2014级双学位毕业论文指导书

南昌大学经济与管理学院2012级

毕业论文指导书

一、 毕业论文的目的

毕业论文是高等学校应届本科生在教师指导下，在规定时限内，针对某一课题综合运用所学专业的基础理论、基本知识和基本技能写出阐述解决经济管理理论和实践中某个问题的文章，它是整个教学计划中的一个重要环节，也是对学生在校学习成果的总检查。毕业论文成绩合格，是授予学士学位的条件之一。

毕业论文的目的：

1、巩固充实所学基础理论和专业知识，培养学生综合运用所学知识分析解决经济管理问题的初步能力。

2、培养学生理论联系实际的工作作风、严肃认真的工作态度和积极探索的创新精神。

3、提高学生进行调查研究，搜集、分析、整理资料的能力和写作能力。

二、毕业论文的成果形式及基本要求

1、在查阅文献5篇以上（其中教师推荐1-3篇）的基础上至少完成1篇外文资料翻译，译文不少于2000汉字。

2、开题报告1份。

3、中外文摘要：中文摘要300字左右，外文摘要250个实词左右。

4、、毕业论文对引用的资料、引文应有标准化的注释，并列出阅读书目清单。 5、论文字数要求在1.2万字以上。

6、毕业论文要求装订成册，并应包含毕业论文任务书、开题报告、毕业论文（中英文摘要、毕业论文全文）、外文资料译文、外文资料原文。

三、撰写毕业论文的工作程序

要写出一篇有一定质量的毕业论文，必须经过一个艰苦的创造性劳动的过程。在这过程中，学生不仅要复习运用已学过的基础理论和专业知识，而且要进一步从查阅文献和调查研究中扩大充实已有知识，同时，需要学生积极思考、认真研

究，付出艰苦的努力。

（一） 选题

选题是写好学位论文的战略起点，它决定了论文写作的方向和目标，选题恰当与否，直接关系到论文写作的成败与论文的价值的高低。选题应从专业的培养目标出发，必须与双学位专业相符，并且有一定理论价值和实际意义的题目。

（二） 资料搜集、整理阶段

资料是作者为一定的研究和写作目的，通过各种方法和手段，从社会生活实践中搜集、摄取并用于论文中的一系列理论、事实、数据或论据。资料一定要真实、确凿、典型、恰当。

资料搜集的途径一般有：

1、 查阅文献资料，即通过阅读有关图书、报刊、文件来掌握与研究有关的理论、方法及统计数据等，并摘录有关内容。

2、调查研究，即直接到有关部门、企业事业单位观察、了解其工作内容、程序、方法等第一手资料。 3、已学课程的有关内容。

在资料搜集过程中，必须经常运用所学知识对资料进行分析、加工与整理、并不断根据论文写作的需要通过上述途径对资料进行充实完善。

（三）论文写作阶段

论文写作是在教师指导下，根据论题的要求，运用所学知识对搜集的资料进行分析研究，并将其加工整理成论文的过程。

毕业论文的一般写作步骤有：

1、拟题：论文标题应简练、醒目，能确切概括论文的性质、内容或论点。 2、写作准备：包括科学地分析资料，形成正确的论点或规划、方案、措施，精选论据等。

3、草拟论文提纲：提纲是作者根据其确定的论点，选取相应的资料，把观点和资料综合成一个先后有序、思路清晰、能够说明问题并用文字记载下来的论文轮廓。论文提纲的内容与所选课题的类型有关。一般来说，理论探讨型论文的提纲包括以下内容：

（1）前言（本文的写作动机及意义）； （2）基本论点；

（3）基本论点所包含的各个分论点；

（4）各个分论点包含的小论点、论据及论证方法；

（5）结论与建议。

分析应用型文的提纲一般包括以下内容： （1）前言（选择该课题的理由及意义）； （2）对现状的分析及存在的主要问题； （3）主要问题的原因分析（分析方法与资料）；

（4）提出的改革方案、规划或应采取的对策、措施，效果预测； （5）结束语。

草拟论文提纲的过程，是作者对论文进行全面构思和合理布局的过程。在这过程中，要求学生积极思考、周密安排，尽可能把提纲写得详细些、具体些。

4.、写作论文初稿。

5、修改定稿：初稿完成后，学生自己应认真地反复阅读，仔细挑剔文章的毛病，从观点到资料，乃至一字一句，每个标点都不能轻易放过。

修改初稿时，主要从以下几方面考虑：（1）标题是否恰当（2）论点是否正确、突出（3）论据是否充实、分析是否合理、资料是否齐全、计算是否错误（4）层次是否清楚、结构上是否合乎逻辑（5）文字是否流畅、用词是否恰当

