模拟电子技术基础试题及答案

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-- 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(１I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用；( )

(２)可以说任何放大电路都有功率放大作用;（ ）

(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；（ )

（4）电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )

(5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;（ )

(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化；( ）

(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( )

【解答】 (1)×。放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称 放大,但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。放大的特征就是功率的放大。

（３)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。

(4）×。 .

（5) √。设置合适的静态工作点。

(6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

（7)×。

二、试分析图Ｔ2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电

对交流信号均可视为短路。 ,

【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB 所影响。

(ａ

)

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例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?

【解答】 所谓增强型，即Ｎ沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，

P 沟道的场效应管,必须在ＵGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都 将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象,所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅 极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

自测题分析与解答

一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。

(1)在Ｎ型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。（ ）

(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )

（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ )

(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( )

(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 GS R 大的特点。( )

(6)若耗尽型N 沟道M ＯS 管的GS u 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）

【解答】(１) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子,当空穴足够多时就

能将N 型半导体转变为P 型半导体。 ， .

(2）×。Ｎ型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (３) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散

作用，所以在没有外加能量的作用下,结电流为零。

(４)×。在外加反向电压的作用下,基区的非平衡少子,在外电场作用下越过集电极到达

集电区形成漂移电流。

(５）√。当、|U Ｇs l 增大时,耗尽层加宽，沟道变窄,沟道电阻增大。当沟道消失时,R Ｇｓ趋于无穷大。

４

(6）×。因为在制作MOS 管子时,在Ｓi02中渗人大量正离子,在正离子的作用下,P

--

-- 型衬

底表层形成反型层,因为反型层的存在,所以输入电阻不会明显变小。

二、选择正确答案填人空内。

(１)ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

.

Ａ.变窄 Ｂ．基本不变 C.变宽

（2)稳压管的稳压区是其工作在 。

A.正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。

A ．前者反偏、后者也反偏

B ．前者正偏、后者反偏

C ．前者正偏、后者也正偏

（4) GS u =0时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A.结型管 8.增强型ＭOS 管 Ｃ．耗尽型MO Ｓ管

【解答】 （1）Ａ。由于外电场的作用,将多数载流子推向空间电荷区,从而使其变窄。

（2）Ｃ。稳压二极管在反向击穿时，在一定的电流范围内,端电压几乎不变，表现良好的稳

压特性。

(3）B 。晶体管工作在放大状态时，发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE ．集 电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Jc 。

（4）A 、C 。对于结型场效应管犹Gs 一０时，耗尽层很窄,导电沟道很宽，能够工作在恒流区。

而对于耗尽型MOS 管，由于其Si02中掺人大量正离子，那么当犹G ｓ—o 时,漏一源之间存在导

电沟道，因此只要有正向电压作用就存在恒流区。 ．

三、写出图Tl ．3所示各路的输出电压值,设二极管导通电压D U =0.７ V 。

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--

图Tl.３

【解答】 根据二极管正向导通反向截止的原理：

1O U ≈1.3 V 2O U =0 3O U ≈一l.3 V 4O U ≈2Ｖ 5O U ≈1.3 V 6O U ≈-2V

四、已知稳压管的稳压值Z U ＝6V,稳定电流的最小值min Z I ＝5 ｍA 。求图Ｔl ．4所示电路 N005

中1O U 和2O U 各为多少伏。

图T ｌ．４

【解答】 图(a ）D ｚ导通，所以1O U 为６ Ｖ;图(b)D ｚ未导通,所以2O U 为５ V 。

五、电路如图T ｌ．５所示, =100,BE U =0．7 V 。 试问

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-- （１)Rb=5 0 ｋΩ时，o U =？

(2)若T 临界饱和,则Ｒb≈?

【解答】 (1）26BB BE B B

V U I uA R -== 2.6c B I I mA β==

2CE CC C C U V I R V =-=

那么2O CE U U V ==

(2）临界饱和时,0.7CES BE U U V ==，所以 2.86CC CES C C

V U I mA R -== 2.86C

B I I uA β== 45.4BB BE B B

V U R k I -==Ω N ０06

习题全解

1.1 选择合适答案填人空内。

’ (1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成Ｐ型半导体。

A ．五价 Ｂ．四价 C.三价

(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。

A ．增大

B ．不变

C ．减小

(３)工作在放大区的某三极管，如果当B I 从１2ｕＡ增大到2 2ｕA 时，Ic 从1 ｍA 变为2 mA,

那么它的β约为 。

A.８3 8.91 C ．1０0

(4)当场效应管的漏极直流电流D I 从２ mA 变为4ｍA 时,它的低频跨导m g 将 。 Ａ．增大 B.不变 Ｃ.减小

【解答】 (１）A C 。五价元素取代晶格中硅原子的位置形成N 型半导体，硅晶体中掺人

三价元素，使之取代晶格中的硅原子的位置,形成P 型半导体。

（2)A 。温度的升高,加强载流子的运动，从而加剧漂移运动的进行,从而反向饱合电流将

增大。

(３)C 。由公式p —Ａ瓦ic 一糌-－1 00０

（4)A 。g ｍ是转移特性曲线上某一点的切线的斜率，可通过式求导得到，gm 与切点的位 置密切相关,由于转移特性曲线的非线性,因而iD 愈大，g ｍ也愈大。

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-- Ｎ0０7

(N ０5０）自测题分析与解答

一、现有基本放大电路:

