版图技巧总结

更新时间:2024-04-12 22:17:01 阅读量: 综合文库 文档下载

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【版图学习笔记】

一.Candence操作 二.DESIGN RULE 三.各器件简述 四.版图技巧 五.布局布线 六.版图流程 七.ELLA的心得

Candence操作 一.进入版图工作环境:

1.进入unit :Xmanger1.3..9=》Xbrowser=》EDA4=》用户名=》密码 2. 界面上右键-》tools-》terminal-》 3. 在layout目录输入icfb 登陆Candence

icfb后面加“ & ”的作用是之后可以继续在Shell窗口操作命令 4. 在icfb窗口 tools-》library manager-》选择library,cell,view。

如果是新建,则FILE-》new里面新建。 5.在icfb窗口的tools-》library path 可以加库

二.最常用快捷键: f:全景图

ctrl+z:放大 shift+z:缩小

shift+f:详细版图(非symbol) u:undo

w:上一界面 i:调用器件 q:看属性 r:画矩形

p:固定长度的可折线

l:lable 标注端口、电源、地等。所标识的金属层,用该层TEXT层标识。如,M6层金属则选择M6TEXT层。 s:拉伸收缩

Shift+C:把线断开(注意:先选中线,再操作) Shift+M: merge(同上,先选中线) k:标尺

shift+k:取消标尺

器件旋转:q-》选rotate度数-》Apply 对于已选器件:“M“ 左键 右键旋转

g:格点 鼠标在各格点移动 一般不用 如果取消,则再按一次“g” shift+x: 进入调用器件的下层 shift+b:返回上层

F3:在选择了操作命令后,按F3可以显示旋转,宽度调整等被操作器件特性。该键很有用。 Undo默认为一步。若要增加次数,在ICFB窗口的OPTIONS里选择USER PREFERENCES,改变undo次数。

三.Layout环境界面常用操作

左边的窗口为“LSW”窗口。

AV:all view NV:no view AS:all select NS:none select

(在连线时,可以先选NV,所有层次都看不见,再选中需要连线的层次,则版图上只显示该层,方便连线。

需要修改时,可以选NS,再选择需要修改的层次,方便改动。按右键选择活动的层次。)

下面为各层。可自己修改,添加删除。

常见操作快捷方式已在上文归纳。以下是版图设计过程中一些遇到问题后总结的操作

打散单元:EDIT->HIERARCHY->FLATTEN->FLATTEN PCELLS 完成版图后标端口:CREAT->PINS FROM LABLES DRC以后找错误:VERITY->MARKERS->FIND S操作中,先按“s”,再选择需要strentch的部分,再拉伸。 Shift+c操作中,需要先选中需要CUT的线条。

在做GUARDRING里面,可以选择NDIFF_M1,选择一定的row和coloum,注意此时选择其中的”CONTACT“的行和列,这样就可以直接构成guarding。

二.DESING RULES

根据各不同工艺,DESIGN RULES各不相同。但大致尺寸仍然类似。规则也基本相同。

经过DRC,最容易出问题的:

1. 最小延伸:主要指多晶硅必须伸出有源区

2. 最小宽度:在线画好后,添加CONTACT与VIA等时,可能会因为位置摆放问题导致

最小线宽不符合要求。

3. 最小间距:不仅要注意各层自己的间距,如METEL1与METEL1连线间间距,还要注

意不同层之间间距符合设计规则。

4. 最小包围:由于要满足内层的最小宽度以及外层与内层的最小包围,因此在连接部分等

处要求内层材料比原先宽度增加一些。 5. PSUB WITHOUT TAB:P衬底需要接地

本次DRC下来总结:

Via四周距离 一端必须大于规则距离,另三端大于最小包围。 P衬底接地和NWELL里接高必须和器件小于20UM 最高层金属间距稍大0.44 其他为0.28

电容两极板需要用第六层引线出来,若用第五层,则它会认为是电容板的一层,报错。

三.各器件简述

1.MOS管 2.三极管 3.电容 4.电阻 5.电感

在很多工艺库中,以上器件都是可以调用的。因此不需要自己画。如果没有可以调用的器件,就按照design rule中对各层的定义,自己绘制器件。

本次流片所用到的器件:

本文来源:https://www.bwwdw.com/article/re0p.html

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