材料科学基础复习题及答案-2010

单项选择题：（每一道题1分）

第1章 原子结构与键合

1. 高分子材料中的C-H化学键属于 。 （A）氢键 （B）离子键 （C）共价键 2. 属于物理键的是 。 （A）共价键 （B）范德华力 （C）氢键

3. 化学键中通过共用电子对形成的是 。 （A）共价键 （B）离子键 （C）金属键 第2章 固体结构

4. 面心立方晶体的致密度为 C 。 （A）100% （B）68% （C）74% 5. 体心立方晶体的致密度为 B 。 （A）100% （B）68% （C）74% 6. 密排六方晶体的致密度为 C 。 （A）100% （B）68% （C）74% 7. 以下不具有多晶型性的金属是 。 （A）铜 （B）锰 （C）铁 8. 面心立方晶体的孪晶面是 。 （A）{112} （B）{110} （C）{111}

9. fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是 。 （A）fcc （B）bcc （C）hcp

10. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式？ （A）复合强化 （B）弥散强化 （C）细晶强化 第3章 晶体缺陷

11. 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系？ （A）垂直 （B）平行 （C）交叉

12. 能进行攀移的位错必然是 。 （A）刃型位错 （B）螺型位错 （C）混合位错

13. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为 。 （A）肖特基缺陷 （B）弗仑克尔缺陷 （C）线缺陷 14. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为 （A）肖脱基缺陷 （B）Frank缺陷 （C）堆垛层错 15. 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是 （A）孪晶铜 （B）中碳钢 （C）亚共晶铝硅合金 16. 大角度晶界具有____________个自由度。

（A）3 （B）4 （C）5

第4章 固体中原子及分子的运动

17. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随 变化。 （A）距离 （B）时间 （C）温度

18. 在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为 。 （A）原子互换机制 （B）间隙机制 （C）空位机制 19. 原子扩散的驱动力是 。 （A）组元的浓度梯度 （B）组元的化学势梯度 （C）温度梯度

20. A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，

则 。

（A）A组元的扩散速率大于B组元 （B）B组元的扩散速率大于A组元 （C）A、B两组元的扩散速率相同

21. 下述有关自扩散的描述中正确的为 。 （A）自扩散系数由浓度梯度引起 （B）自扩散又称为化学扩散 （C）自扩散系数随温度升高而增加

22. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是 （A）间隙机制 （B）空位机制 （C）交换机制

第5章 材料的形变和再结晶

23. 在弹性极限?e范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为 （A）包申格效应 （B）弹性后效 （C）弹性滞后 24. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是

（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向 （B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向 （C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向

25. bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，_________具有最少的滑移系，因此具有这种晶体

结构的材料塑性最差。 （A）bcc （B）fcc （C）hcp 26. ，位错滑移的派-纳力越小。 （A）位错宽度越大 （B）滑移方向上的原子间距越大 （C）相邻位错的距离越大

27. 已知Cu的Tm=1083?C，则Cu的最低再结晶温度约为 。 （A）200?C （B）270?C （C）350?C

28. 已知Fe的Tm=1538?C，则Fe的最低再结晶温度约为 。 （A）350?C （B）450?C （C）550?C 29. Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：

（A）溶质原子再扩散到位错周围 （B）位错增殖的结果 （C） 位错密度降低的结果 30. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。 （A）回复 （B）再结晶 （C）晶粒长大

31. 再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是

向着______________方向移动 （A）曲率中心 （B）曲率中心相反 （C）曲率中心垂直 32. 纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核 （A）小角度晶界 （B）孪晶界 （C）外表面

33. 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生

在 。 （A）回复阶段 （B）再结晶阶段 （C）晶粒长大阶段

34. 形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是 。 （A）点缺陷的明显下降 （B）形成亚晶界 （C）位错重新运动和分布

35. 对于变形程度较小的金属，其再结晶形核机制为 。

（A）晶界合并 （B）晶界迁移 （C）晶界弓出 36. 开始发生再结晶的标志是： （A）产生多变化

（B）新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 （C）晶粒尺寸显著增大

37. 由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在___________部位不易形核。 （A）大角度晶界和孪晶界 （B）相界面 （C）外表面