A ．共射电路

B ．共集电路 C.共基电路D ．共源电路 Ｅ．共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1）要求输入电阻为l k Ω至2 k Ω,电压放大倍数大于3０00，第一级应采用 ，第二级应采用 。

(2）要求输入电阻大于l0M Ω,电压放大倍数大于30０，第一级应采用 ,第二级应

采用 。

(３)要求输入电阻为ｌ0０k Ω至200ｋΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

（4)要求电压放大倍数的数值大于１0,输入电阻大于l0ＭΩ,输出电阻小于l00Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。

(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且|ui A ?|=|/i O U I ??

|>1000,输出电阻R<１00Ω,第一级应采用 ,第二级应采用 。

【解答】 (1)Ａ A (2)Ｄ A (３)B Ａ (4)D B (5)C Ｂ

共射放大电路具有较高的放大倍数,输人电阻不高,减小输出电阻将影响电路的放大倍 数。共集电极电路,电压放大倍数小于1，输入电阻较高,信号源内阻不很低时仍可获取较大输入信号，输出电阻小,所以带负载能力较强,因此多用于输入级、输出级，共基放大电路:电压放大倍数同共射相同,输入电阻比共射电路小，输出电阻相同，在要求频率特性高的场合多用共基电路。

二、选择合适答案填入空内

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

Ａ、元件老化 B 、晶体管参数受温度影响 C 、放大倍数不够稳定 D 、电源电压不稳定

（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A 、便于设计

B 、放大交流信号

C 、不易制作大容量电容

（3)选用差分放大电路的原因是 。

A 、克服温漂

B 、提高输入电阻

C 、稳定放大倍数

（4）差分放大电路的差模信号是两个输入信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。

A 、差

B ．和

C ．平均值

(５)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Ｒｅ,将使电路的——。

Ａ差模放大倍数数值增大 Ｂ.抑制共模信号能力增强 C 差模输入电阻增大 （６)互补输出级采用共集形式是为了——。 ’

Ａ电压放大倍数大 B 不失真输出电压大 C 带负载能力强

【解答】(1)A 、B 、D(2)Ｃ(3)A （4)ＡC （5) B(6)Ｃ

三、电路如图T ３．３所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时|BEQ U ｜ ≈0.７Ｖ。试求：

（1)静态时T1,管和T2管的发射极电流。

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-- (2)若静态时“o u >0,则应如何调节Rc ２的值才能使o u =０V?若静态o u =0V,则R ｃ２=?电压放大倍数为多少？

【解答】（1)333()/0.3C Z BEQ E I U U R mA =-=

120.15E E I I mA ==

图T3.3

(2)若静态时o u ＞０，应减少Rc2才能使o u ＝0 V 。

静态时1u ＝0时,o u =0，则由此可以推得T4管的集电极电流44/0.6CQ EE C I V R mA == 则可以计算的经过Ｒｃ2的电流为

224/0.150.0030.147RC C CQ I I I mA β=-=-=(Ｎ051结束）

自测题分析与解答

。选择正确答案填入空内。

1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应，条件是 。

A ．输入电压幅值不变,改变频率

B ．输入电压频率不变，改变幅值

C ．输入电压的幅值与频率同时变化

2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是——，而低频信号作用 时放大倍数数值下降的原因是 。

A.耦合电容和旁路电容的存在

B ．半导体管极间电容和分布电容的存在

Ｃ．半导体管的非线性特性

D ．放大电路的静态工作点不合适

3)当信号频率等于放大电路的^或fH,时,放大倍数的值约下降到中频时的 。

A.０．５ B ．0.7 C ．0．９

即增益下降 。

A ．3d

B Ｂ．4 dB C.5 ｄB ， 。

4)对于单管共射放大电路,当f ＝L f 时，O U ?与i U ?

相位关系是 。

Ａ.+45o B ．-90o C ．-135o 。

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-- 当H f f =时,O U ?与i U ?