6、打印成文；要求由学生本人将文稿按统一要求录入、排版，用A4纸打印。

四、毕业论文的格式

1、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，行间距1.35倍。 2、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。 3、摘要

a) 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，

b)英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。

4、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。 5、图表：图表内容五号宋体。

6、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。

7、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。

五、答辩

1、毕业论文经初稿、修改稿、定稿之后须参加论文答辩。

2、答辩前指导教师应对学生进行答辩资格审查，各系指定教师担任学生毕业论文的评阅人，对学生的毕业论文进行评阅。

3、各专业成立5人以上答辩委员会，成员应由相当于讲师以上职称并有较强的业务能力和工作能力的人员担任，可邀请校外同行专家学者参加毕业论文答辩工作。根据毕业论文涉及的内容及要求，以有关基本概念、基本理论，在答辩时对学生进行提问，做好答辩纪录，并将成绩填入《南昌大学 届毕业论文答辩评分表》。

4、每个学生应就毕业论文做一个简短的PowerPoint参加答辩。 5、答辩时间：学生介绍5分钟、教师提问5—10分钟。 6、一辩未过者将参加经管学院本科生二辩。

六、论文成绩评定

（一）评定原则

对学生的毕业论文主要从以下几个方面加以评定： 1、是否有理论意义或实用价值;

2、是否有作者独创且正确的新观点与新方法；

3、是否有理论方面的缺陷或计算、推理、应用方法等方面的错误； 4、作者对论文所涉及的领域是否熟悉； 5、资料是否全面、真实，论据是否充分； 6、论文结构是否严密，层次是否清楚； 7、毕业论文的工作量大小； 8、语言是否简练、通顺；

9、论文格式是否规范，排版打印是否美观；

10、答辩过程是否能够简明扼要的介绍论文观点，正确回答教师提问。 （二）评定等级

毕业论文成绩分为优秀、良好、中等、及格与不及格五种等级。对于在上述评定原则诸方面均表现较好的论文，经指导教师和答辩小组评审并经系评审会审核通过，可评为优秀。对以下几种情况的毕业论文应评为不及格：

1、毕业论文的写作态度不认真；

2、在论点、论据、结构等方面有明显抄袭行为（引用必要的参考文献进行论

述者不在此列）；

3、理论上有明显缺陷；

4、关键论据存在推理、计算错误或方法使用上的错误；

5、在论文的实用价值、资料收集、工作量、结构、语言等方面有明显问题。

七、毕业论文时间安排

1、2013年10月8日——10月10日，各系按专业起草论文参考选题（选题必须与双学位专业相符）

2、2013年10月12日前，请系主任将指导老师安排发至文力信箱。 3、2013年10月15日前，学生报论文选题（学生报论文选题时，应注意互相之间不要重复选题），由办公室收齐后转报各系。

4、2013年10月18日前，学院安排各系指导教师与学生见面。 5、2013年10月21日至2014年4月18日，学生撰写毕业论文时间。 6、2014年4月25日前学生将指导教师批阅并给出初评成绩的定稿论文（一式三份）交办公室（外经楼418B）。

八、毕业论文答辩安排

2014年4月19日----5月13日答辩，请系主任4月15日将答辩老师名单发至文力信箱，以便安排分组答辩名单。

4月19日下午 人民武装学院（金融学22人） 4月20日上午 共青学院 金融学（13人）、会计学（22人） 5月10日上午 青山湖校区 金融学（65人） 5月10日下午 青山湖校区 会计学（57人）、财务管理（17人）、工商管理（16人）、国际经济与贸易（9人）