第6章 单组元相图及纯晶体的凝固

38. 凝固时在形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心，当形成

的核胚半径等于临界半径时，体系的自由能变化 。 （A）大于零 （B）等于零 （C）小于零

39. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的 。 （A）1/3 （B）2/3 （C）3/4

40. 以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长的是 。 （A）金属锗 （B）氯化铵晶体 （C）氧化硅

41. 铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时，则固态显微组织主要

为 。 （A）树枝晶 （B）柱状晶 （C）胞状晶 42. 凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法？ （A）加入形核剂 （B）减小液相过冷度 （C）对液相实施搅拌 第7章 二元系相图及其合金的凝固

43. 在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法则用于 。 （A）单相区中 （B）两相区中 （C）三相平衡水平线上 44. 对离异共晶和伪共晶的形成原因，下述说法正确的是 。 （A）离异共晶只能经非平衡凝固获得 （B）伪共晶只能经非平衡凝固获得 （C）形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分

45. 任一合金的有序结构形成温度 无序结构形成温度。 （A）低于 （B）高于 （C）可能低于或高于

多项选择题：（每一道题2分）

1. 以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是 。

（A）共价键 （B）离子键 （C）氢键 （D）金属键 （E）范德华力 2. 晶体区别于其它固体结构的基本特征有 。

（A）原子呈周期性重复排列 （B）长程有序 （C）具有固定的熔点（D）各向同性 （E）各向异性

3. 以下具有多晶型性的金属是 。 （A）铜 （B）铁 （C）锰 （D）钛 （E）钴 4. 以下 等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。 （A）镁 （B）锌 （C）镉 （D）铬 （E）铍 5. 铁具有多晶型性，在不同温度下会形成 等晶体结构。 （A）面心立方 （B）体心立方 （C）简单立方 （D）底心立方 （E）密排六方 6. 具有相同配位数和致密度的晶体结构是 。 （A）面心立方 （B）体心立方 （C）简单立方 （D）底心立方 （E）密排六方

第6章

7. 关于均匀形核，以下说法正确的是 。

（A）体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二 （B）非均匀形核比均匀形核难度更大 （C）结构起伏是促成均匀形核的必要因素 （D）能量起伏是促成均匀形核的必要因素 （E）过冷度△T越大，则临界半径越大

8. 以下说法中， 说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。 （A）非均匀形核所需过冷度更小 （B）均匀形核比非均匀形核难度更大

（C）一旦满足形核条件，均匀形核的形核率比非均匀形核更大 （D）均匀形核试非均匀形核的一种特例

（E）实际凝固过程中既有非均匀形核，又有均匀形核

9. 晶体的长大方式有 。

（A）连续长大 （B）不连续长大 （C）平面生长 （D）二维形核生长 （E）螺型位错生长 10. 控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有 。

（A）加入形核剂 （B）减小液相过冷度 （C）增大液相过冷度（D）增加保温时间（E）施加机械振动 第7章

11. 二元相图中，属于共晶方式的相转变有 。

（A）共晶转变 （B）共析转变 （C）偏晶转变 （D）熔晶转变 （E）合晶转变

12. 二元相图中，属于包晶方式的相转变有 。

（A）包晶转变 （B）包析转变 （C）合晶转变 （D）偏晶转变 （E）熔晶转变

13. 二元相图必须遵循以下几何规律： 。 （A）相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分

（B）两个单相区之间必定有一个由该两相组成的两相区把它们分开，而不能以一条线接界 （C）两个两相区必须以单相区或三相水平线隔开 （D）二元相图中的三相平衡必为一条水平线

（E）两相区与单相区的分界线与等温线相交时，其延长线应进入另一两相区内

14. 构成匀晶合金的两种组元之间必须满足以下条件： 。 （A）具有相同的晶体结构，晶格常数相近 （B）具有相同的熔点 （C）具有相同的原子价 （D）具有相似的电负性 （E）原子半径差小于15%

15. 固溶体的平衡凝固包括 等几个阶段。 （A）液相内的扩散过程 （B）固相内的扩散过程 （C）液相的长大

（D）固相的继续长大 （E）液固界面的运动

（A） （B） （C） （D） （E）

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