相位关系是 。

A.-45o Ｂ．-135o Ｃ.225o -。

}答】 （１）Ａ (2)B A (3）B Ａ （4)Ｃ C

N081结束

(1)对于放大电路所谓开环是指：

A.无信号源

B.无反馈通路

C.无电源

D.无负载 ’

而所谓闭环是指——。 j

A.考虑信号源内阻

B.存在反馈通路

C ．接人电源 Ｄ．接人负载

2)在输入量不变的情况下，若引人反馈后——,则说明引入的反馈是负反馈。

A.输入电阻增大

Ｂ.输出量增大

C.净输入量增大

D.净输入量减小

3)直流负反馈是指 。 ．

A.直接耦合放大电路中所引入的负反馈

B.只有放大直流信号时才有的负反馈

C ．在直流通路中的负反馈

４)交流负反馈是指 。

A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈

Ｂ.只有放大交流信号时才有的负反馈

C.在交流通路中的负反馈 ‘

5）为了实现下列目的,应引入

A ．直流负反馈

B ．交流负反馈

①为了稳定静态工作点,应引入 ;

②为了稳定放大倍数,应引入 ;

③为了改变输入电阻和输出电阻，应引入 ;

④为了抑制温漂,应引入 ;

⑤为了展宽频带,应引入 ：

解答】(1）Ｂ B 。开环系统无反馈，闭环系统有反馈。

2)Ｄ。使放大电路净输人量减少的反馈。

3)C 。反馈存在于直流通路中。

４)C 。反馈存在于交流通路中。 ‘

５)Ａ Ｂ B A Ｂ。直流负反馈主要用于稳定静态工作点以及抑制温漂。

6．2选择合适答案填人空内。

A 电压

B ．电流 C.串联 D ．并联 ‘

１)为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；

2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入 负反馈;

3)为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈;

4)为了减小放大电路的输入电阻,应引入 负反馈;

5）为了增大放大电路的输出电阻,应引人 负反馈;

6）为了减小放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。

--

-- 笞】 (１)A (２)B （3）C （4）D (5)Ｂ （６)A ｊ

103

习题全解

8.１ 判断下列说法是否正确，用“√"或“×"表示判断结果。

(1)在图P8．１所示方框图中,只要A ?和F ?

同符号，就有可能产生正弦波振荡。（ ）

(２)因为ＲC 串并联选频网络作为反馈网络时的0O F ?=,单管共集放大电路的0O A ?=

正弦波振荡的相位条件2A F n ??π+= (ｎ／为整数),故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。( ）

（3)电路只要满足│A F ??

│=１,就一定会产生正弦波振荡。( ）

（４)负反馈放大电路不可能产生自激振荡。（ )

(5)在LC 正弦波振荡电路中,不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率

太低。( )

【解答】 (1)×。还原需要满足l Ａ声I 一1的条件。

(２）×。其不能满足I A 声f 一１。

(３)×。相位平衡条件没有判断。

(4)×。若在低频段或高频段中存在频率f0便电路产生的附加相移为±丌，而且当厂=

I AF l>０,则电路产生自激振荡。

（5)√。当信号频率较高时电感感抗很大。

图上J ８.1

8．2 判断下列说法是否正确，用“√’’或“×"表示判断结果。

(1)为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平,就应在其电路中使集成运放不

是工作在开环状态,就是仅仅引入正反馈。（ √ )

(2)如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗El 比较器的相同,那么当它们的输入 电压相同时，它们的输出电压波形也相同。（× )

(3)输入电压在单调变化的过程中,单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变

一次。( √ ) ．

(4)单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高(×）

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-- 以上是N1６5

习题全解

9.１ 分析下列说法是否正确,用“√’’、“×’’表示判断结果填人括号。

(1)在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。( )

(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。 （ )

(3）当ＯＣL 电路的最大输出功率为lW 时,功放管的集电极最大耗散功率应大于l Ｗ。

( )

(４)功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是

①都使输出电压大于输入电压；（ ）

②都使输出电流大于输入电流；( ) ．

③都使输出功率大于信号源提供的输入功率。( )

(５)功率放大电路与电压放大电路的区别是

①前者比后者电源电压高;( )

②前者比后者电压放大倍数数值大;( )

③前者比后者效率高；( )

④在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大；（ ) ⑤前者比后者的输出功率大。( )

(6)功率放大电路与电流放大电路的区别是

①前者比后者电流放大倍数大；( )

②前者比后者效率高；( )

③在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。( )

【解答】 (１）×。可以通过以下两种方法降低功耗,一是减小功放管的导通角,增大其在

个周期内的截止时间,从而减小管子消耗的平均功率。二是使功放管工作在开关状态，此 管子饱和导通时消耗功率管压降很小。

(２)√。

(3）×。功率转化效率约为８0%，功放管的集电极最大耗散功率不应大于1 W 。 (４）×;×；√。放大电路的特点。

(５)×；×;√；×;√。

(6)×;√；√。

9·２ 已知电路如图P9.2所示,T1，和T ２管的饱和管压降│CES U │=３ Ｖ,Vcc=1 ５ V ，8L R =Ω.

１77

选择正确答案填人空内。

（1）电路中D1和Ｄ２管的作用是消除 。

A ．饱和失真 B.截止失真 C ．交越失真

(2)静态时，晶体管发射极电位EQ U 。

A ．>0

B ．=0 Ｃ.＜0

(３)最大输出功率Po Ｍ 。

Ａ.≈２ 8 W Ｂ．=l 8 W . C.=9 Ｗ

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/u3xl.html