武汉理工材料科学基础考研历年名词解释总汇

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1 材料引言

玻璃

玻璃是由熔体过冷所制得的非晶态材料。 水泥

水泥是指加入适量水后可成塑性浆体，既能在空气中硬化又能在水中硬化，并能够将砂，石等材料牢固地胶结在一起的细粉状水硬性材料。

耐火材料

耐火材料是指耐火度不低于1580摄氏度的无机非金属材料。硅质耐火材料，镁质耐火材料，熔铸耐火材料，轻质耐火材料，不定形耐火材料。

高聚物

高聚物是由一种或几种简单低分子化合物经聚合而组成的分子量很大的化合物。

胶粘剂

胶粘剂是指在常温下处于粘流态，当受到外力作用时，会产生永久变形，外力撤去后又不能恢复原状的高聚物。 合金

合金是由两种或两种以上的金属元素，或金属元素与非金属元素形成的具有金属特性的新物质

固溶体

当合金的晶体结构保持溶质组元的晶体结构时，这种合金成为一次固溶体或端际固溶体，简称固溶体。

电子化合物

电子化合物是指具有一定（或近似一定）的电子浓度值，且结构相同或密切相关的相。

间隙化合物

间隙化合物（或间隙相）是由原子半径较大的过渡金属元素（Fe,Cr,Mn,Mo,W,V等）和原子半径较小的非（准）金属元素（H,B,C,N,Si,等）形成的金属间化合物。

传统无机非金属材料

主要是指由SiO2及其硅酸盐化合物为主要成分制成的材料，包括陶瓷，玻璃，水泥和耐火材料等。

新型无机非金属材料

是用氧化物，氮化物，碳化物，硼化物，硫化物，硅化物以及各种无机非金属化合物经特殊的先进工艺制成的材料。

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2 晶体结构

晶体

晶体是离子，原子或分子按一定的空间结构排列所组成的固体，其质点在空间的分布具有周期性和对称性，因而，晶体具有规则的外形。 晶胞

晶胞是从晶体结构中取出来的反应晶体周期性和对称性的重复单元。

晶体结构

晶体结构是指晶体中原子或分子的排列情况，由空间点阵+结构基元而构成，晶体结构的形式是无限多的。

空间点阵

空间点阵是把晶体结构中原子或分子等结构基元抽象为周围环境相同的阵点之后，描述晶体结构的周期性和对称性的图像。 晶面

可将晶体点阵在任何方向上分解为相互平行的节点平面，这样的结点平面成为晶面。

晶面指数

结晶学中经常用（h k l）来表示一组平行晶面，成为晶面指数。

晶面族

在对称性高的晶体（如立方晶系）中，往往有并不平行的两组以上的晶面，它们的原子排列状况是相同的，这些晶面构成一个晶面族。

晶向族

晶体中原子排列周期相同的所有晶向为一个晶向族，用{u v w}表示。

晶带或晶带面 在结晶学中，把同时平行某一晶向[u v w]的所有晶面成为一个晶带（Zone）或晶带面[Plane of a Zone]，该晶向[u v w]成为这个晶带的晶带轴（Zone Axis），一个晶带中任一晶面（h k l）与其晶带轴[u v w]之间的关系满足晶带轴定理：hu+kv+lw=0