5月11日上午 前湖校区 金融学（246人）、经济学（15人） 5月11日下午 前湖校区 会计学（171人）、财务管理（32人）、国际经济与贸易（22人）

5月11日下午 前湖校区 工商管理(50人)、市场营销(21人)、物流管理（7人）、 答辩分组名单及答辩地点将于2014年5月3日在班级QQ群公布，请大家及时关注。

咨询电话：0791--83969465 13006201903（文老师）13307091598（肖老师） 特别提示：双学位本科论文要求按“南昌大学本科生毕业设计（论文）工作

管理办法”（2007年1月5日修订版）执行。

附：附件一至附件九，请同学上班级QQ群自行打印。 附件1 南昌大学本科生毕业论文任务书（文理科使用） 附件2 南昌大学本科生毕业设计（论文）开题报告 附件3 南昌大学学士学位论文原创性申明

附件4 南昌大学 届本科生毕业设计（论文）答辩资格审查表 附件5 南昌大学本科生毕业论文评阅人评审表

附件6 南昌大学 届本科生毕业设计（论文）答辩记录表 附件7 南昌大学 届本科生毕业设计（论文）答辩评分表 附件8 南昌大学学士学位论文封面

附件9 南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样

南昌大学经济与管理学院

2013年9月30日

附件1

本科生毕业论文任务书

(文理科使用)

题 目：

题目来源：□省部级以上 □校级 □横向 □自选 题目性质：□理论研究 □应用与理论结合研究

□实际应用研究

学 院： 系： 专 业： 班 级： 学 号： 姓 名： 起讫日期： 指导教师： 职称： 系分管主任： 审核日期：

说 明

1. 毕业论文任务书由指导教师填写，并经专业学科组审定，下达到学生。

2. 学生所在院系统一填写南昌大学经济与管理学院，学生所在专业班级统一填写双学位专业。 3. 系分管主任按以下要求填写： 经济系（金融学、经济学）：刘耀彬

国际经济与贸易系（国际经济与贸易专业）：白云涛

工商管理系（工商管理、市场营销、物流管理、工业工程）：郭朝晖 会计系（会计学、财务管理）：梁国萍 旅游系（旅游管理）：旷天伟

4. 进度表由学生填写，至少每两周交指导教师签署审查意见，并作为毕业论文工作检查的主要依据。进度表中的周次是指实际的毕业论文进程中的周次。

5. 学生根据指导教师下达的任务书独立完成开题报告，于3周内提交给指导教师批阅。

6. 本任务书在毕业论文完成后，与论文一起交指导教师，作为论文评阅和毕业论文答辩的主要档案资料，是学士学位论文成册的主要内容之一。

一、毕业论文的要求和内容 二、研究方案、目标

三、阅读书目清单

四、毕业论文进度计划 序号 各阶段工作内容 起讫日期 备注 五、主要参考资料

六、毕业论文进度表（本表至少每两周由学生填写一次，交指导教师签署审查意见） 学生主要工作： （ 月 日至 月 日） 签名： 年 月 日 学生主要工作： （ 月 日至 月 日） 签名： 年 月 日 学生主要工作： （ 月 日至 月 日） 签名： 年 月 日 第五、六周 指导教师审查意见： 第三、四周 指导教师审查意见： 第一、二周 指导教师审查意见：

学生主要工作： （ 月 日至 指导教师审查意见： 月 日） 签名： 年 月 日 第七、八周 学生主要工作： （ 月 日至 指导教师审查意见： 月 日） 签名： 年 月 日 第九、十周 学生主要工作： 第十一、十二周 （ 月 日至 指导教师审查意见： 月 日） 签名： 年 月 日

学生主要工作： 第十三、十四周 （ 月 日至 指导教师审查意见： 月 日） 签名： 年 月 日 学生主要工作： 第十五、十六周 （ 月 日至 指导教师审查意见： 月 日） 签名： 年 月 日 学生主要工作： 第十七、十八周 （ 月 日至 指导教师审查意见： 月 日） 签名： 年 月 日

