W25Q64中文资料

W25Q64BV

出版日期：2010年7月8日 - 1 - 版本E 64M位 与串行闪存 双路和四路SPI W25Q64BV - 2 - 目录

1，一般 DESCRIPTION...............................................................................................................5 2。 FEATURES.......................................................................................................................................5 3引脚配置SOIC208-MIL.......................................... .................................................. 6 4，焊垫配置WSON8X6-MM.......................................... ..............................................6 5，焊垫配置PDIP300-MIL.......................................... .................................................7 6引脚说明SOIC208密耳，PDIP300密耳和WSON8X6-MM................................ 7...... 7引脚配置SOIC300mil的.......................................... .................................................. 8

8引脚SOIC封装说明 300-MIL..................................................................................................8 8.1包装 Types.....................................................................................................................9 8.2片选 (/CS)..................................................................................................................9

8.3串行数据输入，输出和IO（DI，DO和IO0，IO1，IO2，IO3）............................. 9....... 8.4写保护 (/WP)...............................................................................................................9 8.5控股 (/HOLD).....................................................................................................................9 8.6串行时钟 (CLK)................................................................................................................9 9座 DIAGRAM..........................................................................................................................10 10功能 DESCRIPTION.......................................................................................................11 10.1 SPI OPERATIONS.............................................................................................................11 10.1.1标准SPI Instructions...................................................................................................11 10.1.2双SPI Instructions..........................................................................................................11 10.1.3四路SPI Instructions.........................................................................................................11 10.1.4保持功能 .....................................................................................................................11 10.2写保护 .......................................................................................................12

10.2.1写保护 Features........................................................................................................12 11，控制和状态寄存器............................................ ............................................13

11.1状态 REGISTER..........................................................................................................13 11.1.1 BUSY..................................................................................................................................13 11.1.2写使能锁存 (WEL)..................................................................................................13 11.1.3块保护位（BP2，BP1，BP0）..................................... ...............................................13 11.1.4顶/底块保护（TB）....................................... .................................................. ..13 11.1.5部门/块保护 (SEC)................................................................................................13 11.1.6状态寄存器保护（SRP，SRP0）....................................... ........................................14 11.1.7四路启用 (QE)..............................................................................................................14 11.1.8状态寄存器内存保护........................................... .........................................16

11.2 INSTRUCTIONS.................................................................................................................17

11.2.1制造商和设备标识........................................... ...................................17

11.2.2指令集表 1........................................................................................................18 W25Q64BV

11.2.3指令表2（阅读说明书）....................................... .................................19 出版日期：2010年7月8日 - 3 - 修订版E

11.2.4写使能 (06h)..............................................................................................................20 11.2.5写禁止 (04h).............................................................................................................20 11.2.6读状态寄存器1（05H）和读状态寄存器2（35H）.............................. .........21

11.2.7写状态寄存器（01H）......................................... .................................................. .....22 11.2.8读取数据 (03h).................................................................................................................23 11.2.9快速阅读 (0Bh).................................................................................................................24 11.2.10快速读双输出（3BH）........................................ .................................................. 0.25 11.2.11快速读四路输出（6BH）........................................ .................................................. 26 11.2.12快速读双I / O (BBh).................................................................................................27 11.2.13快速读取四I/ O (EBh)...............................................................................................29 11.2.14八进制字读取四I/ O（E3H）..................................... ................................................31 11.2.15页编程 (02h).........................................................................................................33 11.2.16四路输入页编程（32H）........................................ ..............................................34

11.2.17扇区擦除（20H） ...........................................................................................................35 11.2.1832KB的块擦除（52H） ...................................................................................................36 11.2.1964KB的块擦除 (D8h)...................................................................................................37 20年2月11日芯片擦除（C7H/ 60h).....................................................................................................38 21年2月11日擦除挂起 (75h)........................................................................................................39 22年2月11日擦除恢复 (7Ah)........................................................................................................40

23年11月2日掉电 (B9h)............................................................................................................41 24年2月11日高性能模式（A3H）......................................... ................................................42 25年2月11日发布掉电或高性能模式/设备ID（ABH）...............................42

26年2月11日读制造商/设备ID（90H）....................................... ........................................44 27年2月11日阅读唯一的ID号（4BH）........................................ .................................................45 28年2月11日读JEDEC的ID (9Fh)......................................................................................................46 29年2月11日连续读取模式复位（FFH或FFFFH）...................................... ..........................47 12，电气特性.............................................. ................................................48

12.1绝对最大 Ratings................................................................................................48 12.2操作范围 ..............................................................................................................48 12.3上电时序和写抑制阈值......................................... ...........................49

12.4直流电气 Characteristics..............................................................................................50 12.5 AC测量条件.............................................. ...............................................51

12.6 AC电气 Characteristics..............................................................................................52

