

uCE ≈VCCBuB≥

< uBEE晶体管工在放作状态时大输出回，

路的流 i电 几C乎仅仅决于输定入路回电流 iB的即可将，输出回路等效为 流电iB 控 制的电源流iC 。

四

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温、度对晶体管特性影响的Guanghozu Cloegl eo fCSUT ( oC) ICE O 少子(增 多' ) ( ic ic) U B E变时不I B ,CI也 大增

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五、主要数参 、 CIBO、I ECO 直流数： 参、 特频征率 =1的号信率频) 交流 参：数、αβfT、(使 极限 参数ICM:、PMC、UB()CEORGuagnhoz uolClegeo f SUCT最集大电 电极

c-流e间向反穿电压 击最大电集极耗功 率散P,M=iCCuC安E全工区作

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练习：判晶体管的断型类工作状和 态在验室实，常常通过内电对中晶路管体GuangzouhC lloee ogfSCUT

管各电脚的位测试判断来晶管的类体、 材型及其工料作状。NP态N型管PN和P 管工型在作放大状时态两个P结N电压如的图：

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例1.题 现测某得路中几只电PN型N晶体管三电极的个直流 电如位下表所示各，晶体b-e管间的开启压U电no均 0为5V。.断各判管子工作的态。状晶体管 BUGaunzhgouCo legl eo fSCT

T1U 0. 07T2 1.03T3 00

EUU

5C0.7

51对于功小的NP率管: 工作N在截状止态：时 BE ≤uUon并uC且 >uBE E作在工大放态时：状uB E> onU并且CE ≥ uBEu

工作饱在和状时：态 BE uUo>n且并uEC <BEu由此可知T,管放1,大T2管和饱，3T管截。止

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晶管体判断流直位电近的相个两是极发极射基极，和电差位 为约.07V是的管硅约为，0.V的是2管锗，另一外是极集电 。若c电位极最高，NP为N管，电最位低的为e,居 为b中若。c位最电，为低NP管，电位最高P为e,居 中为b 。 2已.知得测放大电中晶路体管个电三的极电为下 表位示所，试断它判们的型管管脚、和用材所。料体管U晶1U2 3

GUaunzhgu Coollee ofgSCU TT1

2 3.7 13T2

1 21514.8 此可知由，T管NP1硅管，上N中分别下c为b/e /T2管P为PN管锗上，下中分别为/ec/b

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3. 电如路图所示，=1β0,0BE=U.70VV,c=c1V5,T若 界饱临和则Rb=,?解: 设临 界饱时，和饱和压管降UCES U=E=0.7B,所V以Gungzhoa Coluegelof S CUT

CVC U CE ISC 2. 8m6 AcR C IBI 8.62Aμ

VBB U B REb 45 .4 BI

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例题PCM iC CEuuEC1=时Vi的就是ICMGuaCnghou zColelego fCSUT27

Δi.

C C iiB UCE U(RBCEO) 由示图特性出PCM求I、C、M (BURC)EO β。、

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例题.1大最集电耗极功率PC散

MCM P iC uEC在图上 为条一确定的线当u曲EC1=0V,时C=i2.7A,m所以PC=27mWGuMngahozuCo leleg ofS UCT2最.集大极电流电IMC由定 可义知，u当C=1V时，IEC=MPC/MCuE27=mA3. 电极集发-射极向反击电压穿UB(RC)OE 图由可， U(知R)BCEO= 2V 4.共集5交流流电大放数β倍 Ci 1 A m 1 0 iB01 0

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