七、其他（学生提交） 1．开题报告1份 2．外文资料译文1份（2000字以上，并附资料原文） 3．论文1份（理科8000字以上，文科12000字以上） 指 导 教 师： 学科组负责人： 学生开始执行 任务书日期： 学生姓名： 送交毕业设计日期：

附件2

本科生毕业设计（论文）开题报告

题 目：

学 院： 系 专 业： 班 级： 学 号： 姓 名： 指导教师： 填表日期： 年 月 日

一、 选题的依据及意义：

二、 国内外研究现状及发展趋势（含文献综述）：

三、 本课题研究内容

四、 本课题研究方案

五、 研究目标、主要特色及工作进度：

六、参考文献：

附件3

南 昌 大 学 学士学位论文原创性申明

本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。

作者签名： 日期：

学位论文版权使用授权书

本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密□（在 年解密后适用本授权书） 本学位论文属于

不保密□ （请在以上相应方框内打“√”）

作者签名： 日期：

导师签名： 日期：

附件4

南昌大学 届本科生毕业设计（论文）答辩资格审查表

题 目 学院 学生姓名 专业班级 指导教师检查 学生毕业设计（论文） 内容 软硬件验收 有无旷课 外文资料翻译 中、英文摘要 正文 任务书 开题报告 学号 系 □ 有 □ 无 □ 有 □ 无 字数 □ 完成 □ 未完成 □ 有 □ 无 □ 有 □ 无 字数 □完成 □未完成 累计旷课 时间 天 毕业设计（论文）期间 考勤情况 指导教师评语（说明是否可进行答辩，并根据学生毕业设计（论文）质量按优秀、良好、中等、及格、不及格评定成绩及给出评定成绩的依据）： 指导教师签名： 职称： 所在院（系）： 成绩 年 月 日

附件5

南昌大学本科生毕业论文评阅人评审表

毕业论文题目 学生姓名 评阅人姓名 01 选题 质量 02 03 04 05 能力 水平 06 07 08 09 10 成果 质量 11 12 13 14 专业班级 职称及学历 学号 所在院（系） 评 价 项 目 选题符合专业培养目标，体现综合训练基本要求 题目难易度 题目工作量 理论意义或实际价值 查阅文献资料能力 综合运用知识能力 研究方案的设计能力 研究方法和手段的运用能力 外文应用能力 文题相符 写作水平 写作规范 篇幅 成果的理论或实际价值 好 较好 一般 差 毕业论文原创性 □ 是 □ 部分引用 □ 部分抄袭 □ 抄袭 评阅人评定成绩（分为优秀、良好、中等、及格、不及格五等） 评 阅 人 评 语 评阅人签名： 年 月 日 注：评阅人由指导教师以外的具有副教授职称的教师担任，部分专业也可由具有讲师职称的 教师担任。

附件6

南昌大学 届本科生毕业设计（论文）答辩记录表

一、毕业设计（论文）信息

学生姓名 毕业设计 （论文）题目 题目性质 □理论研究 □应用与理论研究 □实际应用研究 姓名 职称 职称 职称 姓名 题目来源 职称 □省部级 □校级 □横向 □自选 □校内 □校外 □校内 □校外 姓名 职称 学号 专业班级 指导教师姓名 答辩委员会（或答辩小组）成员

二、答辩记录

答辩地点 答辩日期 记录内容：1、阐述毕业设计（论文）要点 2、提问与回答 注：如记录内容多请加附页 记录人：

附件7

南昌大学 届本科生毕业设计（论文）答辩评分表

题 目 姓 名 指导教师 院（系） 所在 单位 专业班级 职称 学号 学历 指导教师评定成绩： 指导教师签名： 年 月 日 评阅人评定成绩： 评 阅 人签名： 年 月 日 答辩委员会意见： 委 员 签 名： 、 、 、 成绩 主 任 签 名： 年 月 日 系评审意见： 系分管主任签名： 综合成绩 年 月 日 注：表1为指导教师填写的《毕业设计（论文）答辩资格审查表》。

