FM25F02.04使用说明手册

FM25F04/02使用手册

1. 产品概述

FM25F04/02为4M/2M位的串行Flash存储器，内部组织为524,288个字节（FM25F04）/262144个字节（FM25F02），另外还有一个256字节的OTP扇区，每个字节8位。

芯片接口为兼容SPI协议(模式3/0)的串行接口总线，广泛应用于消费类电子市场。主要用于存储固件和配置、设置信息。

产品的基本性能如下： ? 工作电压：2.3V - 3.6V ? 统一扇区架构：

- 128个4-Kbyte扇区（FM25F04），64个4-Kbyte扇区（FM25F02） - 8个64K-byte区块（FM25F04），4个64K-byte区块（FM25F02） - 任意扇区或区块都可以被单独擦除 ? 可锁定的256 byte OTP安全扇区 ? SPI串行接口(模式0及模式3) ? 支持Dual Output Fast Read操作

? 支持Dual I/O Fast Read操作，在此操作下也支持Continuous Read ? 支持软/硬件写保护 ? 支持256字节页编程模式 Manu ID：A1

JEDEC ID：A13112（FM25F02），A13113（FM25F04） 2. 引脚定义

FM25F04/02封装为SOP8、TDFN8。 引脚 1 2 3 4 5 6 7 8 符号 CS# DO WP# Vss DI CLK HOLD# Vcc 管脚名称 片选使能 串行数据输出 写保护 地 串行数据输入 串行时钟输入 保持输入 电源（2.3 ~ 3.6V）

3. 直流参数

(TA=-40℃~85℃，Vcc=2.3V~3.6V)

符号 ILI ILO ICC1 ICC2 参数 输入漏电流 输出漏电流 待机电流 深度下电电流 测试条件 VI= VI= VCC=3.6V,CS#=VCC, VIN=VSS或VCC VCC=3.6V,CS#=VCC, VIN=VSS或最小 最大 ±2 ±2 5 5 设计指标 ±1 ±1 1 1 单位 uA uA uA uA 符号 参数 VCC 测试条件 最小 最大 设计指标 单位 ICC3 读电流 VCC=3.6V,CLK=0.1VCC/0.9VCC,fCLK=100MHz, DO open VCC=3.6V,CLK=0.1VCC/0.9VCC, fCLK=75MHz, DO open VCC=3.6V,CS#=VCC VCC=3.6V,CS#=VCC VCC=3.6V,CS#=VCC VCC=3.6V,CS#=VCC IOL=1.6mA IOH=-100uA AC参数测试条件 -0.5 VCC-0.2 25 20 15 15 15 15 0.3VCC 0.4 25 20 15 15 7 7 0.5*VCC-0.1 0.2 VCC-0.2 mA mA mA mA mA mA V V V V ICC4 ICC5 ICC6 ICC7 VIL VIH VOL VOH PP电流 WRSR电流 SE电流 BE电流 输入低电平 输入高电平 输出低电平 输出高电平 0.7VCC VCC+0.4 0.5*VCC+0.1 4. 交流参数 符号 CL 参数 负载电容 上升/下降时间 输入电平 输入时序参考电平 输出时序参考电平 最小 20/30 5 0.2VCC 到0.8VCC 0.3VCC 到0.7VCC VCC/2 最大 单位 pF ns V V V fCLK=100MHZ时CL=20 pF, fCLK=75MHZ时CL=30 pF

5. 上电时序

上电时序及写禁止电压

符号 tVSL tPUW VWI 参数 VCC(min) to CS# low 允许发送写指令的时延 写禁止电压 最小 10 1 1.8 最大 10 2.2 单位 μs ms V 6. 写保护功能说明

FM25F04块写入保护设置 状态寄存器内容 BP2 bit 0 0 0 0 BP1 bit 0 0 1 1 BP0 保护区域 bit 0 无 1 0 1 存储阵列内容 地址 无 容量比例 (KB) 无 无 禁止状态 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 扇区0-111 扇区0-95 扇区0-63 全部 000000h-06FFFFh 000000h-05FFFFh 000000h-03FFFFh 000000h-07FFFFh 448KB 低112/128 384KB 低96/128 256KB 低64/128 512KB 全部 FM25F02块写入保护设置 状态寄存器内容 BP2 BP1 BP0 保护区域 bit bit bit 0 0 0 无 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 扇区0-47 扇区0-31 全部 全部 存储阵列内容 容量地址 比例 (KB) 无 无 无 禁止状态 000000h-02FFFFh 000000h-01FFFFh 000000h-03FFFFh 000000h-03FFFFh 192KB 128KB 256KB 256KB 低48/64 低32/64 全部 全部 FM25F04/02状态寄存器定义