12.7 AC电气特性（续）......................................... ........................................53

12.8串行输出 Timing...........................................................................................................54 12.9输入 Timing........................................................................................................................54 12.10持有 Timing.......................................................................................................................54 13包装 SPECIFICATION..........................................................................................................55 W25Q64BV

13.18引脚SOIC208密耳（包装代号SS）..................................... ......................................55 - 4 -

13.28引脚PDIP300密耳（封装代码DA）..................................... .......................................56 13.38触点WSON8x6毫米（封装代码ZE）....................................... ...........................57 13.416引脚SOIC300密耳（封装代码SF）..................................... .....................................58 14订货 INFORMATION..........................................................................................................59 14.1有效的部件号和顶端标记.......................................... ..............................60

15版本 HISTORY......................................................................................................................61 W25Q64BV

出版日期：2010年7月8日 - 5 - 修订版E 1概述

该W25Q64BV（64M位）串行Flash存储器提供了有限的系统存储解决方案 空间，引脚和电源。该25Q系列提供了灵活性和性能远远超过普通的串行

闪存器件。他们是理想的阴影到RAM中的代码，直接从双路/四路SPI执行代码 （XIP）和存储的语音，文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单电源工作 电流消耗低至4毫安主动和1μA的关机。所有器件均提供节省空间 保存包。

该W25Q64BV阵列是由每256字节可编程32,768页。最多256个字节

可以在一个时间被编程。网页可以在16（扇区擦除）组，128组（32KB被删除 块擦除），256（64KB块擦除组）或整个芯片（芯片擦除）。该W25Q64BV有2,048 可擦除扇区和128可擦除块分别。小4KB扇区允许更大的灵活性 在需要的数据和参数的存储的应用程序。 （见图2）

该W25Q64BV支持标准串行外设接口（SPI）和一个高性能

双核/四输出以及双/四I/ O SPI：串行时钟，片选，串行数据I / O0（DI），I / O1 （DO）的I / O 2（/ WP）和I/ O 3（/ HOLD）。高达80MHz的SPI时钟频率被支持，允许 160MHz的等效时钟频率为使用快速时双输出和320MHz的为四路输出 读双核/四输出指令。这些传输率可以超越标准的异步8

16位并行Flash存储器。连续读取模式允许与高效的内存访问

尽可能少的8个时钟的指令开销读取24位地址，允许真正的XIP（执行到位） 操作。

一抱脚，写保护引脚和可编程写保护，与顶部或底部阵列控制，

提供进一步的控制灵活性。此外，该器件支持JEDEC标准的制造商和 设备标识与64位唯一序列号。 2，特点

?家庭SpiFlash的回忆

- W25Q64BV：64M比特/8M字节（8,388,608） - 每可编程页256字节

?标准，双路或四路SPI

- 标准的SPI：CLK，/ CS，DI，DO，/ WP，/保持 - 双SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1/ WP，/保持 - 四通道SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1，IO2，IO3 ?最高性能的串行闪存

- 截至普通串行闪存的6倍 - 80MHz的时钟运行 - 160MHz的等效双SPI - 320MHz的相当于四SPI - 40MB/ S的连续数据传输率 ?高效“连续读取模式” - 低开销指令

- 仅仅在8个时钟周期，以解决内存 - 实现了真正的XIP（执行到位）操作 - 胜过X16并行闪存 注1：请联系华邦细节 ?低功耗，宽温度范围 - 单2.7到3.6V电源

- 4毫安工作电流<1μA的关断（典型值）。 - 40°C至+ 85°C的工作范围 ?灵活的架构与4KB扇区 - 统一扇区擦除（4K字节） - 块擦除（32K和64K字节） - 计划一个256字节

- 超过100,000擦除/写周期 - 超过20年的数据保存 ?先进的安全特性 - 软件和硬件写保护

- 顶部或底部，部门或块选择 - 向下锁定和OTP保护（1） - 64位唯一ID为每个设备（1） ?空间高效的包装 - 8引脚SOIC208万 - 8引脚PDIP300万 - 8垫WSON8X6毫米 - 16引脚SOIC300万

- 联系华邦KGD和其他选项 - 6 -

3引脚配置SOIC208-MIL 1 2 3 4

8 7 6 5 / CS

DO（IO1） / WP（IO2） GND VCC

/保持（IO3） CLK

DI（IO0）

图1a。 W25Q64BV引脚分配，8引脚SOIC208密耳（包装代号SS） 4，焊垫配置WSON8X6-MM 1 2 3 4 8 7 6 5 / CS

DO（IO1） / WP（IO2） GND VCC

/保持（IO3） CLK

DI（IO0） 1 2 3 4 8 7 6 5 / CS

DO（IO1） / WP（IO2） GND VCC

/保持（IO3）

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/rn5t.html