表2为评阅人填写的《毕业设计（论文）评阅人评审表》。 表3为《毕业设计（论文）答辩记录表》。 表4为《毕业设计（论文）答辩评分表》。

评 分 标 准

成 绩 标 准 能圆满完成任务书规定的任务，在某些方面有独特的见解与创新；立论正确、内容完整，文字条理清楚；计算与分析论证可靠、严优秀 密，结论合理；说明书、图纸规范，质量高；完成的软硬件达到或高于规定的性能指标且文档齐全、规范，或成果对社会发展、经济建设具有指导意义；独立工作能力强；答辩时概念清楚，问题回答正确。 能完成任务书规定的任务；立论正确、内容完整，文字条理清楚；计算与分析论证基本正确，结论合理；说明书、图纸符合规范，良好 质量较高；完成的软、硬件基本达到规定的性能指标且文档齐全、规范，或成果对社会发展、经济建设有一定的指导意义；有一定的独立工作能力；答辩时概念较清楚，能正确回答问题。 能一般完成任务书规定的任务；内容基本完整，计算与论证无原则中等 性错误，结论基本合理；说明书、图纸质量一般；完成的软、硬件尚能达到规定的性能指标；文档基本齐全，基本符合规范；工作能力有提高；答辩时能回答所提出的主要问题，且基本正确。 基本完成任务书规定的任务；论文质量一般，存在个别性错误；说及格 明书、图纸不够完整；完成的软、硬件性能较差；答辩时讲述不够清楚，回答问题有不确切之处或存在若干错误。 未完成任务书规定的任务；设计（论文）有原则性错误；说明书、不及格 图纸质量较差或有抄袭现象；完成的软硬件性能差；答辩时概念不清楚。 各院（系）也可根据专业情况自行制定评分细则。

附件8 密级：

NANCHANG UNIVERSITY

学 士 学 位 论 文

THESIS OF BACHELOR

（20 —20 年）

题 目

学 院： 系 专 业： 班 级： 学 号：

学生姓名： 指导教师： 起讫日期：

学士学位论文要求装订成册并应包含以下主要内容

一、毕业设计（论文）任务书 二、开题报告

三、南昌大学学士学位论文原创性申明 四、毕业设计（论文） 1、中文摘要 2、外文摘要

3、毕业设计（论文）全文 五、外文资料原文 六、外文资料译文

附件9：

南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样

一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。

二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。 三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III……)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3……）编排。 四、摘要

1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，

2．英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。

五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。 六、图表：图表内容五号宋体。

七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英

文用小四号Times New Roman 体。

八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。

具体书写式样如下：

页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉1.5cm,页脚1.75cm ,1.35倍行距，应用于整篇文档 宋体，四号，居右 密级： 校名标识（cm） 1.88×6.59，居中 NANCHANG UNIVERSITY 校名外文（大写） Times New Roman，四号，居中 学 士 学 位 论 文 THESIS OF BACHELOR （20 —20 年）

校徽标识（cm） 3.33×3.33，居中 宋体，30磅，居中 Times New Roman，四号，居中 中文：宋体；数字：Times New Roman 四号，居中

宋体，三号，居中 题 目

宋体，四号，居中 注意线条长度一致 学 院： 系 专业班级： 学生姓名： 学号： 指导教师： 职称： 起讫日期：

此页可直接下南 昌 大 学 学士学位论文原创性申明

本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。

作者签名： 日期：

学位论文版权使用授权书

本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密□，在 年解密后适用本授权书。

本学位论文属于

不保密□。

（请在以上相应方框内打“√”）

作者签名： 日期：

导师签名： 日期：

页眉：中文宋体，五号，居中 摘要

III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光 专 业： 学 号： 学生姓名： 指导教师：

宋体，小二号，居中 LED外延片的MOCVD生长和性质研究

宋体，五号，对齐居中 标题：宋体，四号，两端对齐，1.35倍行距 内容：中文宋体，外文字符Times New Roman，小四，宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光两端对齐，1.35倍行距 关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔 器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994 摘要

年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要

的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。

本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：

1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。

????

本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。

关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱

I

页眉：外文Times New Roman，五号，居中 Abstract Study on MOCVD growth and properties of III-Ⅴ nitrides and high brightness blue LED wafers Abstract

GaN based Ⅲ-Ⅴ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power

electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new 标题：Times New Roman，四号，两端对齐，1.35倍行距 area of 3th generation semiconductor.