S7 SRP Status Register protect 1=status register write disable 1=OTP sector is protected Non-volatile Non-volatibit le bit Non-volatile bit Reserved Reserved bit bit 注2 注2 注2 OTP_LOCK S6 S5 S4 BP2 (Block Protected bit) S3 BP1 (Block Protected bit) S2 BP0 (Block Protected bit) S1 WEL (Write Enable Latch bit) 1=可写 0=不可写入 S0 WIP (Write In Progress bit) 1=正在写入过程中 0=非写入过程中 Non-volatile bit Volatile bit Volatile bit 注意：1.在OTP模式下，SRP位定义为OTP_LOCK位 2.见\保护区域表”

7. 操作命令说明

所有的命令、地址和数据都是移位进出芯片，最高位（MSB）在第一位。DI在CS#

为低后的第一个CLK的上升沿被采样，之后，一字节的命令码必须被移位输入芯片，最高位在第一位，每位都在时钟的上升沿被采样。

下表列出了命令集。每种命令序列都由一个单字节命令码开始。根据不同的命令，

后面跟随的可能是地址字节或数据字节，或什么都不跟。在命令序列的最后一位发送完毕后，CS#必须被置高。在读数据（READ）、高速读数据（Fast_Read）、读状态寄存器（RDSR）、释放深度下电模式（Deep Power Down）和读器件ID（RDI）时，移入的命令序列后跟随的是输出数据序列。CS#可以在数据输出序列的任何一位时置高。

在页编程（PP）、扇区擦除（SE）、区块擦除（BE）、芯片擦除（CE）、写状态寄存器（WRSR）、写禁止（WRDI）或深度下电模式命令中，CS#必须正好在字节的边界处被置高，否则命令将被拒绝而不被执行。即CS#被置高的时间必须是在CS#被置低后的时钟脉冲个数为8的整数倍时。对于页编程（PP），如果输入字节不完整，则芯片什么也不做，WEL不会被复位。

对于多字节页编程命令（PP）和释放深度下电命令（RES），必须给足规定的最小字节数，否则命令被忽略。

对于多字节页编程命令（PP），如果在命令后跟随的字节数小于4（至少一字节数据），则命令被忽略。对于SE和BE，必须给出精确的24位地址，否则命令也被忽略。

在写状态寄存器周期、编程周期或擦除周期中，所有对存储阵列的访问都被忽略，而正在进行的写状态寄存器周期、编程周期或擦除周期不受影响。

FM25F04/02命令集

命令名 写使能 写禁止/退出OTP模式 读状态寄存器 页编程 扇区擦除/OTP擦除 区块擦除 Byte 1 Code 06h 04h Byte 2 Byte 3 Byte 4 Byte 5 Byte 6 continuous(2) continuous (3) n-Bytes 05h 02h 20h (S7-S0)(1) A23-A16 A15-A8 A23-A16 A15-A8 A7-A0 A7-A0 A7-A0 D7-D0 Next byte D8h A23-A16 A15-A8 全芯片擦除 C7h/60h B9h 深度下电 从深度下电dummy dummy 状态恢复并读器件ID ABh 从深度下电状态恢复 读制造商/器件ID 读ID 90h 9Fh dummy (MF7-MF0) dummy (ID15-ID8) dummy (ID7-ID0) 00h 01h (ID7-ID0) (4)(MF7-MF0) (ID7-ID0) (ID7-ID0) (MF7-MF0) (5) 进入OTP3Ah 模式 注： 1. 数据字节移出时，最高位在前。 2. 状态寄存器的内容会持续重复，直到CS#被置高 3. 器件ID的内容会持续重复，直到CS#被置高

4. MID和DID的内容会持续重复，直到CS#被置高。第4字节为00h则MID在先，为01h则DID在先。

5. (MF7 – MF0):制造商ID, （ID15-ID8）:存储器类型，(ID7-ID0):存储器容量。

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/u2od.html