离子键

离子键是正，负离子依靠静电库仑力而产生的键合。

共价键

共价键是原子之间通过共用电子对或通过电子云重叠而产生的键合。

金属键

金属键是失去最外层电子（价电子）的原子实和自由电子组成的电子云之间的静电库仑力而

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产生的键合。

范德华键（分子键）

范德华键（分子键）是通过“分子力”而产生的键合。 氢键

氢键是指氢原子同时与两个电负性很大而原子半径较小的原子（O,F,N等）相结合所形成的键。

晶体的结合能

晶体的结合能Eb定义为：组成晶体的N个原子处于“自由”状态时的总能量EN与晶体处于稳定状态时的总能量E0的差值，即Eb=EN-E0

晶格能

对于离子晶体而言，其晶格能EL定义为：1mol离子晶体中的正负离子，由相互远离的气态结合成离子晶体时所释放出的能量。

空间利用率（原子堆积系数）——晶胞中原子体积与晶胞体积的比值。

孤立态原子半径

从原子核中心到核外电子的几率分布趋向于零的位置间的距离。这个半径亦称为范德华半径。

金属原子半径

相邻两原子面间距离的一半。如果是离子晶体，则定义正，负离子半径之和等于相邻两原子面间的距离。

配位数

一个原子（或离子）周围同种原子（或异号离子）的数目成为原子或离子的配位数，用CN来表示。

离子极化

在离子紧密堆积时，带电荷的离子所产生的电场，必然要对另一个离子的电子云产生吸引或排斥作用，使之发生变形，这种现象称为极化。

哥希密特化学定律

晶体结构取决于其组成基元（原子，离子或离子团）的数量关系，大小关系及极化性能。

同质多晶

这种化学组成相同的物质，在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象，成为同质多晶。由此所产生的每一种化学组成相同但结构不同的晶体，成为变体。

类质同晶

化学组成相似或相近的物质，在相同的热流条件下，形成的晶体具有相同的结构，这种现象称为类质同晶现象。

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位移性转变

仅仅是结构畸变，转变前后结构差异小，转变时并不打开任何键或改变最邻近的配位数，只是原子的位置发生少许位移，使次级配位有所改变。

重建性转变

不能简单地通过原子位移来实现，转变前后结构差异大，必须破坏原子间的键，形成一个具有新键的结构。

Hume-Rothery规则

如果某非金属元素的原子能以单键与其他原子共价结合形成单质晶体，则每个原子周围共价单键的数目为8减去元素所在周期表的族数（m），即共价单键数目为（8-m）。这个规则亦称为（8-m）规则。 解理

晶体沿某个晶面劈裂的现象称为解理。

热释电性

热释电性是指某些像六方ZnS型的晶体，由于加热使整个晶体温度变化，结果在与该晶体c轴垂直方向的一端出现正电荷，在相反的一端出现负电荷的性质。晶体的热释电性与晶体内部的自发极化有关。

声电效应

通过半导体进行声电相互转换得现象称为声电效应。

反萤石结构

碱金属元素的氧化物R2O、硫化物R2S、硒化物R2Se、碲化物R2Te等A2X型化合物为反萤石结构，它们的正负离子位置刚好与萤石结构中的相反，即碱金属离子占据F-离子的位置，O2-或其他离子占据Ca2+的位置。这种正负离子位置颠倒的结构，叫做反同形体。

电光效应

电光效应是指对晶体施加电场时，晶体的折射率发生变化的效应。

铁电晶体

铁电晶体是指具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。

声光效应

声光效应是指光波被声光介质中的超声波所衍射或散射的现象。

正尖晶石和反尖晶石

在尖晶石结构中，如果A离子占据四面体空隙，B离子占据占据八面体空隙，则称为正尖晶石。反之，如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙，则称为反尖晶石。正尖晶石（A）[B2]O4 反尖晶石（B）[AB]O4

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同晶取代

[SiO4]四面体中心的Si4+离子可部分地被Al3+所取代，取代后的结构本身并不发生大的变化，即所谓的同晶取代，但晶体的性质却可以发生很大的变化。

压电效应

某些晶体在机械力作用下发生变形，使晶体内正负电荷中心相对位移而极化，致使晶体两端表面出现符号相反的束缚电荷，其电荷密度与应力成比例。这种由“压力”产生“电”的现象称为正压电效应。反之，如果具有压电效应的晶体置于外电场中，电场使晶体内部正负电荷中心位移，导致晶体产生形变。这种由“电”产生“机械形变”的现象称为逆压电效应。

高分子

高分子是指其分子主链上的原子都直接以共价键连接，且链上的成键原子都共享成键电子的化合物。

3 晶体结构缺陷

晶体结构缺陷

通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变成为晶体的结构缺陷。

点缺陷

点缺陷亦称为零维缺陷，缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。点缺陷包括空位、间隙质点、杂志质心和色心等。

线缺陷

线缺陷也称为一维缺陷，是指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。如各种位错。

面缺陷

面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三位方向上很小。如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。

体缺陷

体缺陷亦称为三维缺陷，是指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。如第二相粒子团、空位团等。

热缺陷

热缺陷称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位和（或）间隙质点（原子或离子）。热缺陷包括弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷。弗伦克尔缺陷是质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置，其特征是空位和间隙质点成对出现。肖特基缺陷是质点由表面位置迁移到新表面位置，在晶体表面形成新的一层，同时在晶体内部留下空位，其特征是正负离子空位成比例出现。 滑移

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