More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994. In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:

1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χmin of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1μA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.

????

This work was supported by 863 program in China.

Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical

absorption

内容：Times New Roman，小四，两端对齐，1.35倍行距 关键词：“Keyword”三字加粗，关键词用“；”分隔 Times New Roman，小二号，居中 II

目录

目录 宋体，小三号，居中 摘要 ·························································································································· Ⅰ Abstract ···················································································································· Ⅱ 第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） ······················ 1 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 ··················································· 1 1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 ··································································· 4 1. 3 掺杂和杂质特性 ·························································································· 12 1. 4 氮化物材料的制备 ······················································································ 13 1. 5 氮化物器件 ·································································································· 19 1. 6 GaN基材料与其它材料的比较 ··································································· 22 1. 7 本论文工作的内容与安排 ·········································································· 24 第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 ··················································· 31 2. 1 MOCVD材料生长机理 ··············································································· 31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 ·················································· 32

????

结论 ························································································································· 136 目录内容：中文宋体，英文和数字Times New Roman，参考文献（References） ······················································································· 138 页码编号：摘要,Abstract使用页码“I,II,?”；正文开始使用页码“1,2,3,?”；小节标题左侧缩进1·致谢 ························································································································ 150

字符；页码数字居中对齐 小四 III

第一章 GaN基半导体材料及器件进展 章标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居中 第一章 GaN基半导体材料及器件进展

节标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居左 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓正文文字：中文宋体，英文Times New Roman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符，行距1.35倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前行距），段前0行，段后0行。 景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 ????

1．2 III族氮化物的基本结构和性质

????

表标题置于表的上方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号，行距1.35。

表1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、?c和T0的值

带隙温度系数 样品类型 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3 GaN/Al2O3 ????

- 1 -

Eg0(eV) 3.503 3.489 ? ~3.471 ?c (eV/K) T0 (K) 5.08?10-4 7.32?10-4 -7.2?10-4 -9.3?10-4 -996 700 600 772 参考文献 61 59 62 63 实验方法 光致发光 光致发光 光致发光 光吸收 dEg/dT(eV/K) T=300K -5.32?10-4 ? -4.0?10-4 -4.5?10-4 ????

???? 第一章 GaN基半导体材料及器件进展

图标题置于图的下方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号，行距1.35。 加热电阻 →气流 测温元件 测温元件

图1-1 热风速计原理

- 2 -

―――□―――■■―――□――

第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺

第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺

2.1 MOCVD材料生长机理

????

转换控制 频率信 号 源

频率设置 波形数据设置

图2-1 DDS方式AWG的工作流程

制 器 频率控 地址发生 器 波形存储 器 Ｄ／Ａ转换器 滤波器

????

- 31 -

参考文献 标题：中文宋体，四号，居中 参考文献 [1] Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02 [2] Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-583． [3] 万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮Roman，四号，1.35倍行距，参考文献应在文电出版社，1990．302-307．

中相应地方按出现顺序标引。 参考文献内容：中文宋体，英文Times New [4] Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．1991-08-06． [5] Candy J C．A use of double-integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE

Trans Commun，1985，33(COM)：249-258．

[6] 丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．

常见参考文献格式： ①科技书籍和专著：编著者．译者．书名[M]（文集用[C]）．版本．出版地：出版者，出版年．页码． ②科技论文：作者．篇名[J]．刊名，出版年，卷号（期号）：页码． 作者．篇名．ⅹⅹ单位博（硕）论文，年． 参考文献必须标明文献类型标志：普通图书 M；会议录 C；汇编 G；报纸 N；期刊 J；学位论文 D；报告 R；标准 S；专利 P；数据库 DB；计算机程序 CP；电子公告 EB。电子文献载体类型标志：磁带 MT；磁盘 DK；光盘 CD；联机网络 OL。 - 138 -

致谢

????

标题：宋体，四号，居中。 内容：宋体，小四，1.35倍行距，两边对齐。

139

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/tfr6.html